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ZnGa_2O_4的制备及其光学性能被引量：5: 2005年; 　以GaO(OH)和ZnO为原料,采用高温固相法合成了ZnGa2O4荧光粉。对样品进行了XRD及发射光谱表征。当n(Ga)∶n(Zn) =2∶1 .2时,制得的ZnGa2O4为纯相;n(Ga)∶n(Zn) =2∶0. 9时合成的ZnGa2O4的发光性能最好,以GaO(OH)和ZnO为原料制备的ZnGa2O4,其发光强度是以α- Ga2O3或β- Ga2O3为原料制备的ZnGa2O4的发光强度的 2倍。; 刘素琴李朝建黄可龙张学英全玉

基于水热合成纳米氧化镓及镓酸锌的形貌与性能研究: 本文的研究工作主要是采用水热法以Ga(NO3)3为原料合成纳米氧化镓及其含氧酸盐。报道了在140℃的较低温度条件下添加表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(sodium dodecyl benzene sulfonate，SDBS...; 全玉; 关键词：纳米线发光性能氧化镓

纳米GaOOH及GaOOH:Eu^(3+)荧光粉的水热法合成及光学性能研究被引量：1: 2010年; 采用水热法添加醋酸钠制备了纳米羟基氧化镓(GaOOH)粉体和纳米GaOOH:Eu3+荧光粉,使用透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和荧光分光光度计对产物的形貌、晶相和发光性质进行了检测,结果发现醋酸钠(NaAc)在控制晶体粒径和形貌方面起到了非常重要的作用。在140℃水热条件下,未添加醋酸钠下得到的是纺锤体GaOOH,添加醋酸钠得到的是立方体块状GaOOH,在170℃水热条件下,添加醋酸钠得到的是纳米GaOOH粉体,平均粒径约为5nm,并简单讨论了不同形貌GaOOH的生长机制。比较不同温度添加醋酸钠制备的GaOOH:Eu3+荧光粉的发光性质发现,170℃得到的GaOOH:Eu3+发光强度>140℃的样品,不同掺杂浓度发光性能结果表明Eu3+浓度为10%(摩尔分数)发光强度最高,是已报道的掺杂浓度的4倍,在掺杂浓度为15%(摩尔分数)观察到了浓度猝灭现象。; 全玉李庄唐爱东黄可龙; 关键词：醋酸钠水热法

电感耦合等离子体质谱法检测氧化镓中杂质元素被引量：7: 2009年; 建立了电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定氧化镓中杂质元素的检测方法,采用微波消解技术溶样,以5 ng/mL Rh为内标补偿校正镓基体的抑制效应,采用碰撞室技术(CCT)消除多元素分子离子的干扰。方法的检出限为0.10～1.0 ng/mL,加标回收率在85%～110%之间,RSD为0.6%～7.1%。该方法能满足99.95%～99.995%氧化镓中杂质元素的分析要求。; 全玉; 关键词：ICP-MS 氧化镓微波消解

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