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柔性ITO衬底电化学沉积制备Cu/Cu_2O薄膜被引量：1: 2007年; 研究了使用电化学沉积法于碱性条件下在柔性ITO衬底上制备Cu/Cu_2O薄膜的方法。循环伏安曲线表明Cu_2O与Cu的阴极峰分别位于-500 mV(vs Ag/AgCl)和-800 mV(vs Ag/AgCl)附近。利用循环伏安法考察了生长温度和电解液pH值等对Cu_2O与Cu阴极峰电位的影响,阴极峰随生长温度的升高以及pH值的降低而略向阳极移动,沉积电流也随之相应增大。与弱酸性条件相比,上述两个阴极峰随pH值升高而移动的程度明显减小,这可能与碱性条件下C_3H_6O电离程度增大以及C_3H_6O根作为配体的过量程度有关。通过X射线衍射光谱和扫描电子显微镜的表征证实,在所研究的生长温度区间和pH值内可利用电化学沉积法在柔性ITO衬底上制备Cu/Cu_2O纳米混晶薄膜。在相同的生长温度和pH条件下,电化学沉积电位对样品表面形貌和晶体性质具有较大影响。; 董林马莹李豪贾晓林; 关键词：CU2O 电化学沉积柔性衬底

柔性衬底电化学沉积制备Cu2O纳米柱阵列: 本文主要研究了在柔性 ITO 衬底上制备高有序 CuO 纳米柱阵列的方法,考察了衬底导电性、生长温度、电解液 pH 值和极化电压对 CuO 纳米薄膜制备的影响,用 X-射线衍射仪、扫描电子显微镜对制备样品进行了表征,表明...; 董林马莹李豪贾晓林; 文献传递

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李豪