您的位置： 专家智库 > >

裴志军

作品数：1 被引量：8H指数：1
供职机构：电子部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇英寸
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇固液
  • 1篇固液界面
  • 1篇硅单晶
  • 1篇半导体
  • 1篇硅

机构

  • 1篇电子部

作者

  • 1篇裴志军
  • 1篇纪秀峰

传媒

  • 1篇半导体杂志

年份

  • 1篇1998
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
4英寸<111>硅单晶制备中的“断棱”与“掉苞”问题被引量：8
1998年
放肩前形成一个完全无位错的晶核，等径生长过程使固－液界面平坦是硅无位错晶体生长保持过程中的关键问题。据此讨论分析了Ф４英寸＜１１１＞硅单晶中易出现的放肩“断棱”、等径过程中“掉苞”问题。
裴志军纪秀峰刘峰
关键词：半导体固液界面晶体生长硅
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0