胡素英
- 作品数：3 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaAs中Si^+注入的X射线双晶衍射研究被引量：2
- 1992年
- 本文用X射线双晶衍射术,结合摇摆曲线的计算机模拟和电学测量,研究了 180keV Si+注入GaAs(100)样品及其退火过程中的结构变化.结果表明,注入态时Si原子基本上处在基体中的间隙位上,使点阵产生膨胀,在退火过程中逐渐进入替代位,但这一替代过程进行得并不彻底.当剂量高于 1×10^(13)cm^(-2)时,注入态就显著地产生了间隙Si原子进入替代位的过程.当剂量达到 1×10^(15)cm^(-2)时,经 800℃ 0.5 小时的炉退火仍然不能消除离子注入所引起的损伤和应变,大量Si原子留在间隙位上,使激活率难以提高.分析表明,空位和应力在Si原子从间隙位到替代位的过程中起了很大的作用,是GaAs中Si离子注入产生饱和现象的.主要原因.
- 朱南昌陈京一李润身许顺生夏冠群胡素英
- 关键词：砷化镓X射线双晶衍射
- 采用SF_6+O_2反应离子刻蚀聚酰亚胺膜被引量：2
- 1993年
- 报道了在O_2或SF_6+O_2混合气体中反应离子刻蚀聚酰亚胺的基本原理.使用牛津等离子科技公司的Plasmalab μp型刻蚀仪,对厚度0—4μm的聚酰正胺膜,进行各向异性的刻蚀,获得了侧墙陡直的微细图形.
- 孙承龙杜根娣郭方敏陈思琴林绥娟胡素英
- 关键词：聚酰亚胺半导体工艺
- 双层减反射膜的研究
- 1983年
- 我们采用电子束蒸发淀积得到了光学(折射率)匹配良好的Ta_2O_5和SiO_2体系,Ta_2O_5和SiO_2膜的折射率分别为2.15和1.45。测定了0.3—0.9μm光谱范围内Ta_2O_5单层膜的透过率和双层膜在0.4—0.9μm范围内的反射率分布。对蒸有厚度匹配良好的双层膜的硅电池,测得的平均反射率低于5％。 提出了一个以测定太阳电池在蒸发减反射膜前后的短路电流来估算平均有效反射的方法。估算结果和测定值非常近似,可用于蒸膜工艺和对膜质量的鉴定。
- 管丽民胡素英陆祝平
- 关键词：TA硅电池硅太阳能电池太阳电池双层膜
