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文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇冶金工程

主题

  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇网带
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  • 2篇传送
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  • 1篇离子源
  • 1篇高阻

机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇佘鹏程
  • 3篇万喜新
  • 3篇邓斌
  • 3篇郭立
  • 2篇毛朝斌
  • 2篇程文进
  • 2篇胡凡
  • 2篇彭立波
  • 1篇张赛
  • 1篇陈特超
  • 1篇陈立宁
  • 1篇陈庆广
  • 1篇龚俊
  • 1篇陈长平
  • 1篇范江华

传媒

  • 6篇电子工业专用...

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 2篇2012
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种大型网带式玻璃退火炉传送系统设计被引量:1
2012年
介绍了一种大型网带式玻璃退火炉传送系统,论述了其设计方案和工作原理,着重阐述了双离合变速机构的设计以及相关计算等。
邓斌佘鹏程郭立万喜新
关键词:网带传送系统
矩形磁控溅射靶电磁场分析及优化被引量:1
2017年
对矩形溅射靶电磁场进行了仿真分析,优化设计,从而优化溅射靶表面电磁场分布,增大均匀沉膜区域范围,提高靶材利用率。
佘鹏程陈立宁程文进龚俊陈长平
关键词:磁控溅射电磁场
扫描式磁控溅射设备及工艺研究被引量:2
2017年
介绍了一种扫描式双腔连续生产型磁控溅射镀膜设备,通过研究不同溅射压强、溅射功率密度下金属薄膜的沉积速率以及沉膜均匀性,实验结果表明在溅射压强0.3 Pa、溅射功率密度9 W/cm^2的条件下沉积TiW薄膜的沉膜速率约41.5 nm/min,均匀性低于4%;沉积Cu薄膜的沉膜速率约95.2 nm/min,均匀性低于3%,符合电子器件镀膜工艺需求。
范江华胡凡彭立波程文进佘鹏程毛朝斌
关键词:磁控溅射
多靶磁控溅射镀膜设备及其特性被引量:2
2016年
介绍了一种多靶磁控溅射镀膜设备,阐述了镀膜室、工件台、阴极溅射靶、辅助离子源、真空系统等关键部件的设计思想。镀膜工艺结果显示,设备满足工艺要求,膜层均匀性优于±3%。
佘鹏程陈庆广胡凡陈特超彭立波张赛毛朝斌
关键词:磁控溅射离子源
大型网带式触摸屏玻璃退火炉的研制
2013年
介绍了一种大型网带式触摸屏玻璃退火炉的具体设计,对炉体功率分布、稳定均匀性保温设计做了详细的说明,通过温度测试,设备达到设计要求,保温区温度均匀性达到±2℃,温度稳定性为±1℃。
佘鹏程邓斌万喜新郭立
关键词:网带传送系统
新型晶硅电池快速烧结炉的研制被引量:1
2012年
介绍了新型晶硅电池快速烧结炉的研制,提出了适应高阻工艺的快速烧结炉在炉体结构特点、温度控制方式、快速降温冷却等几个方面的改进设计,来提高晶硅电池的转换效率,降低生产成本。根据此设计生产的新型晶硅电池快速烧结炉,应用于产业化晶硅电池的高阻工艺流程中,满足工艺要求,取得了较好的经济效益。
邓斌郭立万喜新佘鹏程
共1页<1>
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