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何辉忠

作品数：4 被引量：5H指数：1
供职机构：厦门大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇气敏
  • 2篇片状结构
  • 2篇前驱物
  • 2篇合成温度
  • 2篇甘油锌
  • 2篇醋酸锌
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇约束刻蚀剂层...
  • 1篇气敏性
  • 1篇气敏性质
  • 1篇气体传感
  • 1篇气体传感器
  • 1篇微加工
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇刻蚀
  • 1篇化学合成
  • 1篇感器
  • 1篇半导体

机构

  • 4篇厦门大学
  • 1篇哈尔滨工业大...

作者

  • 4篇何辉忠
  • 2篇郑兰荪
  • 2篇韩锡光
  • 2篇谢兆雄
  • 2篇匡勤
  • 1篇孙立宁
  • 1篇张力
  • 1篇马信洲
  • 1篇丁庆勇
  • 1篇曲东升
  • 1篇林密旋
  • 1篇汤儆

传媒

  • 1篇物理化学学报

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2006
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
微圆盘电极技术测定表面化学微加工时的约束刻蚀剂浓度分布被引量：4
2006年
利用微圆盘电极技术,测定了KBr、L-胱氨酸和硫酸组成的刻蚀溶液体系中Pt电极表面电化学氧化产生的刻蚀剂Br2浓度分布,为约束刻蚀剂层技术(CELT)中刻蚀体系的选择和优化提供更直观的依据.GaAs表面CELT微加工实验证明了用微圆盘电极测得的表面刻蚀剂的浓度分布趋势与微加工实验所得到的结果一致.
汤儆马信洲何辉忠张力林密旋曲东升丁庆勇孙立宁
关键词：约束刻蚀剂层技术L-胱氨酸GAAS
ZnO纳米材料的合成、表征与气敏性质
ZnO由于氧的空位，使它具有半导体的性质，它的禁带宽度约为：3.2eV，属于一种宽禁带的氧化物半导体。它在很多方面都有所应用，如气体传感器、微电子器件、光催化、废水处理等。ZnO气体传感器可以检测各种易燃易爆、有毒有害气...
何辉忠
关键词：ZNO纳米材料氧化物半导体气体传感器CO掺杂化学合成
文献传递
一种片状氧化锌的制备方法
一种片状氧化锌的制备方法，涉及一种氧化锌，尤其是涉及一种具有分级结构的片状氧化锌纳米材料的制备方法，这种片状结构对乙醇气体都具有较高的灵敏度。提供一种具有高气敏灵敏度的片状氧化锌的制备方法。将无水醋酸锌分散在甘油中，再置...
谢兆雄何辉忠韩锡光匡勤郑兰荪
文献传递
一种片状氧化锌的制备方法
一种片状氧化锌的制备方法，涉及一种氧化锌，尤其是涉及一种具有分级结构的片状氧化锌纳米材料的制备方法，这种片状结构对乙醇气体都具有较高的灵敏度。提供一种具有高气敏灵敏度的片状氧化锌的制备方法。将无水醋酸锌分散在甘油中，再置...
谢兆雄何辉忠韩锡光匡勤郑兰荪
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