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姚国亮

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇中文专利

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 14篇半导体
  • 10篇半导体器件
  • 8篇漂移
  • 8篇功率器件
  • 8篇半导体功率器...
  • 6篇导电类型
  • 6篇掩模
  • 6篇有源
  • 6篇绝缘
  • 6篇绝缘介质
  • 6篇槽栅
  • 4篇离子注入
  • 4篇功率MOSF...
  • 4篇MOSFET...
  • 2篇导电
  • 2篇导电材料
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷平衡
  • 2篇电路
  • 2篇电阻

机构

  • 16篇电子科技大学

作者

  • 16篇姚国亮
  • 16篇罗小蓉
  • 14篇雷天飞
  • 14篇王元刚
  • 10篇张波
  • 8篇陈曦
  • 8篇葛瑞
  • 6篇李肇基
  • 2篇王骁玮
  • 2篇罗尹春
  • 2篇李泽宏
  • 2篇王琦
  • 2篇蒋永恒
  • 2篇邓小川
  • 2篇范远航
  • 2篇范叶
  • 2篇周坤
  • 2篇王沛
  • 2篇胡夏融
  • 2篇蔡金勇

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 7篇2011
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
槽型半导体功率器件
本发明涉及一种半导体器件，该器件包括半导体衬底，所述半导体衬底上是半导体漂移区，所述半导体漂移区包括第一导电类型的半导体区和第二导电类型的半导体区，所述第一导电类型的半导体区和所述第二导电类型的半导体区形成超结结构。所述...
罗小蓉姚国亮雷天飞王元刚张波
一种具有高K介质槽的半导体功率器件
一种具有高K介质槽的半导体功率器件，属于功率半导体器件技术领域。器件包括半导体衬底、半导体衬底上的半导体漂移区、半导体漂移区上的有源区和槽栅结构；所述半导体漂移区包括导电类型相同的第一、第二半导体区，所述第二半导体区的掺...
罗小蓉姚国亮王元刚雷天飞陈曦葛瑞张波李肇基
超结结构和超结半导体器件的制造方法
本发明公开了一种超结结构和超结半导体器件的制造方法，通过刻蚀沟槽、小倾角离子注入、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等工艺关键步骤形成新型半导体超结及超结器件。相对于现有技术，本发明具有以下优点：第一，避免采用...
罗小蓉姚国亮王元刚雷天飞葛瑞陈曦
一种双栅功率MOSFET器件
一种双栅功率MOSFET器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在普通双栅LDMOS器件的基础上，通过将与漏极金属相连的漏极接触区向有源层下方延伸，形成纵向漏极接触区（12a），并在有源层和衬底之间引入一层与纵向漏极接触...
罗小蓉周坤姚国亮蒋永恒王沛王琦罗尹春蔡金勇范叶范远航王骁玮
文献传递
具有延伸沟槽的超结半导体器件的制造方法
本发明公开了一种新型具有延伸沟槽的超结半导体器件的制造方法，通过多次外延多次注入、刻蚀延伸沟槽、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等关键工艺步骤，实现了一种新型超结结构和超结半导体器件的工艺制造。相对于现有技术...
罗小蓉王元刚姚国亮雷天飞葛瑞陈曦
文献传递
槽型半导体功率器件
本发明涉及一种半导体器件，该器件包括半导体衬底，所述半导体衬底上是半导体漂移区，所述半导体漂移区包括第一导电类型的半导体区和第二导电类型的半导体区，所述第一导电类型的半导体区和所述第二导电类型的半导体区形成超结结构。所述...
罗小蓉姚国亮雷天飞王元刚张波
文献传递
一种具有高K介质槽的半导体功率器件
一种具有高K介质槽的半导体功率器件，属于功率半导体器件技术领域。器件包括半导体衬底、半导体衬底上的半导体漂移区、半导体漂移区上的有源区和槽栅结构；所述半导体漂移区包括导电类型相同的第一、第二半导体区，所述第二半导体区的掺...
罗小蓉姚国亮王元刚雷天飞陈曦葛瑞张波李肇基
文献传递
SOI横向MOSFET器件和集成电路
本发明提供一种SOI横向MOSFET器件和集成电路，所述器件中，有源层(3)包括分别位于有源层(3)的表面并且相互分离的体区(9)和漏区(12)、以及位于体区(9)的表面并且从靠近漏区(12)的一侧起按顺序设置的平面栅沟...
罗小蓉姚国亮雷天飞王元刚张波李肇基
一种槽型纵向半导体器件的制造方法
一种槽型纵向半导体器件的制造方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明通过刻蚀深槽、高温扩散、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等关键工艺步骤，实现了一种一种槽型纵向半导体器件的工艺制造。相对于已有的工艺，本发明...
罗小蓉王元刚姚国亮雷天飞葛瑞陈曦张波李肇基
文献传递
超结结构和超结半导体器件的制造方法
本发明公开了一种超结结构和超结半导体器件的制造方法，通过刻蚀沟槽、小倾角离子注入、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等工艺关键步骤形成新型半导体超结及超结器件。相对于现有技术，本发明具有以下优点：第一，避免采用...
罗小蓉姚国亮王元刚雷天飞葛瑞陈曦
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