潘敏
- 作品数：24 被引量：11H指数：2
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- 相关领域：理学一般工业技术电气工程交通运输工程更多>>
- 一种非烧结陶瓷型压敏电阻材料的制备方法
- 一种非烧结陶瓷型压敏电阻材料的制备方法，其具体作法是：a.选取La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、SrCO<Sub>3</Sub>、CaCO<Sub>3</Sub>与MnO<Sub>2</Sub>按分...
- 羊新胜潘敏赵勇杨立芹吕莉
- 文献传递
- 高压与常压下合成Mg1.05-x(HgO)xB2的性能研究
- 2008年
- 分别在常压和高压下利用固相反应法制备了Mg1.05-x(HgO)xB2多晶样品,并研究了HgO掺杂对MgB2样品性能的影响。在两种不同的反应条件下制备的样品,超导转变温度随掺杂量的增大都有一定幅度的下降,但晶体结构和临界电流密度(Jc)则有显著的不同。常压下HgO掺杂可使Jc降低,而高压下一定量的掺杂则使Jc增大。由扫描电镜结果分析可得,高压下制备的样品晶粒间联系紧密,尺寸较小,从而使其临界电流密度、不可逆场和钉扎力等性能都优于常压下制备的样品。
- 崔雅静陈永亮杨烨潘敏王法社张勇洪时明C．H．Cheng赵勇
- 关键词：MGB2超导转变温度临界电流密度
- 一种非烧结陶瓷型压敏电阻材料的制备方法
- 一种非烧结陶瓷型压敏电阻材料的制备方法，其具体作法是：a、选取La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、SrCO<Sub>3</Sub>、CaCO<Sub>3</Sub>与MnO<Sub>2</Sub>按分...
- 羊新胜潘敏赵勇杨立芹吕莉
- 文献传递
- 高压与常压下合成Mg1.05-z(HgO)zB2的性能研究
- 分别在常压和高压下利用固相反应法制备了Mg1.05-x(HgO)xB2多晶样品，并研究了HgO掺杂对MgB2样品性能的影响。在两种不同的反应条件下制备的样品，超导转变温度随掺杂量的增大都有一定幅度的下降，但晶体结构和临界...
- 崔雅静陈永亮杨烨潘敏王法社张勇洪时明C.H.Cheng赵勇
- 关键词：超导转变温度电流密度掺杂固相反应
- 文献传递
- 超导涂层导体中NiO缓冲层的制备与研究被引量：1
- 2011年
- 镍基带的自发氧化是基于镍基带上制备涂层超导体所面临的一个重要问题。在镍基带上预先制备一层织构的NiO薄膜是解决该问题的一个简单而有效的方法。研究了空气中NiO薄膜的表面氧化外延生长特性,发现高温短时有利于制备高织构度、高平整度和高致密度的NiO薄膜。在优化的温度和时间条件下,制备了高品质的NiO薄膜,并在NiO上利用化学溶液沉积法制备了SmBiO3外延缓冲层,为进一步超导层的制备提供了可能的实用条件。
- 张红赵勇张欣王贺龙蒲明华潘敏
- 关键词：涂层导体织构
- 铁基超导体LaOFeAs,AFe_2As_2(A=Sr,Ca),MFeAs (M=Li,Na),FeSe的晶体结构、磁性及电子结构的第一性原理研究(英文)
- 2012年
- 采用密度泛函理论(density functional theory,DFT)中的线性缀加平面波结合增强局域轨道(linearized augmented plane waveand the improved local orbital,APW+lo)的方法研究了新型铁基超导体 LaOFeAs,SrFe2As2, CaFe2As2, LiFeAs,NaFeAs和FeSe的晶体结构、磁性以及电子结构。计算结果表明,铁基超导体的超导电性与该类材料的晶体几何构造以及母体的磁性有密切的关联;超导转变临界温度Tc可以随着FeAs4四面体的畸变程度的减小以及[FeAs]层间距L的增大而提高。进一步对电子结构的研究发现,铁基超导体的磁性主要来自Fe原子的磁矩,pd杂化态决定体系的物理性质,且成为铁基超导体的共有特征。
- 潘敏冯勇程翠华赵勇
- 关键词：铁基超导体电子性质磁性
- 钨中嬗变元素Re/Ta对空位扩散影响的理论计算
- 基于密度泛函理论,采用第一性原理计算方法,以 W 嬗变产物Re、Ta 为研究对象,考察W-Re/Ta合金系统中Re 和Ta 溶质原子对空位行为的影响.计算发现W-Re 合金系统中空位的形成能低于纯W 和W-Ta 系统,而...
- 潘敏温述龙崔慧娜柯川黄整赵勇
- 关键词：钨空位扩散
- 强关联效应下非磁性元素Ir掺杂的SmFeAsO电子结构理论研究
- 2013年
- 基于密度泛函理论,采用广义梯度近似方法(SGGA+U)计算分析了SmOFeAs电子结构以及Ir掺杂对该体系晶体结构和电子结构的影响.结果表明,随着Ir的掺杂,SmOFeAs晶体结构中FeAs层与SmO层之间的耦合增强,晶体内部所含的铁砷四面体随着Ir掺杂其畸变性程度逐步减小.Fe3d以及As4p杂化轨道对体系电子结构起主要影响作用.Ir掺杂所引入的电子使FeAs层的巡游电子增多、Fe3d轨道中的dz2轨道离域性增强.当Ir掺杂量为20%时,费米面处于电子态密度峰值附近,费米面急剧变化使该体系的Tc值有所增高,反映了体系费米能级移动与其超导电性的密切关联性.计算的电子态密度与XPS所得价带谱实验结果一致,进一步验证了采用SGGA+U方法其包含修正d轨道局域电子的库仑势,使得计算结果与实验结果更加接近.
- 潘敏黄整赵勇
- 关键词：晶体结构电子结构
- 掺杂对涂层超导体CeO_2缓冲层薄膜临界厚度影响的理论计算
- 2009年
- 采用第一性原理平面波赝势法计算了稀土元素掺杂超导带材缓冲层CeO2的晶体结构、电子能带、态密度和弹性常数,研究掺杂使CeO2缓冲层临界厚度增加的规律及其机理.在计算范围内,发现掺杂以后的晶胞体积V和弹性常数E*的变化主要取决于系统的电子数增加,拟合得到了弹性常数E*和系统电子数增量Δne之间的变化关系.分析表明,掺入Sm,Gd和Dy可以使Ce1-xRExO2缓冲层薄膜的临界厚度分别提高22%,43%和33%.
- 潘敏黄整麻焕锋强伟荣韦联福王龙赵勇
- 关键词：CEO2第一性原理
- 一种非温度敏感性的锰氧化物磁电阻材料的制备方法
- 一种非温度敏感性的锰氧化物磁电阻材料的制备方法，其具体作法是：a.将La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、SrCO<Sub>3</Sub>和MnO<Sub>2</Sub>，按分子式La<Sub>0.7<...
- 羊新胜杨立芹赵勇吕莉潘敏
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