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吴利华

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 8篇感器
  • 8篇传感
  • 8篇传感器
  • 4篇光伏效应
  • 4篇光学
  • 4篇光学传感器
  • 3篇电器件
  • 3篇异质结
  • 3篇光电
  • 3篇光电器件
  • 2篇电导
  • 2篇多层结构
  • 2篇原子扩散
  • 2篇真空镀膜
  • 2篇碳膜
  • 2篇漂洗
  • 2篇颗粒膜
  • 2篇基片
  • 2篇硅基
  • 2篇非晶

机构

  • 10篇清华大学

作者

  • 10篇吴利华
  • 9篇章晓中
  • 9篇万蔡华
  • 4篇张歆
  • 4篇高熙礼
  • 2篇王集敏
  • 2篇谈国太
  • 1篇于奕
  • 1篇谭新玉

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2013
  • 4篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
激光脉冲沉积法制备白光光电导效应的掺铁的碳薄膜材料
本发明属于光学传感器和光电器件材料技术领域的激光脉冲沉积法制备白光光电导效应的掺铁的碳薄膜材料。将Si(100)基片、高纯C靶以及Fe靶放入激光脉冲沉积设备的真空镀膜室内，抽真空至小于8×10<Sup>-4</Sup>P...
章晓中万蔡华高熙礼张歆吴利华
文献传递
具有室温低场巨磁电阻效应的Co<Sub>x</Sub>C<Sub>1－x</Sub>/Co/Si多层结构颗粒膜材料
本发明公开了属于磁学量传感器材料的具有室温低场巨磁电阻效应的Co<Sub>x</Sub>C<Sub>1－x</Sub>/Co/Si多层结构颗粒膜材料。用激光脉冲沉积方法在晶格取向100的n－Si基片上先后沉积一层Co和一...
章晓中谈国太张歆吴利华万蔡华
文献传递
一种具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法
本发明公开了属于光学传感器和光电器件材料技术领域的一种具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法。本发明真空为10<Sup>-4</Sup>Pa量级条件下，在沉积温度：300℃～500℃下，在n-Si(100)基片上了...
章晓中吴利华万蔡华
文献传递
一种硅基几何巨磁电阻器件及其制备方法
本发明公开了属于磁场检测和磁场传感器材料以及器件技术领域的一种硅基几何巨磁电阻器件及其制备方法。该硅基巨磁阻器件在单晶Si(100)基片表面设有氧化层，在氧化层上设置四个电极。四个电极的几何配置为矩形。制备时将n型Si基...
章晓中万蔡华高熙礼王集敏吴利华
文献传递
激光脉冲沉积法制备白光光电导效应的掺铁碳薄膜材料
本发明属于光学传感器和光电器件材料技术领域的激光脉冲沉积法制备白光光电导效应的掺铁碳薄膜材料。将Si(100)基片、高纯C靶以及Fe靶放入激光脉冲沉积设备的真空镀膜室内，抽真空至小于8×10<Sup>－4</Sup>Pa...
章晓中万蔡华高熙礼张歆吴利华
文献传递
具有室温低场巨磁电阻效应的Co<Sub>x</Sub>C<Sub>1-x</Sub>/Co/Si多层结构颗粒膜材料
本发明公开了属于磁学量传感器材料的具有室温低场巨磁电阻效应的Co<Sub>x</Sub>C<Sub>1-x</Sub>/Co/Si多层结构颗粒膜材料。用激光脉冲沉积方法在晶格取向100的n-Si基片上先后沉积一层Co和一...
章晓中谈国太张歆吴利华万蔡华
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非晶碳膜/单晶硅基异质结的电输运和磁电阻
吴利华
关键词：非晶碳膜单晶硅磁电阻脉冲磁场光伏效应
一种具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法
本发明公开了属于光学传感器和光电器件材料技术领域的一种具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法。本发明真空为10<Sup>-4</Sup>Pa量级条件下，在沉积温度：300℃～500℃下，在n-Si(100)基片上了...
章晓中吴利华万蔡华
a-C：Fe/AlOx/Si基异质结的光伏效应
2011年
使用脉冲激光沉积(PLD)依次沉积氧化铝和碳膜制备了a-C:Fe/AlOx/Si基异质结,研究了其光伏效应及其在太阳能电池上的应用.该太阳能电池在标准日光照射(AM1.5,100mW/cm2)下,可获得0.33V的开路电压和4.5mA/cm2的电流密度,太阳能电池的转换效率为0.35%.通过C-V测量,证明了氧化铝层的引入降低了界面能级数目,增加了界面势垒高度.界面能级数目降低减少了光生载流子在界面复合的概率,有利于光电流和光电压的产生.
吴利华章晓中于奕万蔡华谭新玉
关键词：光伏效应非晶碳膜异质结
一种硅基几何巨磁电阻器件及其制备方法
本发明公开了属于磁场检测和磁场传感器材料以及器件技术领域的一种硅基几何巨磁电阻器件及其制备方法。该硅基巨磁阻器件在单晶Si(100)基片表面设有氧化层，在氧化层上设置4个电极。4个电极的几何配置为矩形。制备时将n型Si基...
章晓中万蔡华高熙礼王集敏吴利华
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