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反应源温度对ZnO纳米线阵列定向性及发光性能的影响: 2012年; 以Au薄膜为催化剂、ZnO与碳混合粉末为反应源,采用碳热还原法在单晶Si衬底上制备了ZnO纳米线阵列。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、荧光分光光度计对样品的表征,研究了反应源温度对ZnO纳米线阵列的定向性和光致发光性能的影响。样品在源温度920℃条件下沿(002)方向择优生长,定向性最好,温度过低不利于ZnO纳米线阵列密集生长,而温度过高导致Zn原子二次蒸发,因而也不利于纳米线阵列的定向和择优生长;样品在源温度880℃有最强的近紫外带边发射,表明温度过高和过低都不利于ZnO晶体结构的优化;由于ZnO纳米线在缺氧氛围下生长,氧空位是缺陷存在的主要形式,因此所有样品都有较强的绿光发射。温度升高导致纳米线生长速度提高而增加了氧空位缺陷数量,从而使样品绿峰强度增强并在源温度920℃时达最大值,但温度的进一步升高可导致ZnO纳米线表面Zn元素的蒸发而降低氧空位缺陷的数量,从而抑制绿峰强度。; 赵勇陈贤刘兵发程国安唐建成方利广盛广沪; 关键词：ZNO纳米线阵列温度光致发光

光子晶体光纤的研究进展被引量：4: 2006年; 光子晶体光纤(POF)与普通光纤在光纤结构、单模特性、色散特性和非线性特性等方面有着显著的差别。简要分析PCF的原理,并探讨其重要特性以及应用价值,最后回顾了近来PCF的研究进展。; 盛广沪李鸿高跃飞; 关键词：光子晶体光纤多孔光纤色散补偿非线性

PFCVAD系统靶负压对硅基ZnO薄膜结构及应变的影响被引量：1: 2009年; 采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积（pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD）系统,以Si（100）单晶片为衬底,在衬底温度300℃、氧气压力4.0×10-2Pa的条件下制备出了c轴择优取向的ZnO薄膜。通过原子力显微镜（AFM）和X射线衍射（XRD）技术对ZnO薄膜的表征,研究了靶负压对ZnO薄膜结构和应变的影响。研究结果表明,不同靶负压条件下ZnO薄膜的晶粒大小分布在16.7~39.0 nm之间,靶负压对薄膜表面结构影响较小不同靶负压条件下ZnO薄膜都呈张应力,且张应力随靶负压的增大而增大。; 于鹏赵勇马力盛广沪赖珍荃唐建成; 关键词：ZNO

超光速研究的回顾与展望: 2003年; 人类对超光速的理论研究由来已久。近期的一些实验结果使得该领域再次成为人们广泛关注的热点 ,这是因为该现象既有诱人的应用前景 ,又涉及到重大的基础理论问题。本文将概述超光速的理论、实验以及存在的问题。; 徐旭明盛广沪; 关键词：超光速

碳纳米带的催化生长及其机理的研究被引量：2: 2008年; 采用热化学气相沉积法(thermal chemical vapor deposition,TCVD)在经过高温氨气处理后的硅基铁纳米薄膜表面实现片状碳纳米带的催化生长。通过场发射扫描电子显微镜(field emission scanning electron microscopy,FESEM)的观察可知,生成的碳材料是一种准二维材料,表面具有垂直于其长度方向的纹理,厚(z方向)约几十纳米,宽(y方向)几百纳米,类似于一种"搓板"状的结构。而其宽度沿着其长度方向则有较大的变化,时宽时窄,没有固定的规律。这种带状碳纳米纤维材料的边缘光滑,比中间略宽,类似于一种镶边结构。通过高分辨透射电子显微镜(high resolution transmission electron microscopy,HRTEM)的观察可知,碳纳米带的碳层沿着垂直于碳纳米带长度的(002)方向有统一的排列,其边缘都弯曲折叠成封闭结构。有序排列的碳层被层错和断点分割成许多微区。在对催化剂研究的基础上,本文认为片状碳纳米带的生长是通过碳原子在片层状催化剂颗粒中的扩散、析出来实现的。碳层从催化剂片层侧面中一层一层地析出,形成带状外观。; 赵勇俞进盛广沪高跃飞方利广梁晓军; 关键词：催化剂化学气相沉积

超慢光速的研究进展被引量：2: 2006年; 人类对超光速与慢光速的理论研究由来已久。近期的一些实验结果使得该领域再次成为人们广泛关注的热点,这是因为该现象既有诱人的应用前景,又涉及到重大的基础理论问题。本文将概述超慢光速的理论、实验及研究进展。; 盛广沪俞进廖兴展

对流、扩散及引力影响下He^4燃烧系统的非平衡动力学: 2003年; 采用非平衡过程动力学理论,考虑核反应区对流、扩散及引力的影响。对He4燃烧有:不考虑引力影响时,扩散效应是体系的稳定因素; ·V→>0时的对流效应是体系的稳定因素;核反应本身处于临界稳定状态;引力效应存在一临界半径rc,rrc分别为系统的稳定和不稳定因素。但综合以上所有效应,系统是稳定的,且涨落的模数越大,定态的稳定性程度越高。; 徐旭明刘健敏盛广沪; 关键词：扩散引力燃烧系统核反应恒星氦气

注入剂量和低温退火对硅离子注入热氧化硅层发光特性的影响: 2011年; 采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源制得了SiO2:Si辐照层。样品的室温可见PL谱峰位集中在560～700nm的4个谱带;Raman谱表明样品中没有纳米硅晶形成,XPS谱检测到富氧和缺氧两种价键结构。560nm发光中心起源于氧化硅层中的富氧结构缺陷SPR,620～700nm的谱峰均源自非桥氧空穴中心NBOHC。研究了注入剂量和退火温度对缺陷发光特性的影响。结果表明,当Si离子注入剂量小于6×1016 cm2时,伴随注入剂量的增加观察到PL谱带强度单调上升;当注入剂量超过6×1016 cm2时,因过量离子注入引发的浓度猝灭致使PL谱带发光强度显著减弱;注入剂量6×1016 cm2的样品在200～500℃温度范围内退火后相应的PL谱两个子谱带呈现相反的温度变化趋势,这种差异是由于作为发光中心的SPR和NBOHC具有不同的热诱导生长机制而导致的。; 赵勇侯硕俞进方利广郑军盛广沪; 关键词：离子注入氧化硅辐照损伤

光的本质与近代物理的诞生: 2005年; 人类对光的本性的认识经历了漫长的几个世纪,过程本身给后人以启迪,同时也导致近代物理学的两大支柱—相对论和量子力学的诞生。; 盛广沪俞进徐旭明; 关键词：近代物理

大功率开关电源的并联运行: 2005年; 主要讨论开关稳压电源的并联设计与制作,此电源具有功耗小,效率高,输出电流稳定以及输出功率大等优点,是大功率电器的理想电源。设计的是半桥式稳压电源,采用TL494集成块作为控制器,先用TL494集成块脉宽调制控制主电路的输出电路的输出电压保持不变,然后对主从电路输出进行采样,同时输入给高精度比较器,再用另一个TL494集成块脉宽调制控制这个比较器的输出结果,来调节从电路的输出电压,使主从电路的输出电压相等,产生80V、200W的输出。然后将两个这样的电源通过比较控制后关联起来,得到大功率(400W)的稳压电源。; 范定寰张景基盛广沪; 关键词：高功率脉冲宽度调制

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