王玲
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
- 2002年
- 应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。
- 李忠辉王玉霞高欣李梅王玲张兴德
- 关键词：梯度折射率单量子阱激光器砷化镓GAAS/ALGAAS镓铝砷化合物
- 大功率GRIN-SCH-SQW激光器阵列
- 2002年
- 分析了梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN-SCH-SQW)结构的特点以及对大功率半导体激光器特性的影响。利用分子束外延系统生长 Ga Al As/Ga As GRIN-SCH-SQW结构 ,经光荧光谱、X-射线双晶衍射、和载流子浓度测试 ,结果表明 ,该结构各参数均满足设计要求。应用此结构制成激光器阵列 ,室温准连续输出功率达5 8W(t=2 0 0 μs,f=5 0 Hz) ,峰值波长为 80 8nm。
- 李忠辉王玲李梅高欣张兴德
- 关键词：分子束外延阵列半导体激光器
- InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响被引量：3
- 2002年
- 利用LP MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAsSCH SQW结构 ,制作了宽接触条形激光器 ,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值 ;腔长较短时 。
- 李忠辉李梅王玲高欣王玉霞张兴德
- 关键词：分别限制结构阈值电流密度
- 大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究被引量：1
- 2003年
- 介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W,阈值电流密度为 41 0 A/cm2 ,外微分量子效率为 62 % ,并进行了可靠性实验。
- 李忠辉高欣李梅王玲张兴德
- 关键词：单量子阱
- 外延技术在半导体激光器中的应用
- 1998年
- 本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法：液相外延（ＬＰＥ）、金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ），分析了各自的特点和局限性。介绍了我们在高功率半导体激光器研究方面所取得的一些进展，并比较了国内外的水平差距。
- 刘国军张千勇杨晗夏伟张兴德薄报学朱宝仁寻立春李学谦张宝顺王玲王玉霞
- 关键词：高功率半导体激光器LPECVDMBE
