罗桂海
- 作品数：20 被引量：13H指数：2
- 供职机构：清华大学研究院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学自动化与计算机技术建筑科学更多>>
- 大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法
- 本发明实施例公开了一种大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法，所述抛光液包括下述以重量百分比计的组分：磨粒5～50 wt%；碱性腐蚀剂0.1～10 wt%；分散剂0.01～1 wt%；酸性物质0.1～10 wt...
- 潘国顺陈高攀罗桂海罗海梅周艳潘立焱
- 文献传递
- Fe-N/C-TsOH催化剂应用碱性介质催化氧还原的电催化活性(英文)被引量：1
- 2014年
- 通过溶剂分散热处理方法制备了一种吡咯和对甲苯磺酸(TsOH)共同修饰的碳载非贵金属复合催化剂(Fe-N/C-TsOH),并采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对催化剂的形貌和组成成分进行表征.借助循环伏安法(CV)和旋转圆盘技术研究了TsOH对催化剂在0.1 mol·L-1KOH介质中催化氧还原性能的影响.结果表明:TsOH的存在对催化剂催化氧还原反应(ORR)的活性影响很大.以其制备的气体扩散电极在碱性电解质溶液中催化氧还原过程时转移的电子数为3.899,远比不含TsOH修饰的催化剂催化氧还原的电子数(3.098)高.此外,研究发现600°C热处理过的Fe-N/C-TsOH催化剂表现出最佳的氧还原催化性能.相比未经热处理过的Fe-N/C-TsOH催化剂,起峰电位和-1.5 mA·cm-2电流密度对应的电压分别向正方向移动30和170 mV.XPS研究结果表明吡咯氮是催化剂主要活性中心,提供氧还原活性位,而TsOH加入形成的C―Sn―C和―SOn―有利于催化剂催化氧还原活性的提高,从而使该催化剂对氧还原表现出很好的电催化性能和选择性.
- 徐莉潘国顺梁晓璐罗桂海邹春莉罗海梅
- 关键词：非贵金属催化剂碱性燃料电池氧还原反应
- 一种硅晶片循环抛光装置及循环抛光方法
- 本发明涉及一种硅晶片循环抛光装置及循环抛光方法。该装置包括抛光液处理系统，其包括：第一储液槽中设有分液漏斗和精密PH计，通过管路与抛光系统连通，在管路上设有滤芯和恒流泵；第二储液槽通过抛光系统的一出液管路与抛光系统连通，...
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- 文献传递
- 化学机械抛光液及其抛光方法
- 本发明实施例公开了一种化学机械抛光液及其抛光方法，所述二氧化硅颗粒，20‑50wt%；碱性腐蚀剂，1‑10wt%；芬顿试剂，1‑10wt%；络合剂，0.1‑1wt%；分散剂，0.01‑1wt%；所述芬顿试剂包括硫酸亚铁与...
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- 一种大尺寸硅边缘抛光液及其制备方法
- 本发明公开了一种大尺寸硅边缘抛光液及其制备方法，所述抛光液包括非球形介孔氧化硅颗粒及抛光助剂。所述的制备方法以活性硅酸为原料制备晶核，在晶核制备过程中添加粘结剂，改变晶核颗粒表面基团结沟、影响晶核颗粒表面电荷分布、压缩晶...
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- 一种用于蓝宝石晶片的抛光组合物
- 本发明公开了属于半导体照明LED芯片、精密仪器仪表制造技术领域的一种用于蓝宝石晶片循环抛光的抛光组合物。该抛光组合物包含磨料和水，其特征在于，还包含抛光促进剂、螯合剂和抛光稳定剂，其中，按重量百分含量，抛光促进剂为0.0...
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- 文献传递
- 一种硅晶片循环抛光装置及循环抛光方法
- 本发明涉及一种硅晶片循环抛光装置及循环抛光方法。该装置包括抛光液处理系统，其包括：第一储液槽中设有分液漏斗和精密PH计，通过管路与抛光系统连通，在管路上设有滤芯和恒流泵；第二储液槽通过抛光系统的一出液管路与抛光系统连通，...
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- 大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法
- 本发明实施例公开了一种大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法，所述抛光液包括下述以重量百分比计的组分：磨粒5～50 wt%；碱性腐蚀剂0.1～10 wt%；分散剂0.01～1 wt%；酸性物质0.1～10 wt...
- 潘国顺陈高攀罗桂海罗海梅周艳潘立焱
- 文献传递
- 抛光液组分对硬盘盘基片超光滑表面抛光的影响被引量：6
- 2012年
- 在硬盘盘基片的最终抛光中,研究SiO2溶胶颗粒、氧化剂、络合剂和润滑剂对盘基片Ni-P材料抛光性能的变化规律,获得较高的材料去除速率(MRR)和原子级光滑表面,以满足下一代硬盘盘基片制造的更高要求.结果表明,采用平均粒径25 nm的SiO2溶胶颗粒,易减少微划痕等缺陷;以过氧化氢为氧化剂,可大幅提高MRR;加入有机酸络合剂后,MRR显著增大,其中含有水杨酸的抛光液MRR最大,并讨论不同络合剂对盘基片去除的影响机理;丙三醇润滑剂的引入,使抛光中摩擦系数减小,盘基片的表面粗糙度得到明显降低.采用原子力显微镜(AFM)、光学显微镜和Chapman MP2000+表面形貌仪来考察盘基片抛光后的表面质量,基于抛光液各组分的影响作用,最终获得表面粗糙度Ra为0.08 nm的盘基片表面,且MRR达到0.132μm/min.
- 周艳罗桂海潘国顺
- 关键词：络合剂
- 化学机械抛光液及其抛光方法
- 本发明实施例公开了一种化学机械抛光液及其抛光方法，所述二氧化硅颗粒，20‑50wt%；碱性腐蚀剂，1‑10wt%；芬顿试剂，1‑10wt%；络合剂，0.1‑1wt%；分散剂，0.01‑1wt%；所述芬顿试剂包括硫酸亚铁与...
- 潘国顺陈高攀潘立焱罗海梅周艳罗桂海张楚红
