刘伟吉
- 作品数：17 被引量：30H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 量子线场效应晶体管的制备方法
- 本发明公开了一种量子线场效应晶体管的制备方法。该方法具有工艺简单，可重复性强，制造成本低等特点。量子线结构材料是利用分子束外延设备，通过控制生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等条件自组织实现的，它不涉及光刻、外延...
- 阎发旺梁春广张文俊李献杰张荣桂曾庆明熬金平刘伟吉
- 文献传递
- GaAs HBT直接耦合微波单片集成电路
- 叙述了基于GaAs HBT的直接耦合级联形式，设计制造的几种微波单片集成电路，包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果。
- 曾庆明徐晓春刘伟吉
- 关键词：砷化镓微波单片集成电路
- 文献传递
- 量子线场效应晶体管结构材料及器件制备方法
- 本发明公开了一种量子线场效应晶体管结构材料及器件制备方法。该方法具有工艺简单,可重复性强,制造成本低等特点。量子线结构材料是利用分子束外延设备,通过控制生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等条件自组织实现的,它不涉...
- 阎发旺梁春广张文俊李献杰张荣桂曾庆明熬金平刘伟吉
- 文献传递
- 超低功耗GaAs PHEMT跨阻前置放大器被引量：1
- 2002年
- 本文报导了光纤通信接收机中 Ga As PHEMT工艺前置放大器的设计方法与测试结果。此前置放大器采用单电源供电 ,由 1级放大器、2级源级跟随器和 1个反馈电阻组成。当前置放大器工作在 2 .5Gbit/ s时 ,跨阻可达 6 0 d BΩ。采用 +5 V电源供电 ,功耗为 110 m
- 王蓉王志功柯锡明敖金平李献杰刘伟吉
- 关键词：光接收机砷化镓跨阻前置放大器
- 高速AlGaAs/GaAs HBT D-触发器和静态分频器被引量：1
- 2003年
- 叙述了高速 Al Ga As/ Ga As HBT D-触发器和静态分频器的设计、制造和性能。用电流型逻辑和自对准工艺 ,D-触发器上升和下降时间都小于 80 ps,静态分频器在 0～
- 曾庆明徐晓春李献杰敖金平王全树郭建魁刘伟吉揭俊锋
- 关键词：静态分频器异质结双极晶体管
- AlGaN/GaN HEMT器件研究被引量：10
- 2000年
- 叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz。
- 曾庆明刘伟吉李献杰赵永林敖金平徐晓春吕长志
- 关键词：GANHEMTALGAN截止频率
- InP/InGaAs HBT湿法化学选择腐蚀技术被引量：2
- 2000年
- 用H3PO4：H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAsHBT制作，发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70，截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz.
- 李献杰曾庆明徐晓春敖金平刘伟吉梁春广
- 关键词：INPINGAASHBT湿法刻蚀
- 1.55μm光发射OEIC技术研究被引量：2
- 2002年
- 采用一种新的基于InP材料在 [0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术 ,设计并制作了带有 1.5 5 μm多量子阱激光器和InP/InGaAs异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路。在 1.5Gbit/s 2 2 3- 1伪随机码调制下器件有张开的眼图 ,光输出功率为 2dBm ,芯片功耗约 12 0mW。
- 李献杰曾庆明徐晓春刘伟吉敖金平王全树杨树人赵方海柯锡明王志功刘式墉梁春广
- 关键词：光发射光电集成电路INP
- WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET
- 2000年
- 发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850oC下退火，保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管。在1×50μm的HFET中，实现了最大跨导约为56mS/mm，阈值电压为3.5V。与p型HFET的－3V的阈值基本对称。反向击穿电压为4～5V。
- 刘伟吉曾庆明李献杰敖金平赵永林郭建魁徐晓春
- 关键词：场效应晶体管
- 单片集成长波长光接收机被引量：5
- 2002年
- 介绍了利用InGaAs长波长金属 半导体 金属 (MSM )光探测器与InAlAs/InGaAs高电子迁移率晶体管 (HEMT)集成来实现长波长单片集成光接收机的材料和电路设计、关键工艺途径等 ,解决了工艺兼容性问题 ,实现了 2 .
- 敖金平刘伟吉李献杰曾庆明赵永林乔树允徐晓春王全树
- 关键词：OEIC单片集成光接收机
