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Ce^3＋注入对不同尺寸的nc-Si/SiO2超晶格发光特性的影响被引量：3: 2009年; 通过电子束蒸发方法以及高温退火处理,得到nc-Si/SiO2超晶格。将样品分别注入剂量为2.0×1014cm-2和2.0×1015cm-2的Ce3+,再对其进行二次退火处理,获得多组样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现,样品发光强度的变化不仅受到Ce3+注入剂量的影响,而且也受到nc-Si颗粒大小的影响。在相同注入计量和相同的二次退火处理温度下,nc-Si颗粒较大的样品经Ce3+注入后其发光强度增强较为明显。; 杜玙璠衣立新王申伟邬洋; 关键词：超晶格硅纳米晶光致发光

红外微波兼容材料的制备及性能研究: 本文对红外和微波的机理进行了概述，由红外和微波的作用机理可知单一材料体系很难实现红外微波兼容，所以本文将以复合涂层体系为出发点，即分为吸波部分、控温(热红外)部分及低红外发射部分，分别针对各个部分进行了红外微波兼容性能的...; 杜玙璠; 关键词：相变微胶囊红外材料微波材料; 文献传递

一种微胶囊包覆的相变材料的制备方法: 一种微胶囊包覆的相变材料的制备方法，1.按石蜡：甲基丙烯酸甲酯的质量比1∶3取料；2.按1中总质量的0.5％称取二甲基丙烯酸乙二醇酯、1％甲基丙烯酸，1％十二烷基硫酸钠，1.5％过硫酸钾，1％～15％铁氧体，400％去离...; 王永生何大伟杜玙璠富鸣; 文献传递

一种微胶囊包覆的多相变材料的制备方法: 一种微胶囊包覆的多相变材料的制备方法，涉及一种光电子材料的制备方法。该方法的步骤：按石蜡∶苯乙烯的质量比为2∶5取料；按石蜡和苯乙烯总质量的5％称甲基丙烯酸，0.5％～2％十二硫醇，2％～5％十二烷基苯磺酸钠，2％～10...; 何大伟王永生丁冬杜玙璠富鸣

磁控溅射法沉积SiNx非晶薄膜的生长机制及结构分析被引量：4: 2009年; 利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiNx非晶薄膜在812～892cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si—N—Si键的伸缩振动吸收(Stretching vibration mode),其吸收峰峰位随着溅射功率的增大明显红移;但退火后,该吸收峰又逐渐蓝移。结合中心力模型和自由结合模型,分析了磁控溅射过程中SiNx非晶薄膜的生长机制和内部结构。研究认为,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-N4四面体,Si—N—Si3,Si-N2-Si2及Si-N3-Si等结构,这几种结构分别对应着Si—N—Si键的不同模式的振动吸收。随着退火温度的升高,分子热运动逐渐加剧,非晶SiNx薄膜发生相分离,生成Si3N4和Si纳米晶颗粒,因此,Si—N—Si键的吸收峰逐渐向Si3N4的特征振动吸收峰位870cm-1靠近。; 邬洋衣立新王申伟杜玙璠黄圣冀国蕊王永生; 关键词：磁控溅射傅里叶变换红外光谱

一种微胶囊包覆的多相变材料的制备方法: 一种微胶囊包覆的多相变材料的制备方法，涉及一种光电子材料的制备方法。该方法的步骤：按石蜡∶苯乙烯的质量比为2∶5取料；按石蜡和苯乙烯总质量的5％称甲基丙烯酸，0.5％～2％十二硫醇，2％～5％十二烷基苯磺酸钠，2％～10...; 何大伟王永生丁冬杜玙璠富鸣; 文献传递

Ce^(3+)注入对超晶格中硅纳米晶光致发光强度的影响被引量：1: 2009年; 研究了铈离子注入和二次退火等因素对硅纳米晶(nc-Si)发光强度的影响。利用电子束蒸发以及高温退火得到nc-Si/Si O2超晶格结构。随后将该结构样品分别注入2.0×1014cm-2和2.0×1015cm-2剂量的铈离子(Ce3+),再分别以不同温度对其进行二次退火,获得多种样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现,Ce3+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降。二次退火后的样品,随着退火温度的升高,样品的光致发光强度逐渐增强,但当温度超过600℃时,发光强度反而下降,600℃为二次退火的最佳退火温度。注入适当剂量的Ce3+,其发光强度可以超过未注入时的发光强度,Ce3+的注入存在饱和剂量。研究表明,样品发光强度的变化受到铈离子注入剂量和注入后二次退火温度等因素的影响,并且存在着Ce3+到nc-Si的能量传递。; 杜玙璠衣立新王申伟邬洋; 关键词：超晶格硅纳米晶铈离子注入光致发光

一种微胶囊包覆的相变材料的制备方法: 一种微胶囊包覆的相变材料的制备方法，1.按石蜡：甲基丙烯酸甲酯的质量比1∶3取料；2.按1中总质量的0.5％称取二甲基丙烯酸乙二醇酯、1％甲基丙烯酸，1％十二烷基硫酸钠，1.5％过硫酸钾，1％～15％铁氧体，400％去离...; 王永生何大伟杜玙璠富鸣; 文献传递

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杜玙璠