张兵坡
- 作品数：18 被引量：23H指数：3
- 供职机构：浙江大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学生物学一般工业技术更多>>
- 一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构
- 本发明具体涉及一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构。本发明是一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构，所述的二维电子气结构是CdTe沿其晶体的极性面（111），（100）和（211）生长在PbTe表面上或...
- 吴惠桢蔡春锋金树强张兵坡
- 文献传递
- CdTe/PbTe(111)极性异质界面处二维电子气的证实
- 实验上发现,半绝缘的CdTe外延生长在PbTe(111)上时,CdTe薄膜表现出很好的导电性质,霍尔效应测量出的载流子面密度可达1 013 cm-2量级.利用该特殊性质,在实验上已经实现了中红外发光的表面等离子体共振荧光...
- 张兵坡朱贺吴惠桢
- 闪锌矿CdTe/盐岩矿PbTe异质结界面二维电子气的量子振荡
- 吴惠桢张兵坡叶振宇袁辉球
- 分子束外延PbTe(111)薄膜表面上的规则缺陷结构研究
- PbTe是一种窄禁带半导体,室温禁带宽度 Eg=0.32eV,具有正的温度系数,光学波长位于3-5μm的中红外区域.相比Ⅲ-Ⅴ族中红外材料,其较小的带边有效质量、较低的俄歇复合率以及较大的介电常数,使PbTe具有高的电子...
- 张兵坡蔡春锋胡炼魏晓东吴惠桢
- 关键词：分子束外延
- 文献传递
- 磁控溅射气体参数对氧化铟薄膜特性的影响被引量：3
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法生长氧化铟薄膜,研究了溅射气压和溅射气体对氧化铟薄膜结构及光电特性的影响。X射线衍射结果表明制得的薄膜为立方结构的多晶体,随着溅射气压的升高,薄膜晶粒尺寸变大。1 Pa下沉积的氧化铟薄膜具有最大的迁移率和最小的载流子浓度,分别为15.2 cm^2/V.s和1.19×10^19cm^-3。用O2溅射的氧化铟薄膜载流子浓度降至4.39×1013cm^-3,在红外区（1.5-5.5μm）的平均透射率为85%,高于Ar溅射的薄膜,这可能是由于O2的加入减少了氧空位,降低了载流子浓度,使得自由载流子对红外光的吸收减弱。
- 才玺坤原子健朱夏明张兵坡邱东江吴惠桢
- 关键词：IN2O3磁控溅射溅射气压电学特性氧空位
- PbTe中红外光伏探测器被引量：2
- 2011年
- 利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe(111)基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极,制成PbTe结型中红外光伏探测器.在77 K温度下,器件响应波长为1.5～5.5μm,实验测量的探测率为2×1010 cm.Hz1/2W-1,由R0A值计算的探测器峰值探测率达到4.35×1010 cm.Hz1/2W-1.随着温度的升高,截止波长发生蓝移,探测率降低.分析了影响探测器探测率和R0A值的主要因素.
- 魏晓东蔡春峰张兵坡胡炼吴惠桢张永刚冯靖文林加木林春方维政戴宁
- 关键词：PBTE光伏探测器中红外
- 量子点与纳米金属表面等离子体耦合的研究
- 胡炼蔡春锋楼腾刚张兵坡吴惠桢
- ZnS薄膜参数对有机／无机复合发光器件特性的影响被引量：2
- 2014年
- 半导体量子点（QDs）具有发光效率高和发光波长可调等特点。采用胶体CdSe QDs作电致发光器件的有源材料，TPD（N ，N′-biphenyl-N ，N′-bis-（3-methylphenyl）-1，1′-biphenyl-4，4′-diamine）作空穴传输层， ZnS作电子传输层，研究了有机/无机复合发光器件ITO/TPD/CdSe QDs/ZnS/Ag的电致发光特性。TPD和CdSe QDs薄膜采用旋涂方法、ZnS薄膜采用磁控溅射方法沉积，器件表面平整。CdSe QDs的光致发光和电致发光谱峰位波长均位于～580 nm ，属于量子点的带边激子发光。我们与以前的ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag发光器件结构进行了对比，发现新的器件结构的电致发光谱没有观察到QDs表面态的发光，而且新器件的发光强度是ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag结构的～10倍。发光效率的提高归因于碰撞激发与载流子注入两种发光机制并存的结果：一方面电子经过ZnS 层加速后，碰撞激发CdSe QDs发光；另一方面，空穴从T PD层注入CdSe QDs与QDs中激发的电子复合发光。我们进一步研究了ZnS电子加速层厚度对发光特性的影响，选择ZnS薄膜的厚度分别是80，120和160 nm ，发现随着ZnS层厚度增大，器件启亮电压升高， EL强度增大，但是击穿电压降低。EL峰位随着ZnS厚度的减小发生明显蓝移，对上述实验现象进行了机理解释。
- 宋凌云蔡春锋刘博智胡炼张兵坡吴剑钟毕刚吴惠桢
- 关键词：CDSE量子点电致发光电子加速
- 分子束外延生长[111]晶向CdTe的研究被引量：2
- 2012年
- 本文采用分子束外延(MBE)方法在BaF_2衬底上直接外延生长了CdTe(111)薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)实时监控生长表面,衍射图样揭示了CdTe(111)在BaF_2表面由二维生长向三维生长的变化过程.XRD表征验证了外延生长的CdTe薄膜的单晶性质.由红外透射光谱测量和理论拟合相结合,得到了CdTe外延薄膜室温带隙宽度E_g=1.511 eV.
- 张兵坡蔡春锋才玺坤吴惠桢王淼
- 关键词：CDTERHEED
- CdTe/PbTe界面二维电子气研究
- 吴惠桢金树强蔡春锋张兵坡
