- PDP驱动芯片用RSDS接口电路设计
- 2008年
- 介绍了一种基于RSDS(减小摆幅差分信号传输)信号传输标准的PDP驱动芯片用接口电路设计,它包括PMOSFET输入CMOS差分放大器和电压源偏置电路。文章重点讨论了PMOSFET输入CMOS差分放大器的差模工作原理及影响其差模增益的因素。Spectre仿真结果表明,本文设计的RSDS接受器电路在输入信号频率为200MHz的情况下能正常工作,实现了由RSDS信号转换为LVCMOS信号的功能。目前该接口电路已经应用于一款PDP驱动芯片中,作为高速数据传输接口。
- 华国环吴虹孙伟锋
- 关键词：偏置电路
- PDP驱动芯片用能量恢复电路的设计被引量：1
- 2008年
- 主要提出了一种基于PDP驱动芯片的能量恢复电路,该电路利用将各个输出端通过控制高压开关管连接在一起进行电荷共享的原理,经过Hspice仿真验证具有完整的功能,并在CSMC0.5μmCMOS工艺下得到实现。仿真结果表明这种能量恢复电路不仅可以显著降低驱动芯片的能量损耗,并且具有结构简单的特点,目前被应用于一款等离子电视的列驱动芯片中,降低芯片功耗,提高芯片工作的稳定性。
- 庄华龙吴虹孙伟锋
- 关键词：电荷共享PDP驱动芯片
- 等离子平板显示器驱动芯片结构
- 本实用新型公开了一种等离子平板显示器驱动芯片结构，适用于等离子平板显示器列选址驱动芯片和等离子平板显示器行扫描驱动芯片，芯片结构包括P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有高压－P型横向金属氧化物半导体管...
- 李海松吴虹孙伟锋易扬波时龙兴
- 文献传递
- 中美规范偏心支撑钢框架结构抗震设计对比研究
- 近些年，偏心支撑钢框架结构在中美两国高烈度区得到越来越广泛地应用。考虑到美国规范体系在国际上的先进性，本文对比研究了中美两国偏心支撑钢框架抗震设计方法的异同以及抗震性能的优劣，这对进一步完善我国钢结构抗震设计规范具有重要...
- 吴虹
- 关键词：偏心支撑钢框架抗震设计弹塑性分析
- 无电阻低压低温漂的CMOS基准电压源被引量：1
- 2010年
- 结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管，提出一种纯MOS结构的基准电压源，其结构能有效补偿MOS管的栽流子迁移率和亚闽值斜率的温度系数。基于SMIC0．13μm的CMOS工艺的仿真结果表明，在-5-90℃的范围内。输出电压的温度系数为5ppm／℃。在室温时，整个电路能在低到0．9V的电源电压下工作并消耗0．68μW的功耗。
- 管佳伟吴虹孙伟锋
- 关键词：基准电压源温度补偿载流子迁移率
- 沟槽高压N型金属氧化物半导体管及其制备工艺
- 本发明公开了一种沟槽高压N型金属氧化物半导体管，包括兼做衬底的N型漏区，在N型漏区上设有N型外延，在N型外延上设有P型阱，在P型阱上设有N型源区和P型接触孔，在P型阱及N型外延内设有沟槽，在沟槽内填充有二氧化硅，在沟槽内...
- 孙伟锋吴虹戈喆易扬波陆生礼时龙兴
- 文献传递
- 等离子平板显示器驱动芯片结构及其制备方法
- 本发明公开了一种等离子平板显示器驱动芯片结构及制备方法，适用于等离子平板显示器列选址驱动芯片和等离子平板显示器行扫描驱动芯片，芯片结构包括P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有高压－P型横向金属氧化物半...
- 李海松吴虹孙伟锋易扬波时龙兴
- 文献传递
- 抗电磁干扰低功耗高压驱动电路
- 本发明提供一种抗电磁干扰低功耗高压驱动电路，包含电平转换级(1)、缓冲级(2)、高压输出级(3)，第一、第二控制信号(LV1、LV2)接电平转换级(1)，电平转换级(1)的输出(HV2)和第三控制信号(LV3_1、LV3...
- 李海松吴虹孙伟锋易扬波时龙兴
- 文献传递
- BiCMOS工艺中VNPN晶体管的优化设计
- 2008年
- BiCMOS工艺对晶体管的工艺条件设计提出了更高的要求。结合实际BiCMOS工艺,借助专业TCAD模拟软件ISE,模拟了晶体管基区注入和退火等工艺条件对VNPN晶体管的电流增益β和击穿电压BVCEO的影响,给出了优化的设计方案。在线流片结果表明优化后:晶体管β=47,[BV]CEO=9.5V,达到了低频功率晶体管的应用要求,同时保证了BiC-MOS工艺中的CMOS器件性能不变,并且工艺稳定可在线量产。因此这种优化设计是可取的。
- 吕海凤李海松吴虹孙伟锋
- 关键词：BICMOSTCAD
- 等离子平板显示器驱动芯片结构及其制备方法
- 本发明公开了一种等离子平板显示器驱动芯片结构及制备方法，适用于等离子平板显示器列选址驱动芯片和等离子平板显示器行扫描驱动芯片，芯片结构包括P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有高压-P型横向金属氧化物半...
- 李海松吴虹孙伟锋易扬波时龙兴
- 文献传递
