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曹立新

作品数：32 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 6篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇理学
  • 4篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇机械工程

主题

  • 11篇超导
  • 8篇导体
  • 7篇高温超导
  • 7篇超导体
  • 6篇铁电
  • 6篇脉冲激光
  • 6篇脉冲激光沉积
  • 6篇高温超导体
  • 6篇靶材
  • 5篇异质结
  • 5篇分子束
  • 4篇循环回路
  • 4篇氧化物
  • 4篇输运
  • 4篇分子束外延
  • 4篇超导薄膜
  • 3篇电输运
  • 3篇输运性质
  • 3篇铁电体
  • 3篇气密

机构

  • 30篇中国科学院
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇华南理工大学

作者

  • 30篇曹立新
  • 18篇许波
  • 16篇赵柏儒
  • 8篇王瑞
  • 8篇吴昊
  • 8篇朱北沂
  • 8篇袁洁
  • 8篇赵力
  • 6篇韩烨
  • 6篇李位勇
  • 5篇金魁
  • 5篇邱祥冈
  • 3篇付跃举
  • 3篇李俊杰
  • 2篇钟建平
  • 2篇袁浩
  • 2篇赵崇凌
  • 2篇张帅
  • 2篇张福昌
  • 2篇苗君

传媒

  • 2篇第八届全国超...
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇科学通报
  • 1篇低温与超导
  • 1篇第九届全国超...
  • 1篇2013年全...

年份

  • 3篇2023
  • 5篇2022
  • 4篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 5篇2010
  • 3篇2008
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇1996
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
铁电体/高温超导体集成薄膜的制备与性质
1996年
高温超导体的载流子浓度比常规超导体的低(对YBa_2Cu_3Q_(7-6)而言,n≌5×10^(21/cm^3)其载流子间的Coulomb屏蔽长度大,因而高温超导体中的载流子浓度易受外加电场的影响,或者说,能够由外场来调制.1991年,文献[1～3]研究了以SrTiO_3为门电极的金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)型的三端器件(three terminal devices),即超导场效应晶体管(superconducing field-effect transistor,SuFET).但实际的增益只达到0.9.通过采用高介电系数的门电极可以对这种超寻场效应晶体管加以改进.
曹立新徐阳赵柏儒许波吴非李林赵忠贤
关键词：超导体铁电体高TC
用于测量材料的物理性质的系统
本发明提供一种用于测量材料的物理性质的系统，其包括：沉积单元、引线键合单元、变温电输运测量单元以及气体净化单元；其中，所述沉积单元、引线键合单元、变温电输运测量单元通过样品转移通道连通；所述气体净化单元与所述沉积单元、引...
曹立新王瑞黄忠学陈浩锋杨鑫
一种晶体管器件及其制造方法
本发明提供一种叠层钙钛矿结构氧化物p-i-n结和一种叠层钙钛矿结构氧化物双极型晶体管及其制造方法，该晶体管包括：氧化物单晶衬底；在衬底上形成的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层的至少一部...
赵柏儒付跃举袁洁许波朱北沂李俊杰金爱子曹立新邱祥冈
铜氧化物高温超导体和相关氧化物多层集成、界面输运和应用
赵柏儒夏丰金付跃举许波朱北沂李俊杰曹立新邱祥冈
薄膜沉积设备及薄膜沉积方法
本发明公开了一种薄膜沉积设备及薄膜沉积方法。该薄膜沉积设备包括一薄膜沉积腔，该薄膜沉积腔包括：腔体外壳，腔体外壳围成薄膜沉积腔的腔体；靶材托架，设置于腔体的中部，用于放置由组分A构成的靶材；基片台，设置于腔体中部，与靶材...
许波曹立新范慧朱北沂
文献传递
用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法
本发明提供了一种用于超高灵敏探测的微纳悬臂梁结构制作方法，包括下列步骤：1)对晶片进行光刻和刻蚀，制作出悬臂梁；2)通过光刻和刻蚀在晶片正面制备氧化硅掩膜；3)对晶片背面进行光刻和刻蚀，制作出背面沟槽，所述背面沟槽位于悬...
曹立新李位勇韩烨许波赵柏儒
薄膜沉积腔及应用该薄膜沉积腔的薄膜沉积设备
本实用新型公开了一种薄膜沉积腔及应用该薄膜沉积腔的薄膜沉积设备。该薄膜沉积设备包括一薄膜沉积腔，该薄膜沉积腔包括：腔体外壳，腔体外壳围成薄膜沉积腔的腔体；靶材托架，设置于腔体的中部，用于放置由组分A构成的靶材；基片台，设...
许波曹立新范慧朱北沂
文献传递
氧化物p－i－n结器件及其制备方法
本发明涉及一种氧化物p－i－n结器件及其制备方法，该器件包括衬底，在衬底之上形成的p型氧化物层，在p型氧化物层上形成的n型氧化物层，以及分别形成在p型氧化物层和n型氧化物层上用于连接引线的引出端和在p型氧化物层和n型氧化...
赵柏儒袁洁吴昊曹立新许波赵力金魁朱北沂
文献传递
外延铁基超导薄膜制备方法及制备的外延铁基超导薄膜
本发明提供一种外延铁基超导薄膜的制备方法，其包括以下步骤：a)制备外延铁基超导薄膜所需的靶材，将所述靶材放入脉冲激光沉积系统的真空腔体中，其中所述靶材是FeSe<Sub>x</Sub>或FeSe<Sub>(1-y)</S...
曹立新李位勇韩烨张帅许波赵柏儒
铁基超导体薄膜制备和物理性质研究
曹立新李位勇韩烨许波赵柏儒
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