杨宇
- 作品数：24 被引量：4H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法
- 本发明涉及一种Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法，该方法包括：选取蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底表面生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；在Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
- 贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
- 基于4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制造方法
- 本发明涉及一种基于4H‑SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制造方法，该方法包括：选取4H‑SiC衬底；利用MBE工艺在4H‑SiC衬底表面生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；利用离子注入工...
- 贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
- 文献传递
- 基于LEACH协议的无线光传感器网络分簇算法研究
- 自由空间光通信（Free Space Optical，FSO）是一种具有通信带宽高、频谱资源丰富、安全性高且组网灵活等特点的通信技术，而在无线通信领域无线传感器网络（Wireless Sensor Network，WSN...
- 杨宇
- 关键词：自由空间光通信无线传感器网络分簇算法
- 新型微机补偿晶体振荡器及其开发系统
- 该论文提出了一种以微处理器为核心的基于AT切晶体谐振器的新型微机补偿晶体振荡器(MCXO).介绍了这种微机补偿晶体振荡器采用的温度补偿方案,以及这种晶体振荡器的构成,包括各部分的硬件电路设计,工作原理及微处理器部分的软件...
- 杨宇
- 关键词：MCXO温度补偿晶体振荡器微处理器
- 文献传递
- 基于Cr掺杂4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及一种基于Cr掺杂4H‑SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制备方法，该方法包括：选取4H‑SiC衬底；利用MBE工艺在4H‑SiC衬底表面生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；利用离...
- 贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
- 文献传递
- Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及一种Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法，其中，制备方法包括：选取蓝宝石衬底；利用MBE工艺在蓝宝石衬底表面生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；在Ga<Sub>2</Sub>...
- 贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
- 文献传递
- 高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及一种高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：选取4H‑SiC衬底；在所述4H‑SiC衬底上生长N型Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；在所述N型Ga<Sub>2</...
- 贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
- 面向复杂电磁环境的雷达发射波形优化方法研究
- 现有雷达系统多采用载频、编码形式、重复周期、脉宽/带宽均不变的经典工作模式,该工作模式在简单场景下具有性能高、计算量小等优势,但在复杂电磁环境下,特别是强对抗电磁环境下,具有规律性强、易被侦察截获和干扰等不足。日益复杂的...
- 杨宇
- 关键词：波形优化功率谱
- 蓝宝石衬底的Fe掺杂自旋场效应晶体管及其制造方法
- 本发明涉及一种蓝宝石衬底的Fe掺杂自旋场效应晶体管及其制造方法，其中，制造方法包括：选取衬底材料；利用CVD工艺在衬底表面淀积Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；在Ga<Sub>2</Sub>O...
- 贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
- 用替代法测量在线小电容
- 用替代法完成小电容的测量,可以避免不确定因素对电容测量的影响,完成在线小电容的高精度测量。该方法可以测出电容控制的振荡器在固定温度点所需补偿电容的大小,进而确定出电容器极板的形状,这在电容控制的振荡器的开发中是至关重要的...
- 杨海香杨宇周渭
- 关键词：小电容
- 文献传递
