李瑞
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西安工业大学光电工程学院更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅科研计划项目西安工业大学校长基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 低能离子束刻蚀中自组织纳米结构形成研究
- 自组织纳米结构以其新颖的结构特点以及在纳米器件中的潜在用途成为当今纳米技术的研究热点。低能离子束刻蚀技术被认为是一种有效的形成自组织纳米结构的方法。 本文采用冷阴极离子源和微波回旋共振离子源,通过改变不同离子束参数...
- 李瑞
- 关键词：粗糙度透射率
- 文献传递
- 低能离子束刻蚀单晶硅表面形貌与粗糙度的研究被引量：3
- 2012年
- 研究了低能Ar+离子束对单晶硅表面的刻蚀效果.使用自制的冷阴极离子源,通过控制离子束的入射能量和刻蚀时间等因素,对单晶硅(100)表面进行刻蚀,采用原子力显微镜(AFM)和非接触式表面测量仪对刻蚀后硅片的表面形貌以及表面粗糙度(RMS)进行测量.实验结果表明:当离子束正入射、束流密度为20μA/cm2、刻蚀时间为30min、刻蚀距离为7cm时,入射能量从800eV增加到1 200eV的过程中,此时表面光滑起主要作用,表面粗糙度逐渐减小;继续增大入射能量到1 600eV时,表面粗糙度开始增大,当入射能量达到1 400eV时,通过AFM观察,硅片表面出现了自组织纳米点状结构,此时表面粗糙起主要作用;延长刻蚀时间同样可以看到粗糙度先减小后增加,延长刻蚀时间到90min,表面的粗糙度达到1.245nm,AFM观察表明,随着时间的增加,由于样片表面原子扩散影响,点状结构排列趋于均匀.
- 陈智利李瑞刘卫国
- 关键词：表面形貌
