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焦春美

作品数：44 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 39篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 20篇衬底
  • 14篇氮化镓
  • 9篇氮化
  • 9篇金属有机物
  • 8篇发光
  • 7篇锌源
  • 6篇氮化镓基发光...
  • 6篇淀积
  • 6篇氧化锌薄膜
  • 6篇生长温度
  • 6篇石墨
  • 6篇气相淀积
  • 6篇蓝宝
  • 6篇蓝宝石
  • 6篇蓝宝石衬底
  • 6篇化学气相淀积
  • 6篇二极管
  • 6篇发光二极管
  • 5篇氮化物
  • 5篇纳米

机构

  • 44篇中国科学院

作者

  • 44篇焦春美
  • 40篇刘祥林
  • 27篇魏鸿源
  • 24篇杨少延
  • 21篇王占国
  • 12篇赵桂娟
  • 10篇朱勤生
  • 8篇汪连山
  • 6篇王建霞
  • 6篇桑玲
  • 6篇冯玉霞
  • 4篇张攀峰
  • 4篇刘长波
  • 4篇李志伟
  • 4篇王俊
  • 4篇张恒
  • 3篇胡卫国
  • 3篇董向芸
  • 3篇赵凤瑷
  • 2篇魏宏源

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇2004年高...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2018
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 4篇2007
  • 7篇2006
  • 2篇2004
  • 1篇2003
共 44 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法
一种利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法，包含：在蓝宝石衬底表面上先制备一包含铟组分的薄III族氮化物合金层和一低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将蓝宝石硅衬底加热温度升高；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层...
杨少延张恒魏鸿源焦春美赵桂娟汪连山刘祥林王占国
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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置，包括：衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度，而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区，...
杨少延刘祥林赵凤瑷焦春美董向芸张晓沛范海波魏宏源张攀峰王占国
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氮化铝单晶材料制备方法
一种氮化铝单晶材料制备方法，包含：在衬底上制备一III族氮化物成核层；在III族氮化物成核层上制备一III族氮化物结晶层；在III族氮化物结晶层上制备一应力协变层；在应力协变层上制备一III族氮化物自分解解耦合层；在II...
杨少延魏鸿源焦春美刘祥林
文献传递
一种石墨清洗装置
一种石墨清洗装置，包括：一外壳，该外壳为一中空长方体结构；一石墨基座支架位于外壳内的下部；一石墨加热器为一箱体结构，该石墨加热器位于石墨基座支架的上方；一保温材料围绕在石墨加热器的四周；一上盖位于外壳的上方；一感应圈螺旋...
焦春美刘祥林
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δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法
一种δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，包括：步骤1：将清洗好的衬底放入反应室中，将反应室抽至真空，升高温度进行烘烤，以获得清洁衬底；步骤2：向反应室中充入氮气，将反应室压强升至生长压强，将衬底温度控制到生长温度；步骤3：向...
魏鸿源刘祥林张攀峰焦春美王占国
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应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法
本发明涉及一种利用应变调制掺杂法制备P型氧化锌(ZnO)半导体薄膜材料的方法。该方法是利用氧化锌和氧化镁锌两者的压电激化效应和两者之间的晶格失配，在氧化锌和氧化镁锌超晶格之中调制掺入P型杂质并退火。利用氧化锌和氧化镁锌之...
刘祥林赵凤瑗焦春美于英仪
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电磁阀
一种电磁阀，包括：一非磁性阀座位于电磁阀整体的最下面，其上面的中心形成有一气室，自该气室至外壁有导阀口和主阀口；一阀体的断面为倒T型，且为中空，该阀体用螺丝与非磁性阀座连接，其最上部分有螺纹；一磁性阀芯为一柱体，在其端部...
刘祥林焦春美赵风瑷
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金属有机物化学气相沉积设备反应室中的反烘烤沉积结构
对于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备，特别是生产型金属有机物化学气相沉积设备，在生长完材料后烘烤石墨基座的过程中，反应室内沉积物特别是石墨基座上的沉积物受热蒸发上升，上升到反应室天棚时，由于温度差石墨沉积物会受冷...
刘祥林焦春美
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一种III族氮化物衬底的生产设备
一种III族氮化物衬底的生产设备，为复合型MOCVD－HVPE设备。在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中封闭生长室内设有金属舟，金属舟内装有金属，另有氯化氢气体通过金属舟，具有卤化物气相外延功能，使设备同时具有金...
刘祥林焦春美
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适合GaN氮化镓基材料生长的MOCVD设备
为了打破国外在MOCVD设备长期处于垄断,摆脱我国长期依赖进口的被动局面,我们在国家高技术发展计划('863'计划)的支持下,研制一台适合GaN基材料生长的MOCVD设备(3片1.5英寸衬底),以期建立MOCVD研发及产...
焦春美刘祥林
关键词：氮化镓基材料化学气相淀积金属有机物MOCVD设备
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