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李洪明

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:哈尔滨工业大学更多>>
发文基金:哈尔滨工业大学校基金资助国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇微观结构
  • 3篇吸收光谱
  • 3篇光谱
  • 3篇光学
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇发光
  • 2篇光学特性
  • 1篇透射
  • 1篇透射光
  • 1篇透射光谱
  • 1篇紫外
  • 1篇紫外-可见吸...
  • 1篇结构和光学特...
  • 1篇可见吸收光谱
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能
  • 1篇红外透射光谱
  • 1篇AL
  • 1篇GAN基材料

机构

  • 3篇哈尔滨工业大...

作者

  • 3篇李洪明
  • 2篇李美成
  • 2篇赵连城
  • 1篇邱永鑫

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇第十届全国光...

年份

  • 1篇2005
  • 2篇2003
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
MOCVD外延Al_2O_3基AlGaN/GaN超晶格的结构和光学特性被引量:3
2005年
通过X射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的AlGaN/GaN超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性。X射线衍射结果表明,GaN基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取向。透射电镜观察表明,超晶格试样的周期结构分布均匀,实际周期为13.3nm,且观察到高密度的位错存在于外延膜中。通过光学试验数据,确定了试样的光学吸收边都是在370nm附近,理论计算显示试样为直接跃迁型半导体,禁带宽度约为3.4eV。试样的折射率随光子能量的增加而增加、随波长的增加而减小,计算表明消光系数的极小值位于370nm处。光致发光测试分析表明,超晶格有很好的发光性能,并发现存在黄带发光。
李美成邱永鑫李洪明赵连城
关键词:微观结构吸收光谱光致发光
MOCVD在Al<,2>O<,3>衬底上外延AlGaN/GaN超晶格的光学特性研究
通过X射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石(Al&lt;,2&gt;O&lt;,3&gt;)衬...
李美成李洪明赵连城
关键词:微观结构吸收光谱光致发光光学特性MOCVD方法
GaN基材料的微观结构与光学性能
该文通过X射线衍射分析、原子力显微镜观察、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝主石(Al<,2>O<,3>)衬底...
李洪明
关键词:GAN基材料微观结构红外透射光谱紫外-可见吸收光谱光致发光
文献传递
共1页<1>
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