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王先宝

作品数:12 被引量:6H指数:2
供职机构:南开大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
相关领域:电气工程理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 4篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 11篇电池
  • 10篇太阳电池
  • 5篇硅基
  • 5篇硅基薄膜
  • 4篇硅基薄膜太阳...
  • 4篇薄膜太阳电池
  • 3篇锗烷
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 3篇非晶硅
  • 3篇衬底
  • 2篇带隙
  • 2篇电压
  • 2篇叠层
  • 2篇叠层电池
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇谱域
  • 2篇气相沉积
  • 2篇开路电压

机构

  • 12篇南开大学
  • 1篇河北工业大学

作者

  • 12篇王先宝
  • 11篇赵颖
  • 11篇张建军
  • 11篇倪牮
  • 11篇耿新华
  • 7篇曹宇
  • 2篇侯国付
  • 2篇张丽平
  • 2篇孙建
  • 1篇李超
  • 1篇尚泽仁
  • 1篇薛俊明
  • 1篇孙健
  • 1篇曹字
  • 1篇黄振华
  • 1篇李林娜
  • 1篇韩东港
  • 1篇张德坤
  • 1篇曹丽冉
  • 1篇陈新亮

传媒

  • 3篇第十一届中国...
  • 2篇光电子.激光

年份

  • 2篇2011
  • 9篇2010
  • 1篇2009
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
低温RF-PECVD沉积非晶硅锗及其太阳电池的研究
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,衬底温度在180℃沉积非晶硅锗薄膜材料及太阳电池。本文研究了反应气体中的锗。
王先宝张建军倪牮曹字李超耿新华赵颖
关键词:太阳电池化学气相沉积衬底温度
文献传递
一种全谱域叠层硅基薄膜太阳电池
一种全谱域叠层硅基薄膜太阳电池,由三个硅基薄膜太阳电池叠加沉积在衬底上制成,其中第一个p-i-n是宽带隙硅基薄膜电池,第二个p-i-n电池是中间带隙硅基薄膜太阳电池,第三个p-i-n电池是窄带隙硅基薄膜太阳电池,其采用硅...
张建军倪牮曹宇王先宝耿新华赵颖
一种全谱域叠层硅基薄膜太阳电池
一种全谱域叠层硅基薄膜太阳电池,由三个硅基薄膜太阳电池叠加沉积在衬底上制成,其中第一个p-i-n是宽带隙硅基薄膜电池,第二个p-i-n电池是中间带隙硅基薄膜太阳电池,第三个p-i-n电池是窄带隙硅基薄膜太阳电池,其采用硅...
张建军倪牮曹宇王先宝耿新华赵颖
文献传递
低温沉积高开路电压p-i-n型非晶硅太阳电池
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,保持沉积温度在125℃制备非晶硅薄膜材料及太阳电池.首先在125℃下改变硅烷浓度,实现了本征非晶硅材料光学带隙的调节,硅烷浓度5%时材料光学带隙达到1.90eV....
倪牮张建军王先宝侯国付耿新华赵颖
关键词:非晶硅太阳电池
本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池及其制备方法
一种本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池,包括透明衬底、透明导电薄膜、P型窗口层、本征层I、N<Sup>+</Sup>层、背反射电极和金属电极,本征层I为微晶硅锗薄膜;该微晶硅锗薄膜的制备方法包括下述步骤:1)将带有透...
张建军张丽平倪牮曹宇王先宝赵颖耿新华
文献传递
低温高速率沉积非晶硅薄膜及太阳电池被引量:2
2010年
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,保持沉积温度在125℃制备非晶硅薄膜材料及太阳电池。在85 Pa的低压下以及400~667 Pa的高压下,改变Si H4浓度和辉光功率等沉积参数,对本征a-Si材料的性能进行优化。结果表明,在高压下,合适的Si H4浓度和压力功率比可以使a-Si材料的光电特性得到优化,并且薄膜的沉积速率得到一定程度的提高。采用低压低速和高压高速的沉积条件,在125℃的低温条件下制备出效率为6.7%的单结a-Si电池,高压下本征层a-Si材料的沉积速率由0.06~0.08 nm/s提高到0.17~0.19 nm/s。
倪牮张建军王先宝李林娜侯国付孙建耿新华赵颖
PECVD低温沉积非晶硅锗及在PIN电池中的初步应用
为提高p-i-n型硅基薄膜太阳能电池效率,本论文着力进行RF-PECVD低温沉积a-SiGe:H薄膜材料及电池方面的研究。主要进行了以下两方面的研究:研究不同工艺参数对于非晶硅锗薄膜材料性能的影响,通过工艺参数的优化在低...
王先宝
关键词:太阳能电池
文献传递
窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池及其制备方法
一种窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池,包括透明衬底、透明导电薄膜、窗口层、本征层、N<Sup>+</Sup>层和金属背电极,窗口层为p型微晶硅锗薄膜;该p型微晶硅锗薄膜的制备方法,步骤为:1)将带有透明导电膜的玻璃...
张建军尚泽仁倪牮曹宇王先宝赵颖耿新华
文献传递
功率梯度法制备微晶硅锗太阳电池
本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECvD)技术,采用适当比例的硅烷、锗烷、氢气作为反应气源,在衬底温度为200℃条件下制备微晶硅锗薄膜。首先研究了辉光功率对微晶硅锗薄膜材料结构特征和光电特性的影响。结果表明...
曹宇张建军倪牮王先宝黄振华孙健耿新华赵颖
关键词:太阳能电池
文献传递
一种采用氦氢气体混合共稀释法制备微晶硅锗薄膜的方法
一种采用氦氢气体混合共稀释法制备微晶硅锗薄膜的方法,包括下述步骤:1)将带有T的玻璃衬底G放在真空室内,本底真空高于2×10<Sup>-4</Sup>Pa;2)在向反应室通入反应气体硅烷和锗烷、稀释气体氦气和氢气的条件下...
张建军张丽平倪牮曹宇王先宝赵颖耿新华
文献传递
共2页<12>
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