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吴仁磊

作品数:6 被引量:1H指数:1
供职机构:天津理工大学理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇场效应
  • 4篇绝缘层
  • 3篇晶体管
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇有机场效应管
  • 2篇载流子
  • 2篇栅绝缘层
  • 2篇绝缘
  • 2篇并五苯
  • 2篇场效应管
  • 2篇衬底
  • 1篇电容
  • 1篇电位
  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧化铟锡
  • 1篇有机半导体
  • 1篇有机场效应晶...
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元方法
  • 1篇元方法

机构

  • 6篇天津理工大学

作者

  • 6篇吴仁磊
  • 5篇程晓曼
  • 2篇田海军
  • 2篇胡子阳
  • 2篇杜博群
  • 2篇梁晓宇
  • 2篇吴峰
  • 2篇赵庚
  • 2篇郑宏
  • 1篇王忠强
  • 1篇侯庆传
  • 1篇印寿根
  • 1篇王倩

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 1篇2009
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种底栅极垂直结构有机发光场效应晶体管及其制备方法
一种底栅极垂直结构有机发光场效应晶体管及其制备方法。有机发光效应晶体管为底栅极垂直结构,有机光发射单元垂直堆叠在电容单元上,通过一个共有的源电极构成,其结构依次为:衬底、栅电极、电介质绝缘层、源电极、氧化层、有机发光复合...
程晓曼胡子阳吴仁磊
文献传递
功能化有机场效应管的研究
有机场效应管(OFET)以其低成本且可大批量生产、制作工艺简单、机械柔性、重量轻、可大面积化及化学稳定性等优点,使得它在开关、智能卡、传感器、环形振荡器、平板显示、鉴别标签及集成电路等领域具有潜力的应用,引起了极大的关注...
吴仁磊
关键词:有机场效应管并五苯C60双极性功能化
文献传递
一种有机双极型场效应晶体管及其制备方法
一种有机双极型场效应晶体管,为在Al源、漏电极与P型有机半导体层之间插入V<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>修饰层的底栅中间接触结构,由衬底、栅电极、电介质绝缘层、P型有机半导体层、V<Sub>2</Su...
程晓曼赵庚田海军吴仁磊郑宏杜博群梁晓宇
文献传递
基于垂直结构的有机光发射晶体管制备与性能研究
2010年
制备了一种有机垂直光发射晶体管,兼具有机发光二极管的发光和晶体管的开关调节两个功能.其结构为一个有机发光单元垂直堆叠在一个电容单元上,两单元通过一个共有的源电极连在一起.当电容单元被充电时,积累在源电极的电荷能有效地调节源极与有机层之间的载流子注入势垒,从而达到控制源漏输出电流的大小,最终控制发光单元发光的强度.实验结果表明,器件可提供0.2mA的输出电流,其大小可驱动发光单元发光,工作电压(开启电压)为6V.这种垂直集成方案,实现了器件多功能化,为有机发光二极管有源矩阵驱动的实际应用提供了一种新的解决方法.
胡子阳程晓曼吴仁磊王忠强侯庆传印寿根
关键词:电容
聚合物栅绝缘层厚度对并五苯有机场效应管性能的影响被引量:1
2012年
采用不同厚度的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为栅绝缘层,制备了并五苯有机场效应晶体管(OFET)。测量了不同厚度的PMMA的介电特性,并详细分析了栅绝缘层厚度对器件性能的影响。其中,采用260nm厚的PMMA栅绝缘层的OFET具有比采用其它厚度的器件更优越的性能,其场效应迁移率、阈值电压与开关电流比分别达到3.39×10-3 cm2/Vs、-19V和103。
杜博群吴仁磊赵庚郑宏田海军梁晓宇吴峰程晓曼
关键词:场效应迁移率
基于有限元方法的有机场效应晶体管特性模拟与实验验证
2016年
采用有限元方法,借助多物理场软件COMSOL模拟了底栅顶接触结构有机场效应晶体管电位和载流子浓度随源漏电压Vds的变化。模拟结果表明,当固定栅压V_g=-10 V时,改变V_(ds)从0^-10 V,对于电位分布,从栅极到源漏电极竖直方向有渐进的变化,而从源极到漏极的水平方向呈现由大到小明显的梯度变化。对于载流子浓度,观察到沟道处从源极向漏极逐渐减少,在靠近漏极的区域减少得尤为明显,而当源漏电压等于栅极电压时,产生夹断现象。进一步将模拟结果与实际制备的器件性能进行了对比,模拟结果与实验数据所显示的分布趋势大体相同,印证了模拟的合理性。由此表明,采用模拟方法分析有机场效应晶体管的器件特性,对于实际制备器件具有重要的指导意义。
王倩吴仁磊吴峰程晓曼
关键词:有机场效应晶体管有限元方法电位载流子
共1页<1>
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