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左然

作品数：110 被引量：304H指数：11
供职机构：江苏大学能源与动力工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术动力工程及工程热物理更多>>

合作作者

文献类型

  • 78篇期刊文章
  • 30篇会议论文

领域

  • 38篇电子电信
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  • 1篇电气工程
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  • 1篇农业科学
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主题

  • 47篇数值模拟
  • 47篇值模拟
  • 32篇MOCVD
  • 25篇GAN
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  • 16篇太阳能
  • 16篇MOCVD生...
  • 14篇数值模拟研究
  • 14篇集热
  • 14篇集热器
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  • 12篇ALN
  • 11篇气相
  • 11篇密度泛函
  • 11篇泛函
  • 10篇密度泛函理论
  • 10篇化学反应
  • 10篇泛函理论
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机构

  • 108篇江苏大学
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作者

  • 108篇左然
  • 23篇苏文佳
  • 16篇于海群
  • 13篇张红
  • 10篇张志强
  • 9篇李平
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  • 4篇师珺草
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  • 3篇刘方方
  • 3篇段清彬

传媒

  • 37篇人工晶体学报
  • 5篇材料导报
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  • 4篇化工学报
  • 4篇第13届全国...
  • 2篇节能技术
  • 2篇太阳能学报
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  • 1篇中国照明电器
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年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 5篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 9篇2015
  • 10篇2014
  • 7篇2013
  • 11篇2012
  • 10篇2011
  • 12篇2010
  • 6篇2009
  • 7篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2006
  • 6篇2005
  • 2篇2004
共 110 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MOCVD反应器的优化设计与最佳生长参数
以氮化镓为代表的化合物半导体薄膜材料,在半导体照明、大功率激光器、大功率电子器件等领域具有巨大的应用价值,因此成为国际上高科技领域的竞争热点。金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备氮化镓薄膜器件的关键工艺,其中的反应器...
左然
文献传递
MOCVD化学反应路径分析及数值模拟
2010年
针对GaN薄膜沉积过程中涉及到的复杂的化学反应,依据GaN沉积的4个基本要素,提出MMG是GaN薄膜沉积的主要反应前体,并在TMG的气相分解路径中引入NH2基团。通过对表面反应机理的分析,提出了4条简化的表面反应路径。利用上述反应路径,对典型的垂直式MOCVD反应器进行CFD模拟。结果表明,采用作者提出的反应路径所获得的GaN沉积速率与文献中的实验数据基本吻合。
陈景升左然于海群彭鑫鑫
关键词：GAN生长MMG数值模拟
MOCVD生长InN气相反应路径的量子化学研究被引量：1
