您的位置: 专家智库 > >

蔡式东

作品数:4 被引量:47H指数:2
供职机构:西安电子科技大学更多>>
相关领域:电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇化学工程

主题

  • 1篇压敏
  • 1篇压敏陶瓷
  • 1篇氧化钴
  • 1篇探测器
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷半导体
  • 1篇偏心
  • 1篇偏心距
  • 1篇频率响应
  • 1篇转轴
  • 1篇相干
  • 1篇相干光
  • 1篇激光
  • 1篇激光测量
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇半导体
  • 1篇SR
  • 1篇SRTIO

机构

  • 4篇西安电子科技...

作者

  • 4篇蔡式东
  • 2篇曹全喜
  • 2篇周晓华
  • 1篇徐毓龙
  • 1篇张显炽
  • 1篇牛苏彦

传媒

  • 1篇计量学报
  • 1篇红外技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1993
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
SrTiO_3陶瓷中掺杂和Ti/Sr比的配合被引量:20
1995年
在SrTiO_3双功能陶瓷的制备中,最关键的是晶粒生长、晶粒半导化和晶界绝缘化。SrTiO_3晶粒生长和半导化受到多种因素的影响,诸如杂质的种类和含量、Ti/Sr比、烧结温度、氧分压等,这些因素是相互制约、共同作用的。研究表明,适当的Ti过量促进晶粒生长;Ti/Sr≈1时,可降低烧结对氧分压的要求;过量Ti ̄(4+)和Sr ̄(4+)的固溶限受到氧分压和施主掺杂的影响,与此类似,施主杂质Nb ̄(5+)和La ̄(3+)的固溶限也受到Ti/Sr比的影响。
曹全喜周晓华蔡式东牛苏彦
关键词:掺杂陶瓷半导体
Co_3O_4在压敏陶瓷中的作用和影响被引量:28
1996年
研究了Co3O4在ZnO压敏陶瓷中的作用,以及它对电性能和微观结构的影响。X光衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子探针(EPMA)分析结果表明,在ZnO压敏陶瓷中Co离子以Co2+的形式存在,多数Co离子已溶入ZnO晶粒中,形成替位或填隙缺陷,但它基本上不影响ZnO晶粒的生长。电性能测试结果表明,适当的氧化钻含量能提高ZnO压敏陶瓷的非线性系数和通流能力,并能降低漏电流和限制电压,然而过多的氧化钻则会对回升区大电流特性带来损害.此论点至今在国内外尚未见到类似的报道。
曹全喜周晓华蔡式东徐毓龙牛苏彦
关键词:压敏陶瓷氧化钴
转轴微小偏心距的相干光测量方法
1993年
介绍了一种利用激光外差测量转动物体偏心距的动态测量方法。以CO_2激光器为本振光,转动圆盘模拟转动物体,对其在不同转速下的偏心距进行精密测量,给出测量应满足的条件和测量结果。
蔡式东邱吉衡张显炽
关键词:激光测量转轴
光外差宽带频率响应的测量
1993年
本文介绍了一种利用光外差技术测量光电探测器超宽带频率响应的方法,讨论了测量系统所应满足的测试条件,给出了利用CO_2激光器组成的测量系统对HgCdTe光电二极管频率响应的测量结果,并对此测量方法的独特之处进行了分析讨论。
蔡式东邱吉衡
关键词:频率响应光电探测器
共1页<1>
聚类工具0