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石志仪

作品数：14 被引量：21H指数：3
供职机构：中南工业大学应用物理与热能工程系更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 10篇硅片
  • 9篇抗弯强度
  • 4篇单晶
  • 4篇机械强度
  • 3篇直拉硅
  • 2篇硅单晶
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 2篇硅
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单晶制备
  • 1篇氮含量
  • 1篇电路
  • 1篇载荷
  • 1篇翘曲
  • 1篇抗变形
  • 1篇抗变形能力
  • 1篇集成电路
  • 1篇含氮
  • 1篇高温

机构

  • 12篇中南工业大学
  • 3篇浙江大学
  • 2篇中南大学
  • 1篇河北工业大学

作者

  • 14篇谢书银
  • 14篇石志仪
  • 2篇李立本
  • 2篇李冀东
  • 2篇张锦心
  • 1篇佘思明
  • 1篇张维连
  • 1篇余思明
  • 1篇蔡爱军

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 3篇Journa...
  • 3篇中南工业大学...
  • 2篇稀有金属
  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇力学学报

年份

  • 2篇1998
  • 3篇1997
  • 2篇1996
  • 5篇1995
  • 2篇1993
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硅片的抗弯强度及其测量被引量：4
1995年
研究了硅片抗弯强度，提出了一种圆片冲击定量测定硅片抗弯强度的方法，讨论了其准确度及精度并通过实验进行了偏离小挠度的校准．
谢书银石志仪
关键词：半导体器件硅片抗弯强度
硅片抗弯强度测试方法中小挠度问题研究
1996年
推导了圆片冲击法测试硅片抗弯强度时最大挠度的计算公式．通过薄硅片抗弯强度的测试实验，对因不符合小找度假设产生的误差进行了实验校准，并研究了挠度、厚度比ω／δ与校准系数Ｋ的关系．结果表明，符合小挠度假设的范围是ω／δ≤１／７．
谢书银石志仪
关键词：抗弯强度硅片测试法
GB/T 15615-1995硅片抗弯强度测试方法研究
1998年
根据动能定理和薄板理论提出了一种新的脆性材料强度测试方法——圆片冲击法。通过当硅片较薄时偏离小挠度条件的实验校准，使该方法适用于各种厚度硅片的强度测量，进而制订了硅片抗弯强度测试方法的国家标准。
谢书银石志仪李冀东
关键词：硅片抗弯强度集成电路
含氮CZ硅力学行为研究被引量：2
1993年
用抗弯强度方法测定不同含氮量的原生和经550℃,750℃及900℃不等时热处理后直拉硅(NCZ-Si)的力学性能变化,结合红外光谱分析热处理过程氧、氮含量及形态的改变,认为在含氮直拉硅中,氮是以聚集在位错周围的氮氧硅络合物及氮氧硅沉淀初期微粒等多种形式钉扎位错的。
石志仪谢书银佘思明李立本张锦心
关键词：单晶制备直拉硅
高温工艺中硅片的翘曲被引量：3
1997年
通过硅片高温热处理实验研究了热处理工艺和硅片表面状态对硅片高温弯曲度变化的影响，高温工艺中竖直装片引起的形变较小，研磨硅片经过适当化学腐蚀可明显降低高温翘曲。
谢书银石志仪陈中祥
关键词：硅片
硅片力学行为与表面损伤被引量：2
1998年
研究了硅片力学行为与表面损伤的关系．结果表明，Ｍ２０金刚砂研磨使硅片表面产生损伤和微小裂纹，研磨硅片在常温工艺中容易破碎，机械强度较低；在高温工艺中容易弯曲或翘曲，抗形变能力差．研磨后化腐３０μｍ左右可使强度提高１倍多，达到材质固有强度，高温弯曲度变化降到磨片的１／４～１／３．研磨片表面７～８μｍ的微腐也可使强度提高到材质强度的７０％～８０％，弯曲度变化降到磨片的１／２～２／３．
谢书银石志仪蔡爱军李立本张锦心
关键词：抗弯强度硅片
热处理对硅片抗弯强度的影响被引量：2
1997年
研究了热处理温度、时间及降温方式对不同氧、氮含量的氩气氛直拉硅（ＡＣＺ）及氮气氛直拉硅（ＮＣＺ）抗弯强度（σ）的影响规律。结果表明：硅氧络合物和氮硅氧络合物的生成使抗弯强度提高，沉淀的形成使强度下降。提出了既能消除热施主。
谢书银石志仪李冀东董萍
关键词：硅抗弯强度硅片单晶硅
硅片的抗弯强度及其与高温抗形变能力的关系被引量：1
1995年
通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律，讨论了室温抗弯强度与高温抗形变能力之间的内在联系，提出了室温抗弯强度大小可以反映硅片高温抗形变能力的观点。
谢书银石志仪余思明
关键词：硅片抗弯强度抗变形能力高温
滚圆对硅单晶机械强度的影响
1995年
通过测定滚圆前后硅片强度变化，并结合扫描电镜观察，研究了滚圆在硅片表面造成的损伤及对抗弯强度的影响，提出了消除影响使强度恢复的简便方法。
谢书银石志仪
关键词：硅单晶机械强度
硅片高温翘曲与常温机械强度被引量：5
1997年
不同抗弯强度硅片高温弯曲度变化的实验结果表明，众多因素对抗弯强度和高温弯曲度的影响规律是一致的．高温翘曲度或弯曲度与抗弯强度有内在联系．抗弯强度不仅表示硅片在常温下的抗破碎能力，而且也反应了高温抗翘曲和弯曲能力．
谢书银石志仪陈忠祥张维连
关键词：硅片抗弯强度
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