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王曦

作品数：527 被引量：251H指数：9
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 374篇专利
  • 88篇期刊文章
  • 38篇会议论文
  • 14篇学位论文
  • 13篇科技成果

领域

  • 137篇电子电信
  • 28篇金属学及工艺
  • 23篇一般工业技术
  • 21篇理学
  • 13篇自动化与计算...
  • 7篇政治法律
  • 4篇经济管理
  • 3篇电气工程
  • 3篇医药卫生
  • 3篇文化科学
  • 2篇航空宇航科学...
  • 1篇化学工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇社会学
  • 1篇语言文字

主题

  • 106篇衬底
  • 79篇晶体管
  • 48篇离子注入
  • 48篇纳米
  • 48篇半导体
  • 47篇SOI
  • 46篇绝缘
  • 39篇硅
  • 38篇沟道
  • 37篇绝缘体
  • 37篇场效应
  • 36篇退火
  • 35篇场效应晶体管
  • 33篇缺陷层
  • 31篇体效应
  • 31篇图形化
  • 31篇绝缘体上硅
  • 30篇离子束
  • 30篇浮体效应
  • 27篇埋层

机构

  • 455篇中国科学院
  • 44篇中国科学院上...
  • 18篇上海交通大学
  • 11篇华东师范大学
  • 11篇清华大学
  • 9篇西南交通大学
  • 9篇上海新傲科技...
  • 4篇中国科学院研...
  • 3篇上海海事大学
  • 2篇电子科技大学
  • 2篇香港城市大学
  • 2篇中国核工业集...
  • 2篇中科院上海微...
  • 2篇中国科学院兰...
  • 2篇中芯国际集成...
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇钢铁研究总院
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇四川大学
  • 1篇苏州大学

作者

  • 527篇王曦
  • 174篇陈静
  • 95篇张苗
  • 94篇罗杰馨
  • 70篇俞文杰
  • 63篇狄增峰
  • 60篇柳襄怀
  • 53篇何伟伟
  • 50篇薛忠营
  • 50篇欧欣
  • 47篇黄凯
  • 44篇柴展
  • 44篇刘强
  • 42篇伍青青
  • 37篇陈猛
  • 36篇游天桂
  • 32篇吕凯
  • 31篇邹世昌
  • 30篇刘畅
  • 26篇武爱民

传媒

  • 20篇功能材料与器...
  • 14篇Journa...
  • 8篇功能材料
  • 4篇金属学报
  • 4篇中国科学（E...
  • 3篇科学通报
  • 3篇材料研究学报
  • 3篇第十一届全国...
  • 3篇上海市真空学...
  • 2篇物理学报
  • 2篇机械工程材料
  • 2篇材料导报
  • 2篇真空电子技术
  • 2篇自然科学进展...
  • 2篇上海市真空学...
  • 2篇华东三省一市...
  • 2篇第六届全国电...
  • 2篇第七届中国真...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇高能物理与核...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 7篇2022
  • 15篇2021
  • 35篇2020
  • 27篇2019
  • 16篇2018
  • 29篇2017
  • 43篇2016
  • 36篇2015
  • 20篇2014
  • 25篇2013
  • 34篇2012
  • 25篇2011
  • 26篇2010
  • 10篇2009
  • 19篇2008
  • 16篇2007
  • 19篇2006
  • 24篇2005
共 527 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于图形化SOI衬底的抗辐照晶体管及其制作方法
本发明提供一种基于图形化SOI衬底的抗辐照晶体管及其制作方法，结构包括：图形化SOI衬底，所述图形化SOI衬底，其绝缘层中具有凹槽，顶半导体层呈十字形半导体岛且完全覆盖所述凹槽，包括第一半导体层及第二半导体层；第一导电类...
刘强俞文杰任青华陈治西刘晨鹤赵兰天陈玲丽王曦
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大屏幕拼接显示用纳米碳管发光单元阵列
纳米碳管发光元件具有制作成本低、亮度高、稳定性好、寿命长、功耗低、响应速度快、全彩显示和对环境的兼容性好等优点,是一种非常有前途的大屏幕显示新技术。我们采用印刷技术实现了纳米碳管阴极的大面积、低成本制备,并采用等离子体表...
王曦冯涛
关键词：纳米碳管大屏幕显示发光元件表面改性
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一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法
本发明提供一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Co层，然后使Co层与Si衬底两次反应生成CoSi<Sub>2</Sub>，通过...
张波俞文杰赵清太狄增峰张苗王曦
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利用MOSFET输入输出特性确定MOSFET BSIM模型参数宽度偏移量的方法
本发明提供一种利用MOSFET输入输出特性确定MOSFET BSIM模型参数宽度偏移量的方法。首先利用半导体参数测试仪测量至少3个拥有相同沟道长度、不同沟道宽度的MOSFET器件的I<Sub>ds</Sub>-V<Sub...
陈静伍青青罗杰馨肖德元王曦
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交叉栅结构MOSFET及多叉指栅结构MOSFET的版图设计
本发明提供一种交叉栅结构MOSFET及多叉指栅结构MOSFET的版图设计，所述交叉栅结构MOSFET的版图设计包括：半导体衬底、十字形交叉栅结构、源区及漏区；所述十字形交叉栅结构包括第一条状栅及与所述第一条状栅垂直的第二...
陈静吕凯罗杰馨何伟伟杨燕柴展王曦
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一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法
本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述方法包括步骤：步骤一、制备具有硅纳米线沟道的隧穿场效应晶体管作为转换器；步骤二、采用表面修饰剂对所述硅纳米线沟道表面进行活化修饰。所述步骤一中制备硅...
俞文杰刘畅赵清太王曦
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基于隧穿隔离层的磁性隧穿结器件及其制作方法
本发明提供一种基于隧穿隔离层的磁性隧穿结器件及其制作方法，该器件包括：第一金属连接层，所述第一金属连接层形成于一CMOS电路基底上、第一金属过渡层、隧穿隔离底层、固定磁层、隧穿层、自由磁层、隧穿隔离顶层、第二金属过渡层以...
刘强俞文杰陈治西刘晨鹤任青华赵兰天王曦
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离子束辅助沉积铂－碳混合膜的工艺方法
本发明采用离子束辅助沉积技术沉积铂－碳混合膜，即在溅射沉积铂－碳混合膜的同时，由于利用碳原子的溅射率随辅助轰击氩离子的能量的增大而迅速增大的特点，通过调节辅助轰击氩离和剂量，精确控制铂－碳混合膜的铂/碳成份比。本发明易在...
江炳尧冯涛王曦柳襄怀
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实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法
本发明公开了一种实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法，先制作栅区，进行高剂量的源区和漏区轻掺杂，形成较高浓度的轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区，之后在栅区周围制备侧墙隔离结构，进行源区和漏区离子注入，通过一道在源区...
陈静伍青青罗杰馨肖德元王曦
一种薄膜异质结构的制备方法
本发明提供一种薄膜异质结构的制备方法，包括步骤：提供晶圆衬底，具有注入面；自注入面对晶圆衬底进行离子注入，以于晶圆衬底预设深度处形成一注入缺陷层；提供支撑衬底，将支撑衬底与晶圆衬底进行升温键合；对得到的结构退火处理形成连...
欧欣黄凯鄢有泉游天桂王曦
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