您的位置： 专家智库 > >

蔡新华

作品数：6 被引量：38H指数：3
供职机构：常德师范学院电子学研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇二极管
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体器件
  • 2篇电磁
  • 2篇电磁脉冲
  • 2篇时域有限
  • 2篇时域有限差分
  • 2篇计算机
  • 2篇计算机模拟
  • 2篇硅二极管
  • 1篇电磁波
  • 1篇电流模
  • 1篇电流模式
  • 1篇阈值
  • 1篇微波
  • 1篇稳态模拟
  • 1篇二次击穿
  • 1篇非线性
  • 1篇高功率微波
  • 1篇半导体器件模...

机构

  • 6篇常德师范学院
  • 3篇西北核技术研...
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 6篇余稳
  • 6篇蔡新华
  • 3篇黄文华
  • 3篇刘国治
  • 1篇周传明
  • 1篇方中华

传媒

  • 3篇强激光与粒子...
  • 2篇常德师范学院...
  • 1篇衡阳师范学院...

年份

  • 3篇2000
  • 3篇1999
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏被引量：29
1999年
利用时域有限差分（ＦＤＴＤ）方法，对电磁脉冲引起半导体器件的毁坏过程进行了数值模拟，得到了无负载半导体ｐｎ结器件在快前沿（ｎｓ量级）电磁脉冲作用下的瞬态行为。
余稳蔡新华黄文华刘国治
关键词：电磁脉冲半导体器件电流模式时域有限差分
半导体器件模拟中的时间拓展
1999年
利用计算机进行半导体器件模拟时，最大限制是所需CPU时间特别长。对此，提出了一种适应于半导体器件电磁波效应计算机模拟研究的时间拓展方法，可在满足精度（10％）的范围内将计算时间缩短45％以上。
蔡新华余稳
关键词：半导体器件计算机模拟
半导体PN结器件一维稳态模拟
1999年
从研究半导体PN结器件烧毁物理机理出发，建立了一种高效通用的半导体PN结器件计算机分析模型，并编制了一维德态程序，瞬态程序及二维模型研究将随后开展。
余稳蔡新华黄文华刘国治
关键词：计算机模拟微波
硅二极管I-V特性及二次击穿计算
2000年
利用时域有限差分方法 ,求解了一维半导体器件内部载流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法。
余稳蔡新华
关键词：硅二极管I-V特性二次击穿时域有限差分
硅二极管对高功率微波的非线性响应计算被引量：6
2000年
考虑二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组中可能考虑的因素 ,利用自行研制的半导体器件模拟程序 m PND1 D,对硅二极管在高功率微波激励下的非线性特性进行了数值计算 ,结果显示出硅二极管对微波信号响应的非线性。
余稳蔡新华周传明方中华
关键词：高功率微波硅二极管
二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系被引量：10
2000年
利用半导体 PN结器件一维模拟程序 m PND1 D,计算了二极管在不同电磁脉冲电压源条件下的失效和烧毁时器件吸收的能量 ,并对结果作了初步分析。
余稳蔡新华黄文华刘国治
关键词：电磁脉冲半导体器件二极管电磁波
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0