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石凯
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4
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供职机构:
北京大学
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发文基金:
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相关领域:
自动化与计算机技术
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合作作者
谭长华
北京大学信息科学技术学院微电子...
许铭真
北京大学信息科学技术学院微电子...
刘雪蕾
北京大学
张志强
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石凯
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刘雪蕾
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中国集成电路
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2019
1篇
2007
2篇
2006
共
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冰箱温度控制装置
本实用新型公开了一种冰箱温度控制装置,该温度控制装置仅将感测冰箱温度的传感器留在冰箱体内,而将温度控制组件部分移至冰箱体外,这样既能够有效控制冰箱内的温度,又可避免机械温控产生的电火花,防止与易燃气体接触后发生爆炸。
刘雪蕾
吕明泉
李恩敬
张志强
石凯
文献传递
用“阈值电流”评估FLASH存储器件可靠性
2006年
本文针对小功率、低功耗的FLASH存储器件“小阈值电压窗口”的特点,提出了用“阈值电流”作为读取位线的参考电流。研究了“大阈值电压窗口”的ETOXTMFLASH和“小阈值电压窗口”的SONOSFLASH存储器件读取电流和阈值电流的退化,论证了用阈值电流对各种阈值电压窗口的FLASH器件读取性能可靠性进行评估的可行性。
石凯
许铭真
谭长华
关键词:
FLASH
阈值电流
存储器件
SONOS
参考电流
衬底负偏置对FLASH器件耐久性退化的影响
2006年
研究了ETOXTM结构FLASHmemory单元器件在VFG≈VD/2的热载流子写入应力条件下,衬底负偏置对单元器件耐久性退化的影响.结果表明:在既定的栅、漏偏置条件下,随着衬底负偏置的增加,器件耐久性退化会出现极小值.综合考虑了器件耐久性退化以及写入效率两方面的要求以后,确定了在VFG≈VD/2热载流子写入应力模式下,FLASHmemory单元器件具有增强写入效率以及最小耐久性退化的最佳衬底负偏置条件.
石凯
许铭真
谭长华
关键词:
FLASH
MEMORY
热载流子
耐久性
碰撞电离
Flash EEPROM器件可靠性研究
当前集成电路生产领域中,器件的特征尺寸已经减小到45nm(Intel多核心CPU),各种器件工艺尺寸亦随之减小。然而由于器件工作电压与器件特征尺寸等比例缩小之间所存在的矛盾,小尺寸器件都面临着高电场效应所带来的种种可靠性...
石凯
关键词:
集成电路
只读存储器
存储器件
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