秦海鸿
- 作品数：241 被引量：836H指数：15
- 供职机构：南京航空航天大学更多>>
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- 相关领域：电气工程电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 双绕组感应发电机系统无差拍电流预测控制策略被引量：10
- 2021年
- 双绕组感应发电机系统采用磁链定向控制策略可以分别对控制绕组有功电流与无功电流进行调节,从而获得控制绕组与功率绕组两端直流电压的稳定控制。然而,该控制策略需采用多个调节器,使得控制器设计困难,也制约了双绕组感应发电机系统的进一步发展与应用。针对该问题,提出双绕组感应发电机系统的无差拍电流预测控制策略,建立发电机系统的预测模型,在一个控制周期内以消除被控量的误差为目标,直接计算得到所需的控制量,又分析模型参数失配带来的电流误差问题,对该控制策略做了误差补偿。该文所提出的电流预测控制策略避免了繁琐的调节器参数整定过程,同时具有优秀的控制性能,实现了电流的无误差跟踪。样机仿真与实验结果验证了双绕组感应发电机系统无差拍电流预测控制的正确性与可行性。
- 卜飞飞罗捷刘皓喆黄文新秦海鸿
- 关键词：双绕组感应发电机电流预测控制误差补偿
- 基于双分频带的新型随机开关频率SVPWM策略
- 2023年
- 传统固定开关频率空间矢量脉宽调制(space vector pulse width modulation,SVPWM)技术导致的高次谐波使得电驱动系统电磁干扰问题较为严重,随机开关频率(random switching frequency,RSF)-SVPWM可用于改善此类现象。文中阐述了SVPWM技术与RSF-SVPWM技术的原理,探讨了RSF-SVPWM策略中扩频范围增大对系统的影响。为在扩频范围较小时仍能达到很好的高次谐波分散效果,提出一种基于双分频带的新型RSF-SVPWM策略。该策略以原中心开关频率为中点划分2个局部分频带,设置各自的局部中心频率点与扩频范围;以两相静止坐标系下理想β轴电压分量正负为标准,判断每一开关周期所属具体分频带后,使得开关频率围绕该分频带中的局部中心频率点进行各自的随机化。仿真与实验结果表明,该新型RSF-SVPWM策略相比于较大扩频范围的传统RSF-SVPWM策略,高次谐波分散效果相当,同时可降低系统电流环脉动,使得输出电磁转矩较为平稳,有助于推进电驱动系统在高端行业领域中的应用。
- 刘琦朱劲松陈文明卜飞飞秦海鸿
- 关键词：输出转矩
- 一种适用于GaN基电机驱动器的新型死区自适应控制方法被引量：1
- 2023年
- 设置死区时间是为了防止桥臂电路上下管直通问题,保证电机驱动器的可靠性。氮化镓(gallium nitride,GaN)基电机驱动器对死区设置较为敏感,死区时间过长会导致GaN器件反向导通损耗过高及电机驱动器输出波形畸变,过短则会造成输出电容损耗及高电流尖峰。该文对第一及第二死区时间的影响进行分类讨论,分析得出两种死区时间的优化原则,并基于此提出一种新型死区自适应控制方法。这种方法无需添加额外硬件电路,可以在消除输出电容损耗及电流尖峰的同时减小反向导通损耗,提高效率,并有效降低电机驱动器负载电流的总谐波失真,提高电机运行稳定性。仿真和实验验证新型死区自适应控制方法的有效性,且其在重载及高开关频率状态下较传统死区设置方法具有明显优势。
- 秦海鸿汪文璐谢斯璇彭江锦陈文明
- 关键词：自适应控制谐波抑制
- 直流母线电压非恒定型MMC-STATCOM
- 本发明为一种直流母线电压非恒定型MMC-STATCOM，属于电力电子设备领域。它由6个桥臂组成，每个桥臂由若干个相同的子模块与一个电抗器L串联构成，通过子模块的投入、切除或自锁实现三相多电平输出。其特点是：将模块化多电平...
