张培宁
- 作品数：12 被引量：21H指数：4
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 光电双基区晶体管中的光控电流开关效应被引量：6
- 2000年
- 光电双基区晶体管在光电混合模式工作条件下具有光控“S”型负阻特性及其光控电流开关效应。测量了光照时IBE-VBE特性、Ith(光阈值)-RC特性等曲线。并利用电注入双基区晶体管的“S”型负阻产生机理解释了测得的结果。
- 郭维廉张培宁郑云光李树荣张世林
- 关键词：光电负阻器件光控电流开关光电晶体管
- 光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究被引量：4
- 2000年
- 光电双基区晶体管(PDUBAT)是一种能产生‘N’型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现PDUBAT在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振幅减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。
- 沙亚男李树荣郭维廉郑云光毛陆虹张培宁
- 关键词：光电负阻器件
- 微斑光电流谱和光反射谱的自动测量系统
- 2000年
- 叙述了为测量半导体光电器件的光电流谱和光反射谱所构成的自动测量系统及其数据处理方法。
- 张培宁张世林郭维廉林世鸣陈弘达
- 关键词：光电流谱自动测量系统
- SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系被引量：3
- 2000年
- 文章对电阻为负载时 ,硅光电负阻器件 (SPNRD)的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析。定义了描述静态光学双稳态特性的 7个基本参数 ,并分析了负载电阻 (RL)和电源电压 (V0 )对这些参数的影响 ,理论分析结果与实测结果相一致。所得出的结论适用于由负阻特性产生双稳态特性的所有情况。
- 郭维廉郑元芬沙亚男张培宁张世林李树荣郑云光陈弘达林世鸣芦秀玲
- 关键词：硅光电负阻器件
- 硅光学双稳态(SOB)器件被引量：7
- 1998年
- 利用作者近期研制的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT）或光电“∧”双极晶体管（PLBT）两种硅光电负阻器件,提出并成功地实现了一种新型的硅光学双稳态器件。即以PNEGIT（或PLBT）作为光的输入器件,以其驱动一发光管（LED）作为光输出器件,由于PNEGIT和PLBT都具有光电负阻特性,致使在输出光功率（Pout）-输入光功率（Pin）特性上出现逆时针方向的光学双稳回线。这种器件具有光开关、光逻辑、光放大、光存贮、光眼福等多种功能,扩展了硅光电器件在光逻辑、光计算、光通讯等领域中的应用。
- 郭维廉张培宁郑云光李树荣郭钢
- 关键词：光学双稳态负阻特性
- 集成型硅光电负阻器件及应用研究被引量：7
- 1999年
- 本文报道了对集成型硅光电负阻器件及其应用的初步研究结果．文中介绍了硅光电负阻器件（ＰＬＢＴ）的特性并对用该器件所构成的光控正弦波振荡器进行了实验研究．根据实验结果。
- 张培宁郭维廉张以谟郑云光李树荣梁惠来张世林
- 关键词：硅光电负阻器件振荡器
- 多晶硅的硅-硅界面模型及多晶硅太阳电池的研制
- 张培宁
- 达林顿硅光电晶体管的光放大特性被引量：1
- 1999年
- 通过提高达林顿硅光电晶体管的光电灵敏度， 并用１２Ｖ、０２５Ａ 的小灯泡作为输出发光元件， 在２６５μＷ （即９０ｌｘ） 的红光照射下， 器件可输出光电流１００ｍ Ａ 以上， 输出光功率为２０００μＷ 。
- 郑云光张培宁郭维廉李树荣王海英
- 用硅光电负阻器件产生光学双稳态被引量：11
- 1998年
- 本文利用作者近期研制出的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT），首次提出并通过实验成功地实现了一种新的光学双稳态即以PNEGIT作为光输入器件，用它驱动一发光管（LED）作为光输出器件，由于PNEGIT具有负阻输出特性，致使LED输出光功率（POUt）一输入光功率（Pin）特性上出现光学双稳环．这种器件具有光开关、光逻辑、光存贮等多种功能，将为硅光电器件在光信息处理、光计算、光通讯等领域中的应用。
- 郭维廉张培宁郑云光李树荣郭钢
- 关键词：硅光电负阻器件光学双稳态
- 硅-光电负阻器件及其应用研究
- 该论文围绕着该项研究工作的主要内容对硅光电负阻器件及其应用方面的问题作了一些关于器件的基础研究工作,并对硅光电负阻器件的实际应用进行了有益的探索.完成了建立一种光电负阻器件模型,进行计算机计算,器件模拟,并对光电负阻器件...
- 张培宁
- 关键词：光电负阻器件双稳态电路光电耦合器振荡器
- 文献传递
