您的位置: 专家智库 > >

赵江涛

作品数:7 被引量:8H指数:2
供职机构:兰州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:理学电子电信医药卫生核科学技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生

主题

  • 3篇单粒子
  • 3篇单粒子效应
  • 1篇单粒子翻转
  • 1篇等离子体
  • 1篇电路
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇折射率
  • 1篇乳腺
  • 1篇乳腺癌
  • 1篇闪烁晶体
  • 1篇闪烁体
  • 1篇双电子
  • 1篇探头
  • 1篇强流
  • 1篇温度效应
  • 1篇腺癌
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇晶体

机构

  • 7篇兰州大学

作者

  • 7篇赵江涛
  • 3篇彭海波
  • 3篇王铁山
  • 2篇王强
  • 2篇方开洪
  • 2篇赵江涛
  • 1篇刘昕
  • 1篇王金文
  • 1篇李青
  • 1篇令亚琴
  • 1篇蒙萱
  • 1篇张利民

传媒

  • 2篇现代应用物理
  • 1篇原子核物理评...
  • 1篇大学物理实验

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2007
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
利用强流氘离子注入及离子束分析方法研究氘在面向等离子体候选壁材料中的沉积行为
能源是人类文明的物质基础,当今煤炭、石油等化石燃料已经日益稀缺,而人类对能源的需求量却在不断增加。太阳能、风能、水能等可再生能源易受地理位置和气候条件的影响,不可能成为能源供给的主要力量,开发和利用核能已经成为人类解决能...
赵江涛
文献传递
一种基于闪烁光纤与闪烁晶体耦合的闪烁体探头
本实用新型提供了一种基于闪烁光纤与闪烁晶体耦合的闪烁体探头:在闪烁晶体面开0.1mm深度的平行凹槽,将0.1mm直径的闪烁光纤布置在凹槽内,并用0.75折射率的光学胶将凹槽填注满,使光子可由270°的角度进入光纤。并且因...
方开洪王强赵江涛
文献传递
基于Multisim12的直接耦合放大电路分析被引量:4
2018年
以一个实际直接耦合放大电路为例,从静态和动态两方面,分析讨论了直接耦合放大电路的分析方法。强调了正确的静态分析在放大电路分析中的重要性。应用Multisim 12.0电路仿真软件对该放大电路进行模拟仿真,并对模拟仿真结果和分析计算结果进行了比较讨论,论证了直接耦合放大电路分析方法的正确性。
赵江涛王强方开洪关兴彩蒙萱张利民
关键词:放大电路
基于热峰模型的单粒子效应模拟研究被引量:2
2019年
单粒子效应是航天电子器件失效的重要原因,研究其物理过程对航天电子器件寿命预测、器件抗辐照加固有着重要的意义。现有的模型多从线性能量沉积的角度来解释单粒子翻转,因此无法解释单粒子效应地面实验模拟过程中的温度效应。建立了一个新模型,从高能带电离子与材料相互作用的物理过程出发,通过解三维的热扩散方程,计算出能量在材料中沉积、交换、扩散,得到电子和晶格温度的空间分布以及时间演化过程。推断出离子辐照过程中导致的自由电子浓度和收集电荷随LET的变化关系。此模型解释了单粒子效应中随着器件温度升高,单粒子效应截面增加的现象。
彭海波管明王铁山赵江涛赵江涛
关键词:单粒子效应载流子浓度
激光诱发单粒子翻转的物理过程模拟
2023年
针对激光诱发的单粒子翻转过程开展模拟,提出了激光与半导体相互作用的双电子共振吸收模型,并在此基础上推导出吸收系数随温度变化的规律。该模型能自然得到激光与半导体作用的非线性吸收结果。利用热峰模型计算激光辐照器件后的温度演化行为,模拟了激光入射器件产生的单粒子翻转过程,得到了激光能量与等效LET的对应曲线,发现该曲线不是线性关系。该曲线是由激光在半导体中的非线性吸收导致的。除此之外还模拟了激光入射后产生的自由电荷总量与激光的特性参数(脉冲宽度)的依赖性关系。
秦可勉彭海波茆亚南赵江涛王铁山
关键词:单粒子效应脉冲激光
乳腺癌中甲状腺素受体、P53和cyclinD1基因的表达的相关性研究
令亚琴李青王金文赵江涛刘昕
任务来源:甘肃省科技攻关计划项目。编号:2GS054-A43-014-06。研究背景及目的:肿瘤的发生是一个多基因参与,多阶段发展的过程,癌基因的激活和(或)抑癌基因的突变,缺失是各种肿瘤发生,发展的基础,对其生物功能的...
关键词:
关键词:乳腺癌基因表达
单粒子效应的物理过程模拟被引量:1
2019年
假定离子入射导致器件温度升高,部分电子被激发成为自由电子,当器件收集的自由电子的总电量超过其临界电荷量时,即会发生单粒子翻转现象,从而建立了一个新的单粒子效应物理模型。通过编写程序求解热扩散方程,得到了不同LET的离子入射下,硅材料的温度分布,并根据此温度分布,得到了硅材料内激发的自由电子数目。根据实验数据,使用威布尔函数拟合了LET与器件翻转截面之间的关系式,建立了自由电子数目与器件翻转截面之间的关系式。程序模拟结果表明,入射离子的LET相同时,器件初始温度越高,在器件中所激发出的自由电子数目越多,导致器件翻转截面越大。该模型解释了单粒子效应中随着器件温度升高,单粒子效应截面增加的现象。
管明郭红霞陈哲浩赵江涛赵江涛王铁山
关键词:单粒子效应温度效应
共1页<1>
聚类工具0