根据核探测器前端电子学的特点,改进传统的低压差电压稳压器(Low Drop-Out regulator,LDO)结构,得到对外部电容容值和等效串联电阻(Equivalent Series Resistance,ESR)鲁棒的新型LDO,特别适合于核探测器的前端电子学领域。这一新型LDO结构对负载电容的鲁棒性比较强,而且电压净空低于200 mV,可以提升电源的效率。此外,这一结构电源的负载瞬态恢复时间比较小,小于400 ns,适用于模拟电路和模拟数字混合电路。本设计采用美国IBM公司的130 nm制程互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺,为北京谱议(BESIII)的CGEM(Cylindrical Gas Electron Multipliers)探测器的前端电子学设计做电源供电;并为LHC(Large Hadron Collider)的第三代像素探测器的电源供电做技术储备。
太阳中子事件是与耀斑活动相关的偶发性即刻粒子事件,主要表现为地面宇宙线探测装置的计数瞬时突增.太阳中子携带着爆发源区的物理信息:耀斑大气的元素组成、大气高度、磁场的会聚程度以及磁流体湍动等.相对于其他带电粒子,中子能够不受太阳磁场和行星际磁场的束缚而直达地面.目前,对太阳中子事件的理论研究,主要是通过蒙特卡罗模拟,考虑太阳耀斑环中磁场的螺旋角散射作用和磁镜效应,计算耀斑磁环模型里各向异性中子的产生与太阳大气高度、时间、角度和能量间的关系,计算逃逸中子的角分布和能谱,以及逃逸到地球附近中子的能谱.观测方面,主要是结合地面中子监测器记录的超出时间与空间探测到的γ射线核谱线发射峰值的时间差,利用飞行时间方法(Time of Flight Method),考虑中子监测器的探测效率和中子在地球大气中的衰减因素,反演日面处的中子能谱.本文依据已确定的10例太阳中子事件,评述基本的观测特征,介绍相应的观测仪器,探讨太阳中子能谱计算的两种方法(观测法和模型法),比较不同方法获得的计算结果;并依托羊八井太阳宇宙线探测装置(中子监测器、太阳中子望远镜),报道对太阳中子的初步交叉探测特征(1998年11月28日GLE事件和2005年1月20日GLE事件),指出目前亟待解决的问题.
