崔晨
- 作品数：1 被引量：2H指数：1
- 供职机构：厦门大学化学化工学院化学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 不同类型GaAs上应用约束刻蚀剂层技术进行电化学微加工被引量：2
- 2009年
- 应用约束刻蚀剂层技术(CELT)对GaAs进行电化学微加工.研究了刻蚀溶液体系中各组成的浓度比例、GaAs类型、掺杂以及阳极腐蚀过程对GaAs刻蚀加工过程的影响.循环伏安实验表明,Br-可以通过电化学反应生成Br2作为刻蚀剂,L-胱氨酸可作为有效的捕捉剂.CELT中刻蚀剂层被紧紧束缚于模板表面,模板和工件之间的距离小于刻蚀剂层的厚度时,刻蚀剂可以对GaAs进行加工.利用表面具有微凸半球阵列的导电模板,可以在不同类型GaAs上加工得到微孔阵列.实验结果表明:在相同刻蚀条件下,GaAs的加工分辨率与刻蚀体系中各组分的浓度比例有关,刻蚀结构的尺寸随着刻蚀剂与捕捉剂浓度比的增加而增大;在加工过程中,p-GaAs相对于n-GaAs和无掺杂GaAs受到阳极氧化过程的影响较为显著,p-GaAs表面易生成氧化物层,影响电化学微加工过程.X射线光电子能谱(XPS)和极化曲线实验也证明了这一点.
- 汤儆王文华庄金亮崔晨
- 关键词：阳极溶解砷化镓约束刻蚀剂层技术
