莫培根
- 作品数：7 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 改进的低压LEC法生长半绝缘GaAs单晶
- 1990年
- 本文提出了改进的低压LEC/PBN法获得稳定的熔体化学计量比的条件,研究了晶体的电学性质、位错密度、C含量及EL2浓度等特性,并考察了高温热处理对晶体特性的影响.
- 莫培根范向群周炎德吴巨
- 关键词：GAAS单晶LEC法低压
- 直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
- 本发明是双坩埚法直拉GaSb单晶的改进，属于从熔体中直拉单晶的双坩埚法，其特征在于在外坩埚上沿有L形或反L形槽，内坩埚上装有挂钩，单晶炉机械手上有压板和拨棒，在下降籽晶拉晶前，使内坩埚的挂钩置于外坩埚槽的横槽内，从而使内...
- 莫培根谈惠祖杜立新范向群吴巨
- 文献传递
- 直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
- 本发明是双坩埚法直拉GaSb单晶的改进，属于从熔体中直拉单晶的双坩埚法，其特征在于在外坩埚上沿有L形或反L形槽，内坩埚上装有挂钩，单晶炉机械手上有压板和拨棒，在下降籽晶拉晶前，使内坩埚的挂钩置于外坩埚槽的横槽内，从而使内...
- 莫培根谈惠祖杜立新范向群吴巨
- 文献传递
- 高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响被引量：2
- 1999年
- 本文利用Ｗｅｎｚｌ的ＧａＡｓ缺陷模型研究了在Ｔ＝１１５０℃时，Ｇａ１－ｘＡｓｘ固溶体化学计量比偏离度（Ｓ＝１－２ｘ）对ＧａＡｓ晶体气固相平衡的影响．计算表明平衡Ａｓ压在晶体富Ａｓ情况下（即Ｓ＜０）随Ｓ的减小，迅速增加、而在富Ｇａ情况下（即Ｓ＞０）随Ｓ的增大趋于零．为了了解杂质对相平衡的影响，本文考虑了非掺ＬＥＣ晶体中两种浓度较高的杂质Ｃ和Ｂ，发现在Ｃ浓度为１．５４×１０１６ｃｍ－３时，平衡Ａｓ压的变化趋势基本不变，Ａｓ压只有少许增加．在Ｂ浓度为２．２×１０１７ｃｍ－３时，平衡Ａｓ压在富Ａｓ侧有较大降低．
- 赵福川夏冠群杜立新谈惠祖莫培根
- 关键词：砷化镓高温退火
- 非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长被引量：1
- 2000年
- 研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法(VGF)生长技术,解决了Si沾污和C浓度的控制问题,得到了直径2英寸非掺半绝缘低位错单晶。测试表明:该单晶的位错密度较LEC单晶下降近一个数量级,电学参数与LEC单晶类似,接近国外VGF单晶的参数指标。
- 赵福川谈惠祖杜立新莫培根
- 关键词：晶体生长
- 用物理化学方法鉴别砷化镓中最主要深能级EL2的本性被引量：2
- 1988年
- 本文应用半导体物理化学方法(借助某些物理测试手段)研究GaAs材料中最主要深施主能级EL2映陷的形成及其转化的一些规律。首先归纳了鉴别EL2本性的三个重要依据(化学计量比、与位错关系和低温光猝灭行为),然后着重阐述三元络合物A_(SGa)V_(As)V_(Ga)作为EL2缺陷构型的形成反应、应变模型形成机理和亚稳态机理,并利用该模型来解释EL2的主要物理和化学性质,对文献报道的EL2其它可能构型如As_(Ga)、As_(Ga)Asi、As_(Ga)V_(As)、As_(Ga)V_(Ga)、(Asi)_4、(As_(Ga))_n、V_(Ga)V_(As)和As_(Ga)V_(Ga)V_(As)等作了评述。最后还讨论了EL2与GaAs中其它深能级的关系,其中包括EL2族现象。
- 邹元爔汪光裕莫培根
- 关键词：能级深能级缺陷EL2物理化学方法砷化物砷化镓三元络合物
- 半绝缘GaAs单晶中的微沉淀
- 1989年
- 利用 JEM-200CX 透射电子显微镜观察了原生未掺杂及掺铟的半绝缘 GaAs 单晶中的微沉淀相,发现含位错的晶体中均有 GaAs 的微多晶粒沉淀相,大小在5～100nm 不等。根据 EDXA 分析,这些微多晶粒是富砷的 GaAs,富砷的程度掺铟的比未掺的严重。沉淀相可能是由于晶体生长时,生长界面局部组份过冷所引起。
- 莫培根朱健吴巨
- 关键词：GAAS单晶绝缘相变
