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李仕福

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇温度梯度
  • 1篇GAAS单晶
  • 1篇GAAS晶体

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇牛沈军
  • 1篇孙强
  • 1篇兰天平
  • 1篇李仕福
  • 1篇王建利
  • 1篇周传新
  • 1篇刘津

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
VB法生长低位错GaAs单晶被引量：4
2007年
用于激光二极管(LD)和发光二极管(LED)的GaAs晶片,要求其具有低的位错密度(EPD)。为了获得低位错密度的GaAs晶片,必须先得到低位错密度的体单晶。我们采用垂直布里奇曼(VB)法分别得到了2英寸和3英寸的GaAs单晶,单晶长度可达10cm,平均位错密度5000cm-2。通过改变加热器结构,改善轴向和径向的温度梯度,优化了生长时的固液界面,得到的单晶长度达20cm,平均位错密度为500cm-2,最大位错密度小于5000cm-2。
王建利孙强牛沈军兰天平李仕福周传新刘津
关键词：位错密度GAAS晶体温度梯度
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