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刘如彬

作品数:11 被引量:21H指数:3
供职机构:南开大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金长江学者和创新团队发展计划天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 5篇激光
  • 4篇量子
  • 4篇激光器
  • 3篇电子学
  • 3篇量子点
  • 3篇光电
  • 3篇光电子
  • 3篇光电子学
  • 3篇超短
  • 2篇应变量子阱
  • 2篇散射
  • 2篇腔面
  • 2篇外腔
  • 2篇脉冲
  • 2篇面发射
  • 2篇面发射激光器
  • 2篇激光技术
  • 2篇光技术
  • 2篇发射激光器
  • 2篇超短脉冲

机构

  • 11篇南开大学
  • 5篇中国科学院
  • 1篇天津师范大学

作者

  • 11篇刘如彬
  • 10篇姚江宏
  • 9篇王占国
  • 9篇舒强
  • 7篇舒永春
  • 6篇林耀望
  • 6篇张冠杰
  • 6篇许京军
  • 4篇邢晓东
  • 4篇皮彪
  • 3篇贾国治
  • 2篇陈涌海
  • 1篇柏天国
  • 1篇蔡莹
  • 1篇叶小玲
  • 1篇李丹
  • 1篇孙甲明
  • 1篇张春玲
  • 1篇陈琳
  • 1篇刘国梁

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇激光技术
  • 1篇激光杂志
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 5篇2006
  • 1篇2005
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
光抽运垂直外腔面发射激光器特性与研究进展被引量:4
2006年
介绍了光抽运半导体垂直外腔面发射激光器的结构特点、设计原理及其性能优势,综合评述该领域的最新研究进展,并探讨该类型激光器的发展前景和技术发展方向。
张冠杰舒永春刘如彬舒强林耀望姚江宏王占国许京军
关键词:光电子学垂直外腔面发射激光器光抽运超短脉冲
半导体可饱和吸收镜实现超短高功率脉冲激光研究进展被引量:7
2007年
介绍了半导体可饱和吸收镜(SESAM)的基本结构及使用半导体可饱和吸收镜被动锁模固态激光器的基本原理。综述了利用半导体可饱和吸收镜被动锁模薄片式固态激光器及光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器,获得高平均输出功率超短脉冲的最新进展,并指出量子点半导体可饱和吸收镜的使用将加速超短高功率脉冲的发展。
舒强舒永春刘如彬陈琳姚江宏许京军王占国
关键词:激光技术半导体可饱和吸收镜被动锁模
GaAs基低维应变异质结和多周期结构的MBE制备及特性研究
本论文'GaAs基低维应变异质结和多周期结构的MBE制备及特性研究”的内容包括:MBE系统原理与外延材料的表征方法、InGaAs/GaAs多量子阱的生长与光学性质研究、快速热退火对InGaAs/GaAs应变量子阱光学性质...
刘如彬
关键词:应变量子阱
文献传递
AlAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)的反射谱拟合与优化生长被引量:2
2005年
对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/A lAs反射镜的反射率曲线。利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之间的差异及其产生原因,实现了材料的优化生长,获得了反射率大于99%、中心波长和带宽接近理论计算值的DBR材料。该DBR的反射谱拟合与优化生长研究可应用于VCSEL和VECSEL激光器。
张冠杰舒永春皮彪姚江宏林耀望舒强刘如彬王占国许京军
关键词:分布布拉格反射镜高反射率
调制掺杂GaAs/AlGaAs2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究被引量:4
2006年
在掺Si的GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)结构中,得到μ2K=1·78×106cm2/(V·s)的高迁移率.在低温(2K)和高磁场(6T)的条件下,对样品进行红光辐照,观察到持久光电导(PPC)效应,电子浓度在光照后显著增加.通过整数量子霍尔效应(IQHE)和Shubnikov-de Haas(SdH)振荡的测量,研究了2DEG的子带电子特性.样品在低温光照后2DEG中第一子带和第二子带的电子浓度同时随电子总浓度的增加而增加;而且电子迁移率也明显提高.同时,通过整数霍尔平台的宽度对光照前后电子的量子寿命变短现象作了理论分析.
舒强舒永春张冠杰刘如彬姚江宏皮彪邢晓东林耀望许京军王占国
关键词:二维电子气量子霍尔效应
光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充
2007年
采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上,制备了InAs量子点,对样品进行原子力显微镜测试,统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明,在室温和77K下,小量子点的发光峰均占主导地位,原因可能是:(1)大量子点的态密度小于小量子点;(2)捕获载流子速率,大量子点小于小量子点;(3)大量子点与盖层存在较大的应变势垒和可能出现的位错和缺陷,导致温度变化引起载流子从小尺寸量子点转移到大尺寸的量子点中概率很小。
贾国治姚江宏张春玲舒强刘如彬叶小玲王占国
关键词:光致发光谱量子点
InP同质外延的不稳定生长:小丘的形成(英文)
2007年
用原子力显微镜研究了在不同的条件下采用固态磷源分子束外延技术生长的InP同质外延薄膜的表面形貌。在样品的表面观察到不稳定三维岛状生长。其主要原因有两种,第一种是生长温度较低时,由于吸附原子受到附加的ES台阶边垒的阻碍作用,使扩散运动不能向台阶下面运动,而在台阶上面形成小丘,第二种是生长温度较高或V/III较低时,因生长中缺磷造成In的堆积而产生。在合适的生长条件下,可获得了光滑的2D层状生长。
皮彪孙甲明林耀望姚江宏邢晓东蔡莹舒强贾国治刘如彬李丹王占国
关键词:原子力显微镜INP表面形貌
产生超短脉冲的光泵浦垂直外腔面发射激光器的研究进展被引量:2
2006年
光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)在产生超短脉冲方面显示了优越的特性,在脉冲宽度、平均输出功率和脉冲重复频率等方面都得到了与传统超短脉冲激光器可比的结果,显示出巨大的发展潜力。本文综合分析了用于产生超短脉冲的OPS-VECSEL的基本原理和最新研究进展,并探讨了该领域的发展方向和应用前景。
刘如彬舒永春张冠杰舒强林耀望姚江宏王占国
关键词:超短脉冲
俄歇复合对应变量子阱激光器阂值电流的影响被引量:1
2007年
通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应变量子阱激光器的转变温度要高;张应变量子阱激光器与压应变量子阱激光器相比,阈值电流更低,特征温度更高.
贾国治姚江宏刘国梁柏天国刘如彬邢晓东
关键词:光电子学应变量子阱阈值电流密度
InAlAs量子点材料的AFM和拉曼散射研究被引量:1
2006年
对分子束外延(MBE)自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜(AFM)对量子点形貌观察的结果,分析了InAlAs量子点生长过程中尺寸、密度和均匀性的改变,并研究了三维岛的结构对拉曼谱线的影响。对InAlAs淀积厚度不同样品的拉曼谱分析表明,岛状结构的尺寸横纵比与类GaAs LO模和类AlAs LO模的半高全宽有密切关系。不同偏振下的拉曼实验证实了该结构中的光学声子在Z(X,X)(?)偏振条件下为非拉曼活性。
张冠杰陈涌海姚江宏舒强刘如彬舒永春王占国许京军
关键词:光电子学与激光技术量子点拉曼散射声子
共2页<12>
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