2022年
利用量子化学的密度泛函理论,对MOCVD生长InN的气相反应路径进行较全面的计算分析,通过计算不同温度下各反应的Gibbs能差和反应能垒,分别从热力学和动力学角度确定从TMIn/NH_(3)生长InN的主要气相反应路径。研究发现:当载气为N_(2)时,InN生长的气相反应路径主要为热解路径与加合路径的竞争。在高温(T>873.0 K)时以TMIn的热解为主,在低温(T<602.4 K)时以TMIn与NH_(3)的加合反应为主,在中温(602.4 K
何晓崐薛园左然
关键词：密度泛函INN气相反应MOCVD
热交换法蓝宝石晶体生长的数值模拟研究被引量：1
2016年
针对热交换法蓝宝石晶体各生长阶段的温场、流场和热应力进行数值模拟研究,并讨论了上部保温层结构、热交换器内管高度对晶体生长的影响。结果表明:长晶初期,固液界面呈椭球形;等径阶段,固液界面平坦,晶体与坩埚壁不接触;长晶后期,中心轴向晶体生长速率增加,晶体中心首先冒出熔体液面。随晶体高度增加,熔体对流由初期的两个涡胞变为等径阶段的一个涡胞,最大对流速度量级为10-3m/s。晶体中最大热应力分布在晶体底部,热应力分布呈W型。增加炉体上部保温层,长晶后期固液界面变得平坦;降低热交换器内管高度,有利于降低晶体底部热应力。
陈松松左然狄晨莹苏文佳
关键词：蓝宝石晶体生长数值模拟热应力
直拉法单晶硅生长中的流动及其影响
总结了熔体中生长直拉硅单晶的基本控制要求,讨论了Cz法单晶生长中的各种流动及其对硅单晶生长的影响。借助于计算机模拟结果,显示了几种抑制热对流、优化单晶生长条件的方法。
左然Vladimir Kalaev张东亮汪钉崇
关键词：晶体生长直拉硅热对流仿真
文献传递
径向三重流MOCVD反应器生长GaN的数值模拟被引量：1
2009年
采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备三重进口行星式MOCVD(金属有机物化学气相沉积)反应室中的输运过程进行了二维数值模拟。从浓度场的角度分析反应器内衬底上方NH3和TMGa的浓度影响因素。根据对模拟结果的分析,发现较均匀的流场对应衬底上方的反应物浓度较高,降低反应器内压强,也可获得衬底上方较高的反应物浓度,由于MOCVD反应器内有较大的温差,因此热扩散效应不能忽视。
张红左然
关键词：MOCVDGAN数值模拟
MOCVD水平式反应器中热泳力对沉积过程中反应前体浓度分布的影响分析及数值模拟被引量：3
2011年
在MOCVD反应器中,针对GaN生长中的TMGa分子,推导出热泳力、热泳速度以及扩散速度的计算公式。在低温区,热泳速度大于扩散速度;在高温区则相反。影响热泳力的主要因素为温度梯度和分子直径。水平式反应器内,粒子同时受到热泳速度和扩散速度的影响。在只考虑组分输运以及包括化学反应等两种情况下,通过改变反应器上壁面温度,模拟得到水平式反应器中热泳力对沉积速率以及反应物粒子浓度分布的影响。并与文献中的实验数据对比,验证了模拟结果的正确性。结果显示,由于热泳力的影响,在相同操作条件下高温区H2等小直径粒子的质量分数增大、TMGa和NH3等大分子粒子的质量分数减小。从提高生长速率的角度,需减小上下壁面温度梯度;从沉积均匀性的角度,应使到达下游的反应粒子数增多,故需增大上下壁面温度梯度。
于海群左然陈景升彭鑫鑫
关键词：MOCVD温度梯度生长速率数值模拟
磁场在晶体生长中的应用被引量：5
2014年
针对磁场在晶体生长中的应用,综述了近年来该领域数值模拟和实验研究的进展,包括静态磁场和动态磁场的产生原理及其在晶体生长中的效应。分析了晶体生长过程中存在的主要流动。综述了晶体生长过程中磁场力对导电熔体对流、固液界面形貌和杂质分布的影响,重点分析了磁场在直拉法单晶硅和定向凝固法多晶硅生长过程中的应用,总结了该领域当前存在的问题及其发展趋势。
狄晨莹左然苏文佳
关键词：动态磁场晶体生长单晶硅多晶硅
MOCVD生长AlGaN的热力学分析
GaN基半导体材料是重要的宽禁带直接带隙半导体材料,Al_xGa_(1-x)N薄膜在蓝绿和紫外光电器件以及大功率高频电子器件中得到广泛应用。AlN和GaN都为六方晶格,两者晶格失配较小,且共价半径差也较小,Al_xGa_...
张墨左然
关键词：MOCVDALGAN热力学模型相图
太阳能空气集热器的蜂窝结构试验研究
本文介绍了一种用于太阳能建筑采暖的平板式空气集热器,以及对太阳能集热器中透明蜂窝结构抑制热损失作用进行的实验测量。通过对不同蜂窝结构盖板的集热器实验测量,发现小尺寸蜂窝能够抑制热对流所减少的热损失,但是由于遮光和增加热传...
段清彬左然张立平
关键词：建筑供暖清洁能源太阳能采暖
文献传递
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