张俊艳
- 作品数：10 被引量：29H指数：3
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院电子学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 基于单根砷掺杂氧化锌纳米线的电学及光学特性
- 由于具有较宽的带隙(3.37 eV)和室温下较大的激子结合能(60 meV),氧化锌被视为构建近紫外发光二极管和激光器件的最有应用前景的候选材料之一。一般的非掺杂氧化锌呈 n 型导电类型, 由于自补偿效应、低溶解度、深缺...
- 张俊艳邓天松沈昕朱孔涛张琦锋吴锦雷
- 文献传递
- 基于氧化锌纳米线的紫外发光二极管
- 随着信息科学技术的高速发展,特别是超高速运算和超高密度信息存储技术的需要,基于宽禁带半导体材料的电子器件已经成为科学家们研究的热点。继第三代半导体材料GaN之后,ZnO材料以其合适的禁带宽度,较高的激子束缚能,低廉的价格...
- 孙晖张琦锋张文静张俊艳沈昕孙明华王全邓天松吴锦雷
- 文献传递
- ZnO光子晶体的制备和光学特征被引量：11
- 2007年
- 通过制备过程中严格分离晶核的形成和生长两步骤,成功获取了直径一致的单分散ZnO胶体球,并通过控制晶核的数量来调节胶体球大小.利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其进行了结构和成分表征.通过加热条件下的重力场自组装,把ZnO单分散胶体球的浓缩液滴到140℃下的各种不同的基底上,随着溶剂蒸发。胶体球自组装成光子晶体,最后测量了光子晶体的光透过率,胶体球直径为220、250 nm的光子晶体分别具有对应着中心波长为460、540 nm的光子带隙.
- 王全张琦锋孙晖张俊艳邓天松吴锦雷
- 关键词：ZNO光子晶体光子带隙
- 水溶液中单步合成杂化SiO2高单分散小球及其自组装效应
- 近年来,有机-无机杂化材料在表面功能化,生物催化和化学偶联等方面得到了广泛应用。因此, 设计并合成有机-无机杂化材料,在化学合成领域引起了极大关注。SiO单分散小球,在制备光子晶体中应用广泛。对 SiO小球表面修饰,能改...
- 邓天松张俊艳沈昕朱孔涛张琦锋吴锦雷
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- 一维纳米结构氧化锌材料的气相沉积制备及生长特性研究
- ZnO是一种可用于室温或更高温度下的紫外发光材料,纳米结构的ZnO(如单晶薄膜、纳米粒子膜、纳米线和纳米带等)则更是在紫外激光发射领域显示了独到的优势,被认为是有望构造短波长半导体激光器的理想材料。本文对一维ZnO 纳米...
- 张琦锋孙晖潘光虎张俊艳刘惟敏薛增泉吴锦雷
- 关键词：氧化锌纳米线
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- ZnO纳米线异质结的构建
- 纳米尺度的ZnO同质结发光器件正受到越来越多人的关注。一般我们生长得到的ZnO纳米线是n 型的,由于自补偿,低溶解度,深缺陷能级,结构双稳性等等原因使得ZnO的P型掺杂非常困难的。近几年来,很多小组已经利用I和V族元素作...
- 孙明华张琦锋孙晖张文静沈昕张俊艳邓天松王全吴锦雷
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- 砷掺杂的ZnO纳米线的发光特性被引量：10
- 2006年
- 在GaAs基底上制备了高质量的直径为10-100 nm、长度约几个微米的As掺杂ZnO纳米线．扫描电镜、EDX分析及透射电镜分析显示,ZnO纳米线具有较好的晶态结构．对As掺杂前后的ZnO纳米线进行光学特性测量,结果表明,ZnO纳米线在385 nm处有较强的紫外发光峰,在505 nm左右有较弱的蓝绿发光峰:As掺杂较大地改变了ZnO纳米线的发光性质,使本征发光峰移到393 nm处,蓝绿发光强度有了很大程度的提高．
- 潘光虎张琦锋张俊艳吴锦雷
- 关键词：氧化锌纳米线掺杂发光特性
- 一维纳米结构氧化锌材料的气相沉积制备及生长特性研究被引量：2
- 2006年
- ZnO是一种可用于室温或更高温度下的紫外发光材料,纳米结构的ZnO(如单晶薄膜、纳米粒子膜、纳米线和纳米带等)则更是在紫外激光发射领域显示了独到的优势,被认为是有望构造短波长半导体激光器的理想材料.本文对一维ZnO纳米结构(纳米线、纳米管和纳米带)的真空物理气相沉积制备技术及生长机理进行了初步探讨.
- 张琦锋孙晖潘光虎张俊艳刘惟敏薛增泉吴锦雷
- 关键词：氧化锌纳米线
- 多壁碳纳米管场效应管的双极性电学输运特性
- 自从1998年,第一次成功制备出碳纳米管场效应管(CNTFET),CNTFET的各方面的性能得到了广泛的研究。2001年,Avouris小组发现当采用更薄、更高介电常数的介质作为门电极和碳管间的绝缘层时,与原来单一特性C...
- 张文静张琦锋沈昕孙晖张俊艳王全孙明华邓天松吴锦雷
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- 单根砷掺杂氧化锌纳米线场效应晶体管的电学及光学特性被引量：6
- 2009年
- 采用化学气相沉积(CVD)的方法在砷化镓基底上合成直径为20nm左右、长约数十微米的氧化锌纳米线,然后采用热扩散的方法,将生长于砷化镓基底之上的氧化锌纳米线通过600℃,30min的有氧退火处理后,获得了砷掺杂的氧化锌纳米线.将获得的掺杂后的氧化锌纳米线采用电子束曝光以及真空溅射镀膜的方法将钛/金合金作为接触电极引出,从而构建成场效应晶体管.文中研究了单根氧化锌纳米线砷掺杂前后的电学特性,证实了通过砷掺杂来获得p型的氧化锌纳米线的可行性.构建的p型砷掺杂氧化锌场效应晶体管的跨导为35nA/V,载流子浓度为1.4×1018cm-3,迁移率为6.0cm2/V.s.测得单根砷掺杂氧化锌纳米线的光致发光谱:源于氧化锌近带边激子复合所产生的位于383nm处的近紫外光尖峰,由缺陷能级辐射所产生的位于580nm附近的黄绿光带以及掺杂所形成的AsZn-2VZn浅受主能级所引出的红光波段.这些电学及光学特性的研究将为获得基于单根氧化锌纳米线同质结的电致发光器件及逻辑器件的构建奠定基础.
- 张俊艳邓天松沈昕朱孔涛张琦锋吴锦雷
- 关键词：场效应晶体管光致发光
