张宏
- 作品数：9 被引量：7H指数：2
- 供职机构：辽宁大学物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省教委资助课题更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺电子电信更多>>
- 关于GCNMOS的ESD保护电路的HBM的分析测试被引量：1
- 2005年
- 静电放电(electrostaticdischarge,ESD)是造成大多数的集成电路(integratedcircuits,ICs)或电子系统受到过度电性应力(electricaloverstress,EOS)破坏的主要原因。而HBM(humanbobymodel)是ESD破坏IC的最常见的一种方式.因此要在IC中加入相关的保护电路.对一种GCNMOS(gate-coupleNMOS)的保护电路进行详细的分析与测试.
- 张宏张宏庆范军沈桂芬
- 关键词：静电放电
- 碰撞诱导转动传能中的微分干涉角
- 2006年
- 理论模型基于一级含时波恩近似,考虑各项异性相互作用势,在此基础上给出了原子与1∏态双原子分子体系转动传能中量子干涉的微分干涉角.
- 张宏李永庆
- 关键词：碰撞诱导转动传能微分干涉角量子干涉
- 多孔硅的能带与发光机制的研究与分析
- 2004年
- 在光致发光技术对多孔硅光学性质研究的基础上讨论了与多孔硅的微观结构有关的多孔硅的能带结构,用能量赝势法模拟计算出多孔硅的能带间隙.
- 丁德宏张宏付世姚朋军范军张宏庆沈桂芬
- 关键词：多孔硅发光机制表面态光致发光
- CO(■∏,v=3)转动传能中Λ-相关的量子干涉效应
- 2005年
- 理论模型基于一级含时波恩近似,考虑各项异性相互作用势,在此基础上给出了原子与1∏态双原子分子体系的积分干涉角.
- 李永庆张宏
- 关键词：碰撞诱导转动传能量子干涉
- 动态CMOS多米诺逻辑电路的研究被引量：2
- 2005年
- 主要对导致动态CMOS多米诺电路失效的原因进行详细的描述,并讨论了解决电路失效问题的若干方案,从而有效地提高了动态CMOS多米诺逻辑电路在实际应用中的可靠性和稳定性.
- 范军张宏张宏庆沈桂芬
- 关键词：动态电路串扰
- XRD研究组合离子注入Si的辐射损伤
- 2004年
- 本文用 DCD法测量了注入能量为 1 80 Kev,不同剂量 ,不同退火温度的 N+ 2 /As+组合注入 Si样片。用 XRD动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线 ,得到组合注入层的辐射损伤度 ,并讨论了损伤层在不同退火温度下的恢复情况。结果表明 :剂量为 5× 1 0 15ion/cm2时 ,注入层的衍射曲线出现双峰 ,次峰在主峰左侧 ,说明晶格膨胀且有非晶层形成。退火温度达 90 0℃时 ,衍射线为单峰 ,说明这个退火温度使层结构恢复为连续结构 ,且组合注入的辐射损伤在相同剂量下是单束注入的三倍多。
- 韩宇张宏
- 关键词：半导体材料离子注入硅XRD微观结构
- TMAH腐蚀液的研究被引量：2
- 2003年
- TMAH是一种新型的、性能优异的各向异性腐蚀液。文章通过大量对比实验,对该腐蚀液用于<100>、<111>单晶Si片不同电阻率、不同晶向的样品研究了粗糙度和腐蚀速率,得出重要结论。此研究对正确使用TMAH腐蚀液有重要指导意义。
- 沈桂芬姚朋军张宏刘玲张宏庆范军
- 关键词：TMAH粗糙度腐蚀速率各向异性
- 一种16位存储器版图的验证与参数提取被引量：2
- 2004年
- 随着集成电路的发展,存储器在IC(IntegratedCircuit)即"集成电路"中地位越来越突出.阐述了对一种16位存储器版图设计中的DRC(DesignRuleChecking)即"设计规则检查"和LVS(LayoutVersusSchematic)即"版图和电路比较"、以及RC寄生参数的提取.
- 张宏庆张宏范军丁德宏付世沈桂芬
- 关键词：DRCLVS寄生参数
- 组合离子注入的杂质浓度分布与损伤分布比较
- 2004年
- 用LSS理论,计算了注入能量为180keV,注入剂量为1×10^(13)～5×10^(15)ion/cm^2的N_2^+/As^+组合离子注人Si的杂质浓度分布,由X射线衍射的运动学理论,利用多层模型和试探应变函数拟合X射线衍射曲线,得到了晶格应变随注入深度的分布,并将二者进行了比较.结果表明N_2^+/As^+组合离子注入单晶Si的应变分布曲线为单峰,位于杂质浓度分布曲线的双峰之间,靠近重离子峰.
- 韩宇张宏姜树森
