董成军
- 作品数：19 被引量：69H指数：6
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：四川省教育厅资助科研项目贵州省科学技术基金四川省应用基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Cu掺杂对sol-gel法制备的ZnO∶Co薄膜发光特性的影响被引量：1
- 2011年
- 采用溶胶-凝胶法制备了Cu、Co共掺的Zn0.95-xCo0.05CuxO(x=0,0.01,0.03,0.05)薄膜,并用金相显微镜和X射线衍射(XRD)研究了样品薄膜的形貌和结构,结果发现掺杂量影响着衍射峰的强度和位置。测量了样品的室温光致发光谱(PL谱),所有样品均观察到紫外发光带和蓝光发光带,同时伴随有较弱的绿光发光带。微量Cu掺杂能够显著提高ZnO∶Co薄膜的发光强度,对样品的发光机制进行了讨论。
- 段文倩徐明吴艳南董成军杜懋陆
- 关键词：溶胶-凝胶光致发光
- 碳掺杂ZnO的电子结构和光学性质被引量：16
- 2008年
- 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算研究碳掺杂ZnO的电子结构和光学性质.计算结果表明:C原子替代O原子和C原子替代Zn原子两种掺杂体系的电子结构存在明显差异,这主要是由于C原子的电子分布及对周围原子的影响不同;碳掺杂ZnO光学性质的变化集中在低能量区,而高能量区的光学性质没有明显变化.结合电子结构定性解释了光学性质的变化.
- 段满益徐明周海平陈青云胡志刚董成军
- 关键词：ZNO碳掺杂电子结构光学性质
- 一种铜铁矿型铜铝氧红外透明导电膜的制备方法
- 本发明涉及一种纳米级红外透明导电膜的制备方法，特别是用于红外窗口的既透明又导电的红外透明导电薄膜的制备方法。本发明选用蓝宝石或硅(111)做为薄膜生长的衬底材料；制备薄膜主要采用高真空磁控溅射工艺；提出共靶溅射的方法，靶...
- 王一丁曹峰陈君景董成军曹佳佳付强揣雅惠陈晨
- 文献传递
- 铟基氮、氧化物和铜基氧化物薄膜的制备及性质研究
- 薄膜材料是利用特殊的技术手段，人为制得的其一维尺度显著小于另外二维尺度的、具有特定性能与用途的材料。近年来，铟基氮、氧化物和铜基氧化物薄膜在光电子器件，稀磁半导体、太阳能电池、电极材料、介电材料、催化剂和传感器等许多领域...
- 董成军
- 关键词：INNCO掺杂
- Co与Cu掺杂ZnO薄膜的制备与光致发光研究被引量：14
- 2009年
- 采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Co,Cu单掺杂及Co,Cu共掺杂ZnO薄膜.用金相显微镜观察了Co与Cu掺杂对ZnO薄膜形貌的影响.X射线衍射(XRD)研究揭示所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向,在Cu单掺的ZnO薄膜中晶粒尺寸最大.对所有样品的室温光致发光测量都观察到较强的蓝光双峰发射和较弱的绿光发射,其中长波长的蓝光峰和绿光峰都能够通过掺杂进行控制.对不同掺杂源的ZnO薄膜发光性能进行了分析,认为蓝光峰来源于电子由导带底到锌空位能级的跃迁及锌填隙到价带顶的跃迁,绿光峰是由于掺杂造成的氧错位缺陷能级所致.
- 吴定才胡志刚段满益徐禄祥刘方舒董成军吴艳南纪红萱徐明
- 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶COCU掺杂光致发光
- Co掺杂ZnO薄膜的结构及光磁性能研究被引量：8
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Zn1-xCoxO(x=0,0.01,0.03,0.05,0.08,0.12)薄膜.利用显微镜和X射线衍射(XRD)研究了ZnO:Co薄膜的表面形貌和微结构.结果表明,所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向,尤其是当掺杂浓度为12%时,薄膜c轴择优取向最为显著.振动样品磁强计(VSM)测量表明Zn1-xCoxO薄膜具有室温铁磁性.室温光致发光测量发现,所有样品的PL谱中都出现了较强的蓝光双峰发射和较弱的绿光发射,分析认为这主要是由于Co元素的掺入改变了薄膜的禁带宽度、锌填隙缺陷和氧位错缺陷浓度,其中长波长的蓝光峰和绿光峰都能够通过掺杂进行控制.基于上面的测量结果,探讨了不同波段光发射的机理与掺杂状态之间的关系.
- 吴艳南吴定才邓司浩董成军纪红萱徐明
- 关键词：溶胶-凝胶CO掺杂光致发光铁磁性
- AlInN光电薄膜的研究进展被引量：1
- 2010年
- AlInN三元合金是优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,具有优良的光学和电学性能,在光电子器件应用方面具有广阔的应用前景。详细评述了近年来AlInN薄膜材料在生长技术、晶体结构、表面形貌、热学特性、光电特性等方面的研究,为AlInN三元合金在光电方面的基础和应用研究提供了重要参考。
- 芦伟徐明董成军魏屹
- 多温段同时退火的真空退火装置
- 一种多温段同时退火的真空退火装置，包括真空箱体、加热炉、温度传感器、集热罩、集热罩支架、薄膜托盘、托盘支撑杆和托盘调节机构；托盘调节机构包括支座、支撑架、主调节螺杆、调节架、辅调节螺杆、连接板和托盘调节杆。加热炉放置在真...
- 徐明纪红萱董成军
- 文献传递
- 氮化物半导体低维结构的制备及光、电性质研究
- 众所周知，半导体材料已经在信息技术的各个领域得到了广泛的应用，以它们为基础研发的器件正逐步进入并改善着人们的生活。随着世界科学研究的不断发展，以氮化物为代表的新型半导体材料开始在光电子和微电子器件应用方面显示出巨大的优越...
- 董成军
- 关键词：磁控溅射第一性原理掺杂改性
- 文献传递
- Si／SiNx／SiO2多层膜的光致发光被引量：3
- 2008年
- 采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。
- 陈青云段满益周海平董成军魏屹纪红萱黄劲松陈卫东徐明
- 关键词：红外吸收光致发光
