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李鑫

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 4篇一般工业技术

主题

  • 8篇单壁
  • 8篇单壁碳纳米管
  • 8篇碳纳米管
  • 8篇纳米
  • 8篇纳米管
  • 4篇金属性
  • 4篇纯度
  • 2篇带隙
  • 2篇低碳源
  • 2篇电子器件
  • 2篇钉扎
  • 2篇动力学
  • 2篇动力学控制
  • 2篇选择性刻蚀
  • 2篇碳源
  • 2篇气相沉积
  • 2篇纳电子器件
  • 2篇结晶度
  • 2篇晶面
  • 2篇刻蚀

机构

  • 10篇中国科学院金...

作者

  • 10篇李鑫
  • 8篇成会明
  • 8篇刘畅
  • 6篇侯鹏翔
  • 6篇张莉莉
  • 2篇杨慧宾
  • 2篇石超
  • 1篇谭丽丽
  • 1篇张炳春
  • 1篇李鹏
  • 1篇张柄春

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2007
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种“自上而下”的窄带隙分布高纯度半导体性单壁碳纳米管的干法制备方法
本发明涉及半导体性单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种“自上而下”的窄带隙分布高纯度半导体性单壁碳纳米管的干法制备方法。将基片上的单壁碳纳米管经过常温氢化处理，再通过氧化退火刻蚀，实现碳纳米管的直径分布显著窄化，半导体...
张莉莉张佳阳刘畅吉忠海李鑫李晓齐成会明
一种窄直径分布、高纯度金属性单壁碳纳米管的制备方法
本发明涉及金属性单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种窄直径分布、高纯度金属性单壁碳纳米管的制备方法。利用嵌段共聚物自组装法可控制备尺寸均一的催化剂纳米颗粒，通过设计催化剂的成分并调控其氧化、还原条件，获得尺寸均一、单分...
刘畅李鑫张峰侯鹏翔成会明
文献传递
一种晶面台阶取向与高度控制生长单壁碳纳米管网络形貌的方法
本发明涉及单壁碳纳米管网络形貌可控制备领域，具体为一种晶面台阶取向与高度控制生长单壁碳纳米管网络形貌的方法。选择铝酸镁尖晶石MgAl<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>衬底的(100)、(110)和(111...
刘畅李鑫张峰侯鹏翔张莉莉石超成会明
一种晶面台阶取向与高度控制生长单壁碳纳米管网络形貌的方法
本发明涉及单壁碳纳米管网络形貌可控制备领域，具体为一种晶面台阶取向与高度控制生长单壁碳纳米管网络形貌的方法。选择铝酸镁尖晶石MgAl<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>衬底的(100)、(110)和(111...
刘畅李鑫张峰侯鹏翔张莉莉石超成会明
一种窄直径分布、高纯度金属性单壁碳纳米管的制备方法
本发明涉及金属性单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种窄直径分布、高纯度金属性单壁碳纳米管的制备方法。利用嵌段共聚物自组装法可控制备尺寸均一的催化剂纳米颗粒，通过设计催化剂的成分并调控其氧化、还原条件，获得尺寸均一、单分...
刘畅李鑫张峰侯鹏翔成会明
文献传递
一种立式旋风螺旋同步送粉器
本实用新型提供一种立式旋风螺旋同步送粉器，其特征在于：主要由粉筒、电机1、风管10、粉管组成，粉筒自上至下由上粉筒4、模套6和下粉筒8构成，电机1置于粉筒上，电机1的主轴3下伸到粉筒里，主轴3上接有螺旋输送杆5，输送杆5...
杨慧宾张柄春李鹏李鑫
文献传递
一种通过基底设计可控生长金属性单壁碳纳米管的方法
本发明涉及金属性单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种通过基底设计可控生长金属性单壁碳纳米管的方法。以尖晶石为基底，采用嵌段共聚物自组装方法制备尺寸均一的金属氧化物纳米团簇；利用尖晶石基底对催化剂纳米颗粒的固溶和钉扎作用...
刘畅李鑫张峰侯鹏翔张莉莉成会明
一种匀层喷涂装置
本实用新型提供一种匀层喷涂装置，其特征在于：由离心部分和喷枪部分组成，离心部分包括电机6、主轴2、回转盘1、自转传动机构3、旋转顶针4、顶针5，主轴2立放，由电机6带动，回转盘1和自转传动机构3装在主轴2上，回转盘1有三...
杨慧宾张炳春谭丽丽李鑫
文献传递
一种通过基底设计可控生长金属性单壁碳纳米管的方法
本发明涉及金属性单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种通过基底设计可控生长金属性单壁碳纳米管的方法。以尖晶石为基底，采用嵌段共聚物自组装方法制备尺寸均一的金属氧化物纳米团簇；利用尖晶石基底对催化剂纳米颗粒的固溶和钉扎作用...
刘畅李鑫张峰侯鹏翔张莉莉成会明
文献传递
一种“自上而下”的窄带隙分布高纯度半导体性单壁碳纳米管的干法制备方法
本发明涉及半导体性单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种“自上而下”的窄带隙分布高纯度半导体性单壁碳纳米管的干法制备方法。将基片上的单壁碳纳米管经过常温氢化处理，再通过氧化退火刻蚀，实现碳纳米管的直径分布显著窄化，半导体...
张莉莉张佳阳刘畅吉忠海李鑫李晓齐成会明
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