- 秦海鸿赵海伟许炜聂新朱梓悦
- 文献传递
- 双凸极永磁电机两种斩波控制方式的比较被引量：9
- 2005年
- 三相六状态控制的转子斜槽式双凸极永磁电机通常采用单斩PWM调制方式。但传统的只斩桥臂上管或只斩桥臂下管的单斩方式会造成桥臂上下功率管损耗的不同,加大了散热设计难度。提出一种改进型单斩PWM调制方式,对桥臂上下管进行轮换单斩,保证了每个开关管损耗的一致性。两种单斩PWM调制方式的分析对比及系统实验结果表明:改进型轮换单斩上下管的PWM调制方式确保了上下管损耗的一致性,克服了传统单斩方式使功率控制器存在局部热点的缺陷,提高了系统效率,具有较高的可靠性。
- 秦海鸿黄伟君王慧贞严仰光
- 关键词：双凸极永磁电机转子斜槽电流滞环
- 650V eGaN HEMT短路特性研究被引量：1
- 2020年
- 增强型GaN HEMT(eGaN HEMT)可以大幅提升变换器的效率和功率密度,具有广泛的应用前景。但实际应用中由桥臂串扰引起的误导通,以及负载侧短路等都会导致eGaN HEMT流过较大的电流。因此,为了确保eGaN HEMT在过载、短路等工况下安全可靠工作,必须深入探究eGaN HEMT的短路工作原理以及电路参数对其短路特性的影响。本文首先建立了硬开关模式下的短路测试平台对eGaN HEMT的短路过程进行了研究,并利用eGaN HEMT热网络模型,分析了其短路过程中结温变化情况,进一步地探究了不同结温对其短路特性的影响。在此基础上对不同电路参数对eGaN HEMT短路特性的影响进行研究和对比,揭示了影响eGaN HEMT短路特性关键因素,为e GaN HEMT短路保护设计提供了一定的指导。
- 张英秦海鸿彭子和修强荀倩
- 关键词：HEMT短路特性短路保护温度依赖性
- 准方波整流在电压调整模块（VRM）中的应用
- 电压调整模块（VRM）是针对微处理器等典型数据处理电路开发的电源模块。本篇首先对VRM现在常用的拓扑进行了回顾,指出了其存在的缺陷,从而引入准方波整流电路,并对其工作原理进行了介绍。应用交错并联技术的多通道交错并联QSW...
- 秦海鸿张方华王慧贞
- 关键词：变换器VRM交错并联
- 文献传递
- 基于SiC BJT典型双电源阻容驱动电路的开关过程分析及损耗最优的实现被引量：6
- 2020年
- 为降低碳化硅(SiC)双极型晶体管(BJT)开关过程中的总损耗,针对SiC BJT典型的双电源阻容驱动电路,研究了考虑回路寄生参数情况下SiC BJT的详细开关过程,分析了加速电容对Si C BJT开关损耗和驱动损耗的影响,推导出了加速电容对SiC BJT开关过程各阶段持续时间的数学关系。理论分析表明,随着加速电容的增大,SiC BJT的驱动损耗成比例上升,而对开关损耗的优化并不明显。实验测试了加速电容从3. 3nF到94nF变化时SiC BJT的开关波形,并对加速电容变化时的SiC BJT的驱动损耗以及开关损耗进行了对比。实验结果表明,随着加速电容的增大,开关过程中的总损耗呈现先减小后增大的趋势,通过合理选取加速电容值,能够有效降低SiC BJT开关过程的总损耗。
- 莫玉斌秦海鸿修强王守一史杭
- 关键词：电力电子SICBJT开关损耗
- 宽禁带半导体器件研究现状与展望被引量：31
- 2016年
- 电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究发展方向。本文对碳化硅和氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和实验室研究现状进行了综述和探讨,并对宽禁带半导体器件在未来功率器件市场中的应用前景进行了预测及展望。
- 朱梓悦秦海鸿董耀文严仰光徐华娟
- 关键词：碳化硅氮化镓
- 一种用于电机驱动电路的桥臂及其控制方法
- 本发明实施例公开了一种用于电机驱动电路的桥臂及其控制方法，涉及电气设备及电气工程技术领域，能够抑制大电流情况下电机桥臂MOSFET体二极管反向恢复问题，减小电机驱动电路损耗，提高系统效率。本发明包括：桥臂开关管，桥臂优化...
- 马策宇秦海鸿张英董耀文付大丰
- 文献传递
