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覃化
作品数:
4
被引量:6
H指数:2
供职机构:
上海交通大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
史常忻
上海交通大学微电子学院微电子技...
王森章
上海交通大学微电子学院微电子技...
曹俊峰
上海交通大学
邵传芬
上海交通大学
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曹俊峰
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固体电子学研...
年份
4篇
1998
共
4
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平面交叉指状电极间电场分布
被引量:3
1998年
研究了具有金属-半导体-金属结构的探测器内部电场与其几何尺寸的关系,并求出了使探测器内部电场均匀性、稳定性达到最佳的几何条件。
史常忻
覃化
邵传芬
曹俊峰
关键词:
半导体器件
MSM-PD
光电器件
具有势垒增强层的MSM光电探测器暗电流的计算
被引量:3
1998年
将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM-PD简化为一维模型,并通过理论分析,得出了它的暗电流特性,进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。
覃化
史常忻
王森章
关键词:
肖特基势垒
MSM-PD
具有势垒增强层的MSM-PD的特性模拟
该论文工作针对用于长波长光纤通讯中使用的InGaAs金属-半导体-金属光电探测器的暗电流特性而开发.无势垒增强层的InGaAs MSM-PD的暗电流高而导致的光接收机灵敏度降低,通过在光吸收层上生长一层肖特基势垒增强层...
覃化
关键词:
MSM光电探测器
暗电流
晶格匹配
具有势垒增强层的MSM光电探测器特性的模拟
1998年
无势垒增强型的金属—半导体—金属光电探测器(MSM-PD)已有过理论分析[1],而对具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM-PD则缺乏理论分析。文章将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSMPD简化为一维模型,并通过理论分析,得出了它的暗电流特性。其结果与实验的相符。
覃化
史常忻
王森章
关键词:
光电器件
探测器
肖特基势垒
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