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程彦钊

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉大学更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 5篇纳米
  • 5篇纳米线
  • 5篇硅纳米线
  • 4篇二极管
  • 3篇电化学
  • 3篇电化学沉积
  • 3篇电化学沉积法
  • 3篇化学沉积法
  • 2篇带隙
  • 2篇电化学刻蚀
  • 2篇电流
  • 2篇电流密度
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇欧姆接触电极
  • 2篇接触电极
  • 2篇刻蚀
  • 2篇宽带隙
  • 1篇导电
  • 1篇有机无机
  • 1篇有机无机复合

机构

  • 5篇武汉大学

作者

  • 5篇程彦钊
  • 4篇方国家
  • 4篇李春
  • 3篇何俊

年份

  • 1篇2008
  • 4篇2007
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种基于硅纳米线的异质pn结二极管及其制备方法
本发明涉及一种基于硅纳米线的异质pn结二极管及其制备方法，该二极管的特殊之处是其pn结是在以垂直定向生长的p-型硅纳米线阵列中沉积n型宽带隙氧化物而成的p-硅纳米线/n-宽带隙氧化物异质pn结。该二极管的制备方法为：先用...
方国家李春程彦钊何俊
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一种n－硅纳米线/p－导电有机物异质pn结二极管及其制备方法
本发明公开了一种n－硅纳米线/p－导电有机物异质pn结二极管及其制备方法，该异质pn结二极管是由n型硅片上生长出的硅纳米线和硅纳米线间的缝隙中填充的p型导电有机物组成。该异质pn结二极管的制备方法是首先用无电金属沉积法在...
方国家程彦钊李春
文献传递
一种基于硅纳米线的异质pn结二极管及其制备方法
本发明涉及一种基于硅纳米线的异质pn结二极管及其制备方法，该二极管的特殊之处是其pn结是在以垂直定向生长的p－型硅纳米线阵列中沉积n型宽带隙氧化物而成的p－硅纳米线/n－宽带隙氧化物异质pn结。该二极管的制备方法为：先用...
方国家李春程彦钊何俊
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硅纳米线pn结制备及性能研究
程彦钊
关键词：硅纳米线整流特性有机无机复合
一种硅纳米线同质pn结二极管及其制备方法
本发明涉及一种硅纳米线同质pn结二极管及其制备方法，该硅纳米线同质pn结二极管的pn结是用硼扩散工艺在n型导电硅片上扩散形成p型导电层，形成平面同质pn结，再用无电极金属电化学沉积法自组装形成的纳米结构为模板，在该平面p...
方国家何俊李春程彦钊
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