您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇输运
  • 2篇自旋
  • 2篇量子
  • 2篇量子输运
  • 2篇半导体
  • 1篇氮化物
  • 1篇氮化物半导体
  • 1篇导体
  • 1篇等效
  • 1篇电导
  • 1篇电子相互作用
  • 1篇载流子
  • 1篇势垒
  • 1篇自旋轨道
  • 1篇自旋轨道耦合
  • 1篇自旋输运
  • 1篇拓扑绝缘体
  • 1篇相互作用
  • 1篇量子霍尔效应
  • 1篇禁带

机构

  • 4篇北京大学
  • 1篇广西大学
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 4篇段俊熙
  • 3篇沈波
  • 3篇唐宁
  • 2篇许福军
  • 2篇王新强
  • 1篇王威
  • 1篇张姗
  • 1篇杨学林
  • 1篇李小娟
  • 1篇林铁
  • 1篇卢芳超
  • 1篇商丽燕
  • 1篇韦尚江
  • 1篇韩奎
  • 1篇周文政
  • 1篇褚君浩
  • 1篇常志刚

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学:物...

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
AlN/GaN超晶格作势垒的高等效铝组份AlGaN/GaN异质结构的磁输运性质
对用AlN/GaN超晶格作为势垒的高等效铝组份AlGaN/GaN异质结构(准异质结构)界面处产生的二维电子气在低温和强磁场下进行了磁输运性质研究.
刘思东M.Shimizu葛惟昆沈波唐宁沈旭强段俊熙卢芳超杨学林许福军王新强T.Ide
Ⅲ族氮化物半导体异质结构中载流子的量子输运和自旋性质
2013年
Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,很强的极化电场,优异的物理特性,是发展高频、高温、高功率电子器件和光电子器件的优选材料.同时,Ⅲ族氮化物半导体有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,也成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一.本文介绍了用量子输运和自旋光电流方法对GaN基异质结构中载流子的量子输运和自旋性质的研究进展.对Ⅲ族氮化物半导体中的能带结构,子带占据和散射,自旋分裂及自旋轨道耦合机制等进行了讨论.
唐宁段俊熙张姗许福军王新强沈波
关键词:宽禁带半导体输运自旋
GaN/Al_xGa_(1-x)N异质结二维电子气的磁电阻研究
2012年
通过对GaN/Al_xGa_(1-x)N异质结中二维电子气磁输运结果的分析,研究了磁电阻的起因.结果表明,整个磁场范围的负磁电阻是由电子-电子相互作用引起的,而高场下的正磁电阻来源于平行电导的进一步修正.用拟合的方法得到了电子-电子相互作用项以及平行电导层的载流子浓度和迁移率,并用不同的计算方法对拟合结果进行了验证.
王威周文政韦尚江李小娟常志刚林铁商丽燕韩奎段俊熙唐宁沈波褚君浩
关键词:二维电子气磁电阻电子相互作用
ZnO基异质结构与拓扑绝缘体中的自旋输运
随着半导体工业的发展,日趋成熟的半导体工艺使得器件的尺寸接近了电子的量子尺寸。为了克服量子效应带来的不便,以及实现能耗更低、速度更快、尺度更小的器件,半导体自旋电子学旨在充分利用现有的工艺调控器件中载流子和缺陷的自旋自由...
段俊熙
关键词:拓扑绝缘体自旋轨道耦合量子输运半导体工艺量子霍尔效应
共1页<1>
聚类工具0