解国良
- 作品数：30 被引量：24H指数：3
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 一种高强度高导电性能Cu-Ag合金的制备方法
- 本发明公开了属于铜合金材料制备技术领域的一种高强度高导电性能Cu‑Ag合金的制备方法，具体通过固液双相凝固结合半固态铸造技术，在铸态组织中形成大量Ag的过饱和固溶体，并且细化铸态显微组织，进而结合多向高温低温锻造+组合时...
- 解国良王强松刘冬梅刘芳苑伟张嘉凝
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- 一种高精度大直径薄壁钛管材的制备方法
- 本发明涉及一种高精度大直径薄壁钛管材的制备方法，属于金属加工技术领域。首先将挤压管坯内、外表面和端面进行车削，然后用砂纸将内、外表面抛光；进行3～5道次大加工率旋压；酸洗，去除表面油污、杂质；进行立式真空热处理，消除加工...
- 郭青苗胡捷解国良汤振雷
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- 一种层状钛铝复合板的制备方法
- 本发明公开了属于层状复合材料的制备加工技术领域的一种层状钛铝复合板的制备方法。此方法先通过固液熔覆对组合后的钛或钛合金板表面涂镀一层铝或铝合金，再通过热扩散/热轧复合实现铝或铝合金板与涂镀后的板材之间的复合，得到层状钛铝...
- 郭青苗李德富解国良彭海健郭胜利胡捷
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- 双相层状复合Cu-24%Ag合金的组织与性能被引量：3
- 2017年
- 采用冷轧和时效工艺制备了Cu-24%Ag(质量分数)合金板材,研究了轧制过程中合金组织与性能的演变规律,讨论了合金强化和电导率与组织变化的关系。剧烈的轧制变形后,合金组织演变成Cu基体和Ag相交替排列的纳米层状结构,Cu基体中包含大量细小的Ag析出相纤维,一些Ag层区域分布着(Cu+Ag)共晶体。当变形至94%左右时,纵截面组织出现剪切带。随变形量增大,Cu基体和Ag层之间的相界面间距、Ag析出相纤维间距和共晶体片层间距均逐渐减小至几十纳米,强化效应显著增强,使合金的硬度在变形量大于96%时急剧增大。建立了Cu/Ag界面引起的电阻率增幅与变形量的关系,可以反映轧制变形引起的组织细化对合金电导率的影响规律。
- 高学成王强松解国良刘冬梅谢伟滨李洋
- 关键词：CU-AG合金显微组织层状结构
- 一种高强度高导电性能Cu-Nb合金坯料的制备方法
- 本发明公开了属于铜微观复合材料制备技术领域的一种高强度高导电性能Cu‑Nb合金坯料的制备方法。所述高强度高导电性能Cu‑Nb合金为Cu‑Nb二元合金，以纯铜锭80‑98wt％，纯铌锭1‑17wt％，纯铌粉末1‑3wt％的...
- 解国良王强松刘冬梅刘芳苑伟张嘉凝
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- 一种超低摩擦系数的白铜/Ni-MoS<Sub>2</Sub>复合材料及其制备方法
- 本发明涉及一种具有超低摩擦系数的白铜/Ni‑MoS<Sub>2</Sub>复合材料及其制备方法，属于金属材料及其制备技术领域。该复合材料包括高韧性白铜基体、在基体表面通过多靶磁控溅射的方式交替溅射沉积形成的Ni纳米层和M...
- 刘冬梅王强松解国良
- C17200合金时效早期相变行为被引量：10
- 2013年
- 采用XRD与TEM分析手段研究了C17200铜合金早期时效相变行为及其对合金性能的影响。结果表明,该合金固溶处理后320℃时效,时效1 h内,铍原子借助铜基体中的空位进行上坡扩散,形成富铍区,造成了(200)主峰的左侧出现了比较明显低角度边带峰。合金发生了调幅分解,沿基体的(100)面上形成了圆盘状结构的GP区。利用Daniel-Lipson公式可得出,随时效时间的延长,成分调幅波长先增大后减小;同时,GP区则不断长大,且逐渐转化成板条状的γ'相。调幅分解和γ'相的析出是合金在时效过程中强度、电导率升高的主要原因。
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- 关键词：时效处理调幅分解
- 一种高阻尼性能Cu-Mn-X系阻尼金属材料及其制备方法
- 本发明涉及一种高阻尼性能Cu-Mn-X系阻尼金属材料及其制备方法，属于铜合金材料技术领域。该材料中，Cu为43wt％-54.7wt％，Mn为45-55wt％，X为Zr、Cr和B，其中，Zr为0.1wt％-1.0wt％，C...
- 王强松解国良刘冬梅
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- 提高铜合金抗应力松弛能力的累积叠轧及热处理方法
- 本发明涉及一种提高铜合金抗应力松弛能力的累积叠轧及热处理方法，采用经过固溶处理的厚度为1～5mm的弹性铜合金板材为原料；首先，将清理后的两块铜合金板材表面压合在一起，并将压合后的板材四周焊接粘合；将焊接后的两块铜合金板材...
- 解国良王强松米绪军熊柏青
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- 一种高强度高导电性能Cu‑Ag合金的制备方法
- 本发明公开了属于铜合金材料制备技术领域的一种高强度高导电性能Cu‑Ag合金的制备方法，具体通过固液双相凝固结合半固态铸造技术，在铸态组织中形成大量Ag的过饱和固溶体，并且细化铸态显微组织，进而结合多向高温低温锻造+组合时...
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