曹培林
- 作品数：13 被引量：26H指数：3
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- 全势能线性Muffin-Tin轨道组合分子动力学方法在团簇结构计算中的应用
- 宋斌曹培林
- 全势能线性Muffin-Tin轨道组合分子动力学方法及其在半导体团簇结构计算中的应用被引量：5
- 2000年
- 研究原子团簇的结构及其与之相关的物理和化学的性质是当前国际上一个活跃的研究前沿。全势能线性Muffin Tin轨道组合法是目前国际上最先进的第一性原理分子动力学方法之一。本文简要地阐述了全势能线性Muffin Tin轨道组合法的原理 ,以及本研究小组用此方法在半导体原子团簇结构研究中的部分结果。
- 宋斌曹培林
- Si(100)2×1表面上Li原子之间的相互作用与表面结构相变
- 1991年
- 本文用原子交迭和电子离域-分子轨道方法和原子集团模型,计算了Li原子在Si(100)2×1表面上的吸附能和吸附Li原子之间的相互作用,提出了一种在Li原子的覆盖度将接近于一个单原子层时,随着覆盖度的进一步增加,表面结构连续地从Si(100)-Li(2×1)转变成Si(100)-Li(1×1)的结构相变模型。
- 曹培林周煦炎周如洪
- 关键词：LI原子相互作用
- S在Ni(110)上的吸附表面结构和S-S相互作用
- 1990年
- 本文用S_nNi_m(n=1,2;m=10,18)分子簇,模拟S在Ni表面的化学吸附;用ASED-MO方法,计算研究了吸附在Ni(110)表面上的S原子之间的相互作用呈斥力性:解释了S在上述表面上的吸附结构及为什么在高覆盖度下将以硫化镍复合物存在。
- 张忠国曹培林
- 关键词：原子数NI低能电子衍射最近邻电子离域
- Si(100)2×1面上钾原子间相互作用和吸附表面结构
- 1991年
- 本文用原子集团模型和 ASED-MO方法,计算了K在Si(100)2 ×1面上不同吸附位置上的结合能和K-K相互作用能,从不同吸附结构下吸附能的计算结果,讨论了饱和覆盖度下的表面结构问题,支持了由两种类型的吸附K原子键组成的双层结构模型.
- 周煦炎施丹华曹培林
- 关键词：硅相互作用
- H在Ni表面的扩散性质及表面缺陷的影响—嵌入原子法(EAM)计算研究被引量：1
- 1989年
- 本文用原子集团模型和嵌入原子方法,计算研究了H在Ni(100),(110)和(111)表面上的扩散特性,其扩散激活能分别是0.152eV;0.343eV和0.142eV。Ni(100)面上的吸附Ni原子和Ni原子空位,分别是在其表面上扩散的H原子的一种陷阱和位垒;Ni(100)面上的台阶,将使通过此台阶的H原子的扩散势垒增高,激活能增大,且引起扩散的各向异性。
- 曹培林施丹华
- 关键词：嵌入原子法氢镍扩散
- 乙烯和乙炔基在Ni(110)表面上吸附结构的研究被引量：3
- 2005年
- 采用平面波赝势方法,利用基于从头计算的软件包,对乙烯和乙炔基在Ni(110)表面上吸附的问题进行了计算.在低覆盖度时,孤立的乙烯分子的吸附能比密集时高,乙烯分子的C-C轴大致沿衬底的Ni原子链方向(即沿[11-0]晶向),C-C轴与衬底Ni(110)表面有12°的倾斜角,乙烯分子的C—C键的键长为0.147nm.乙烯分子中接近顶位的C原子与衬底中距离最近的Ni原子为0.199nm.在高覆盖度时,乙烯分子在Ni(110)表面上形成c(2×4)再构,每个表面二维元胞中有两个乙烯分子,每个乙烯分子的吸附位置与低覆盖度时相似,而C—C键长比低覆盖度时要短.乙炔基是乙烯在Ni(110)表面上分解的产物.关于乙炔基的计算结果表明乙炔基的两个C原子的间距为0.131nm,比乙烯分子中C原子的间距更短.与乙烯分子相比,乙炔基的吸附位置更靠近顶位.H原子与吸附在顶位上的C原子相连接,C—H键也大致沿衬底的Ni原子链方向,与Ni表面呈45°的倾斜角.
- 李波鲍世宁曹培林
- N_2在Cr(110)表面的强化学吸附与离解
- 1992年
- 用原子交叠和电子离域-分子轨道(ASED-MO)方法研究N_2在Cr(110)面的化学吸附过程。结果表明,N_2平行吸附于Cr(110)面的四度空位,N-N轴平行于[110]方向,与传统的σ施予和π弱反键作用不同,N_2在Cr(110)面平行吸附时,不仅3σ_g而且1π_μ分别向衬底施予0.97和0.54个电子,同时1π_g的反向键合增加到1.83个电子,这导致平行吸附比垂直吸附具有更低的能量,它是一种强化学吸附,另外,平行吸附的N_2分子键长伸长了17%,键级下降到1以下,其势离解垒仅为0.15eV,上述计算结果与有关实验符合得很好。
- 周如洪曹培林
- 关键词：氮铬离解化学吸附相互作用
- 氮化镓小团簇结构的理论研究被引量：3
- 2004年
- 用局域密度泛函近似下的全势能线性Muffin-Tin轨道组合分子动力学方法对氮化镓小团簇GanNn(n=2～6)的结构和能量进行了计算,并和已有的报道进行了比较.除Ga2N2外,获得了所有上述团簇的新的最稳定结构.最稳定结构中存在着N2单元或N3单元或两者兼有,表明N—N键在GanNn(n=2～6)团簇的形成中起着决定性的作用.同时,对上述团簇的HOMO-LUMO能量间隔进行了计算.HOMO-LUMO能量间隔为1.601～2.667eV,表明上述团簇将显示像半导体一样的性质.
- 宋斌凌俐曹培林
- 关键词：氮化镓微观结构半导体材料
- 乙烯在Ni(110)表面吸附的几何结构被引量：14
- 2003年
- 用理论计算的方法研究了不同覆盖度的乙烯在Ni(110 )表面吸附的位置 .乙烯的吸附几何结构在团簇计算中进行了局部优化 .在低覆盖度下 ,单个乙烯分子占据了短桥位和顶位之间的中间位置 .乙烯分子的C—C轴大致沿衬底的Ni原子链排列 (即沿 <110 >晶向 ) ,C—C轴与衬底Ni(110 )表面有 10°的倾斜角 .乙烯分子的C—C键的键长为 0 15 1nm .在高覆盖度下 (0 5ML) ,乙烯在Ni (110 )上形成了有序的c(2× 4 )相 ,在一个表面元胞内的两个乙烯分子的吸附位置类似于低覆盖度时的结果 ,但乙烯分子的C—C键键长分别为 0 14 2和 0 14 3nm .
- 李波鲍世宁庄友谊曹培林
- 关键词：乙烯
