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刘天东

作品数:10 被引量:48H指数:3
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信动力工程及工程热物理自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇探测器
  • 6篇光电
  • 6篇光电探测
  • 6篇光电探测器
  • 5篇半导体
  • 4篇化合物半导体
  • 3篇砷化镓
  • 3篇光伏
  • 3篇INGAP/...
  • 2篇单晶
  • 2篇电池
  • 2篇砷化镓单晶
  • 2篇双色探测器
  • 2篇太阳电池
  • 2篇紫外线防护
  • 2篇光度测量
  • 2篇暗电流
  • 2篇PIN光电探...
  • 2篇INGAAS
  • 1篇短波红外

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇刘天东
  • 10篇李爱珍
  • 10篇张永刚
  • 4篇朱诚
  • 4篇郝国强
  • 3篇胡雨生
  • 3篇顾溢
  • 3篇洪婷
  • 3篇齐鸣
  • 2篇南矿军
  • 1篇刘家洲
  • 1篇李存才
  • 1篇胡建
  • 1篇朱福英

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2003
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
InGaAs PIN光电探测器的暗电流特性研究被引量:27
2004年
 从理论上分析了In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同掺杂浓度及反向偏压下的暗电流特性,并与研制的器件的实测结果进行了比较和讨论。模拟结果表明:在低偏压下,器件中的产生复合电流起主要作用,偏压增大时,隧道电流起主要作用,且In0.53Ga0.47As光吸收层的载流子浓度对器件的暗电流有很大的影响,实测器件特性与模拟结果完全符合。文中还对器件结面积和电极尺寸等对暗电流的影响进行了比较和分析。
郝国强张永刚刘天东李爱珍
关键词:光电探测器暗电流INGAAS化合物半导体
短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制被引量:13
2006年
采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征,结果表明在室温下其R0A乘积分别为765,10.3和12.7Ωcm2,比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级.瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作,实测响应速度已达数十ps量级.
张永刚顾溢朱诚郝国强李爱珍刘天东
关键词:光伏探测器短波红外INGAAS气态源分子束外延
InGaP/GaAs双结太阳电池
本文报道了我们设计研制的InGaP/GaAs双结太阳电池,电池的转换效率在22%~24%之间(1AM0,28℃),填充因子约80%。文中对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等方面的问题进行了讨论。
张永刚刘天东胡雨生朱诚南矿军洪婷李爱珍
关键词:光伏化合物半导体INGAP/GAAS
文献传递
高速光电探测器
张永刚李爱珍刘天东刘家洲郝国强顾溢李存才胡建
经5年来的不断努力,该课题的预定目标均已达到,并扩展了相关研究内容,在波长扩展探测器等方面取得了突破,全面超指标完成了预定计划。主要工作包括:设计了与LNA结构兼容的高速光电探测器结构,包括与HBT兼容的PIN结构及和H...
关键词:
关键词:光电探测器
采用砷化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法
本发明涉及基于砷化镓基含磷化合物半导体材料的紫外增强光电探测器及制作方法,其特征在于以半绝缘砷化镓单晶材料作为探测器的衬底,在其上采用外延方法生长特定的宽禁带含磷化合物薄膜材料作为有源光吸收层和窗口层,以达到紫外增强光吸...
张永刚刘天东李爱珍齐鸣
文献传递
采用砷化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法
张永刚刘天东李爱珍齐鸣
本发明涉及基于砷化镓基含磷化合物半导体材料的紫外增强光电探测器,包括以半绝缘砷化镓单晶材料作为探测器的衬底,在其上采用外延方法生长特定的宽禁带含磷化合物薄膜材料作为有源光吸收层和窗口层,以达到紫外增强光吸收效果并消除其对...
关键词:
关键词:含磷化合物半导体
InGaP/GaAs串接太阳电池的设计与研制被引量:1
2004年
研制了InGaP/GaAs串接太阳电池 ,结果表明 ,电池的转换效率在 2 1%~ 2 4%之间 ( 1AM0 ,2 8℃ ) ,填充因子在 79%~ 81%之间 ,并对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等进行了讨论。
张永刚刘天东朱诚洪婷胡雨生朱福英李爱珍
关键词:光伏化合物半导体INGAP/GAAS
采用砷化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法
本发明涉及基于砷化镓基含磷化合物半导体材料的紫外增强光电探测器及制作方法,其特征在于以半绝缘砷化镓单晶材料作为探测器的衬底,在其上采用外延方法生长特定的宽禁带含磷化合物薄膜材料作为有源光吸收层和窗口层,以达到紫外增强光吸...
张永刚刘天东李爱珍齐鸣
文献传递
In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN光电探测器的温度特性分析被引量:9
2005年
从理论和实验上分析了双异质结In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同的反向偏置电压下暗电流在甚宽温度范围内的温度特性。结果表明:在反向偏置低压与高压段,产生-复合电流与隧道电流(缺陷隧道电流与带带间隧道电流)分别占主导地位,并呈现出相应的温度特性。还从理论与实验两方面探讨了噪声对探测器R0A的影响,结果表明:在低温段,产生-复合噪声起主要作用,在高温段,俄歇复合噪声起主要作用。
郝国强张永刚顾溢刘天东李爱珍
关键词:光电探测器暗电流探测率温度特性
InGaP/GaAs双结太阳电池的研制被引量:3
2004年
报导了自行研制的InGaP/GaAs双结太阳电池,电池的转换效率在21%~24%之间(1AM0,28℃),填充因子在79%~82%之间。文中对其材料结构设计、器件工艺制作以及性能测量表征等方面的问题进行了讨论。
张永刚刘天东胡雨生朱诚南矿军洪婷李爱珍
关键词:光伏化合物半导体INGAP/GAAS
共1页<1>
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