李拂晓
- 作品数：142 被引量：176H指数：6
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 移动通讯用GaAs MMIC开关
- 采用GaAs集成电路的自主技术,开发移动通讯用的GaAs SPST开关集成电路,在0.9GHz,插入损耗小于0.7dB,隔离度大于45dB.产品性能指标达到国外同类产品,并可以形成批量生产能力.
- 陈新宇陈辰陈继义李拂晓蒋幼泉许正荣袁江龙邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓开关金属半导体场效应晶体管微波单片集成电路
- 文献传递
- 提取GaAs MESFET小信号等效电路参数的高效遗传算法
- 本文提出了一种改进的遗传算法,并应用该算法实现了精确、快速地提取GaAs MESFET小信号等效电路参数.该遗传算法具有如下特点:基于保留最优个体,并替代最差个体的策略,采用浮点编码连续突变,多种遗传操作合作运行.改进的...
- 张有涛夏冠群高建峰李拂晓铁宏安
- 关键词：MESFET遗传算法
- 文献传递
- 基于砷化镓衬底的RF MEMS膜开关被引量：3
- 2003年
- 射频微机械开关由于其优越的高频特性在微波和毫米波电路中表现出巨大的应用前景。但是目前的微机械开关都是制作在硅基衬底上的 ,难于与后面的高频砷化镓处理电路相集成。本文介绍了基于砷化镓衬底的RFMEMS膜开关 ,着重介绍了开关的工作原理。
- 郑惟彬黄庆安李拂晓廖小平
- 关键词：射频微机械开关砷化镓微机电系统MEMS膜开关
- 7～18GHz单片宽带大功率放大器被引量：6
- 2003年
- 张斌李拂晓蒋幼泉
- 关键词：功率放大器宽带大功率电子系统微波通信
- 高功率、高效率功率PHEMT
- 本文报告了研制的9.6mm栅宽双δ-掺杂功率PHEMT,在f=11.2GHz、V=8.5V时该器件输出功率37.28dBm,功率增益9.5dB,功率附加效率44.7%,在V=5～9V的范围内,该器件的功率附加效率均大于4...
- 陈堂胜杨立杰周焕文李拂晓陈效建
- 文献传递
- 824～849 MHz高效率InGaP/GaAs HBT CDMA手机功率放大器
- 利用InGaP/GaAs HBT技术研制了824～849 MHz手机功率放大器芯片.在3.4V工作电压下,低功率模式16dBm的效率达到9.5％,ACP@885kHz为-51.2dBc,ACP@1.98MHz为-68dB...
- 郑远钱峰应海涛翁长羽李拂晓邵凯
- 关键词：电路性能电流增益
- 文献传递
- 2．1GHz CMOS低噪声放大器
- 2008年
- 采用上海华虹NEC0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。
- 铁宏安李拂晓李向阳冯晓辉姚祥魏倩张斌翁长羽
- 关键词：射频低噪声放大器噪声系数
- DC-40 GHz光通信系统用GaAs PHEMT驱动放大器。被引量：5
- 2006年
- 利用0.2μmGaAsPHEMT工艺研制了40Gb/s光通信系统中的光调制器驱动放大器。该放大器芯片采用有源偏置的七级分布放大器结构,工作带宽达到40GHz,输入输出反射损耗约-10dB,功率增益14dB,功耗700mW,最大电压输出幅度达到7V。两级芯片级连后,功率增益约27dB,在40Gbit/s速率下得到清晰的眼图。
- 钱峰陈堂胜郑远李拂晓邵凯
- 关键词：宽带放大器
- 8.5GHz～10GHz GaAs准单片功率放大器被引量：3
- 2007年
- 文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于16%,典型功率附加效率为25%,输入电压驻波比小于2.5。
- 王义李拂晓唐世军郑维彬
- 关键词：GAASPHEMT宽带功率放大器
- 砷化镓高频PHEMT小功率晶体管
- 砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高,输出功率密度大,效率高,功率效益高等特点.本文研制的0.5um栅长GaAs PHEMT小功率晶体管,栅宽1mm,直流跨导250ms/mm,栅漏反向击穿电压大于13V,在20GHz下...
- 李拂晓蒋幼泉高建峰黄念宁徐中仓
- 关键词：砷化镓高电子迁移率功率晶体管微波特性
- 文献传递
