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徐闰

作品数:65 被引量:44H指数:3
供职机构:上海大学更多>>
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相关领域:电子电信理学化学工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 43篇专利
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  • 3篇学位论文
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领域

  • 14篇电子电信
  • 8篇理学
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  • 1篇航空宇航科学...
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主题

  • 18篇钙钛矿
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  • 6篇电池
  • 6篇太阳能
  • 6篇太阳能电池
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  • 6篇辐射探测器
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  • 5篇晶体
  • 5篇光学
  • 4篇电学
  • 4篇蒸法
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  • 4篇闪蒸法
  • 4篇逆温
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机构

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作者

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传媒

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  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2002
65 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
密度泛函理论研究碱金属原子在完美氧化镁(001)表面的吸附被引量:1
2010年
基于平面波赝势法的密度泛函理论系统地研究了孤立碱金属原子(锂、钠、钾、铷、铯)在完美氧化镁(001)表面的吸附.锂在氧位表面上的吸附能是0.72eV,大约是其它碱金属的3倍.锂和表面氧之间较强的相互作用主要是来源于共价键的作用,这可由态密度和差分电荷密度的分析所证实.讨论碱金属在MgO(001)表面吸附的成键机理.
徐闰贡伟明张旭王林军洪峰
关键词:碱金属原子密度泛函理论
增强MEMS微镜抗变能力的方法
本发明涉及一种增强MEMS微镜抗变能力的方法,属于微机电系统器件制造领域。本方法采用在微镜背部增加圆环结构的方法降低微镜振动时的动态变形,来保证微镜对光束的正常偏转。具有成本更低、系统更加简单、体积更加精巧、可操作性更强...
陈目语沈文江余晖俊王婷婷徐闰
文献传递
自支撑CdZnTe薄膜的制备方法
本发明公开了一种自支撑CdZnTe薄膜的制备方法,采用近空间升华方法,通过对沉积后的薄膜进行后处理,来分离薄膜与衬底,获取连续平整的样品。本发明工艺以CdZnTe单晶切片为升华源,通过表面处理获得理想的欧姆电极接触。该方...
陶骏张月璐徐文强徐海涛徐闰张继军黄健王林军
[100]金刚石薄膜的辐照响应特性研究被引量:3
2006年
采用热丝辅助化学气相沉积(HFCVD)方法生长得到25μm厚的[100]取向金刚石膜,用以制备辐射探测器。在100 V偏压下,测得暗电流为16.1 nA,55Fe X射线(5.9 keV)和241Amα粒子(5.5 M eV)辐照下的净光电流分别为15.9nA和7.0nA。光电流随时间的变化先快速增加随后由于“pump ing”效应逐渐达到稳定。X射线和α粒子辐照下的平均电荷收集效率分别为45%和19%,并由Hecht理论计算得到对应的电荷收集距离为11.25μm和4.75μm。
任玲王林军苏青峰刘健敏徐闰彭鸿雁史伟民夏义本
关键词:金刚石膜辐射探测器光电流
一种钙钛矿单晶及其生长方法
本发明提供一种钙钛矿单晶及其生长方法。本发明第一方面提供一种钙钛矿单晶的生长方法,包括以下步骤:将PbBr<Sub>2</Sub>和CsBr溶于有机溶剂中,过滤得到前驱体溶液,所述有机溶剂的pH&lt;7;将所述前驱体溶...
徐闰仝向洪子叶孟华林婧王文贞李冬梅
检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的集成系统及其测试方法
本发明公开了一种检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的多功能集成系统及其测试方法,系统包括光生电流瞬态谱装置,能获取高阻半导体材料内缺陷精确表征和电阻率、迁移率寿命积等电学性能参数,进而研究不同缺陷对高阻半导体材料电学性能影...
梁小燕闵嘉华宋晓隆李士泽邱攀辉冯成杰谢忱徐闰张继军王林军沈悦
文献传递
利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法
本发明公开了一种利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法,通过对关键材料,特别是有机材料的具体种类及用量的调控,并对相应辐射探测器制备的工艺流程及关键步骤所使用的参数条件进行了一定的改进,对热喷涂工艺所采用的温度及...
徐闰张笑铮孟华欧正海戚焕震徐珊瑚易永胜徐飞黄健王林军
文献传递
Er2O3单晶薄膜的生长及Er2O3/Si异质结的能带偏移
2006年
利用分子束外延方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃0.93mPa的条件下实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.较低的温度和氧气压下在薄膜内易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化.还利用光电子能谱对Er2O3/Si异质结的能带偏差进行了初步的研究.
朱燕艳徐闰陈圣方泽波薛菲樊永良蒋最敏
关键词:异质结晶体生长
氧气氛低温退火Pt/Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3Pt引起的低频介电弛豫效应被引量:6
2002年
研究了在不同温度区间氧气氛和氮气氛退火后处理对Pt Ba0 .8Sr0 .2 TiO3 Pt介电特性的影响 .经过高温 5 5 0℃氮气退火处理后 ,再放入 35 0℃的氧气中退火 ,发现样品的介电特性出现了非常明显的低频弛豫现象 ,并且这种低频弛豫现象在 35 0℃的氮气中退火后将会消失 .通过在出现低频弛豫现象的样品的上下电极加一偏压 ,可以发现低频弛豫现象更加明显 ,并且在撤消偏压后这种增强将会逐渐减弱 。
董正高沈明荣徐闰甘肇强葛水兵
关键词:低温退火脉冲激光沉积动态随机存储器钛酸锶钡薄膜
大功率准分子激光制备类金刚石膜及场发射性能
2008年
采用大功率高重复频率准分子激光溅射热解石墨靶制备了类金刚石膜,研究了激光功率密度和重复频率对类金刚石膜的结构及场发射性能的影响。保持重复频率不变,提高激光功率密度可提高膜中sp3键碳的含量和膜的场发射性能;在最佳激光功率密度下,当重复频率由200Hz提高到500Hz,膜中sp3键碳的含量和膜的场发射性能先提高,后降低,在300Hz时达到最佳。在300Hz重复频率、1010W/cm2激光功率密度下,膜的发射阈值电场为26V/μm,在34V/μm的电场下测得电流密度为14μA/cm2。根据类金刚石膜的场发射机理对上述结果进行了分析解释。
赵立新彭鸿雁陈玉强陈宝玲徐闰黄健王林军夏义本王惟彪
关键词:脉冲激光沉积类金刚石膜场发射
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