您的位置: 专家智库 > >

赵谦

作品数:4 被引量:4H指数:1
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:北京市自然科学基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术理学交通运输工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇搜索
  • 2篇网络
  • 2篇目标检测
  • 1篇跃迁
  • 1篇智能车
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理
  • 1篇迁移
  • 1篇氢化非晶硅
  • 1篇自动驾驶
  • 1篇铒掺杂
  • 1篇网络架构
  • 1篇网络搜索
  • 1篇网络训练
  • 1篇结构弛豫
  • 1篇架构
  • 1篇驾驶
  • 1篇光致
  • 1篇光致荧光
  • 1篇非晶

机构

  • 4篇北京工业大学
  • 1篇金泽大学

作者

  • 4篇赵谦
  • 2篇严辉
  • 2篇王波
  • 1篇包振山
  • 1篇宋雪梅
  • 1篇张文博
  • 1篇汪浩
  • 1篇王玫

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2004
  • 1篇2001
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
基于迁移的目标检测网络搜索模型在智能车标志物检测问题的解决方案
基于迁移的目标检测网络搜索模型在智能车标志物检测问题的解决方案,其特点是通过模型迁移隐式的将分类问题与目标检测问题相关联,使得仅需要分类问题的搜索时间结合少量的目标检测网络训练时间即可得到高性能的目标检测网络,大幅度降低...
包振山赵谦张文博
文献传递
退火处理对掺铒氢化非晶硅悬挂键密度和光致荧光的影响被引量:4
2004年
采用磁控溅射技术制备了铒掺杂的氢化非晶硅 (a_Si∶H(Er) )样品 .进一步通过 2 0 0— 5 0 0℃温度递增的后退火处理 ,获得了不同的Si悬挂键 (Si DBs)密度 ,并在此基础上研究了Si_DBs密度改变对其Er光荧光 (Er_PL)的影响 .退火温度低于 35 0℃时 ,Er_PL强度持续增加 ,但Si_DBs密度的变化显得较复杂 ;35 0℃以上时 ,Er_PL强度随Si_DBs密度的增加而减小 .在 2 0 0— 2 5 0℃的退火温度范围内 ,Si_DBs是由于结构弛豫而减少 ;在 2 5 0— 5 0 0℃的退火温度范围内 ,可能由于Si—H键的断裂释放出氢 ,导致Si_DBs的增加 .因为Er3+ 的辐射跃迁取决于基体中Er3+ 的结构对称性 ,所以Er_PL强度相对于Si_DBs的增加而出现的同向增加现象可能起因于退火引起Er3+ 化学环境的改变 ,不同于被广泛接受的“缺陷相关俄歇激发”模型 .
赵谦王波严辉久米田稔清水立生
关键词:退火处理铒掺杂氢化非晶硅光致荧光结构弛豫辐射跃迁
针对自动驾驶场景的目标检测搜索算法研究
随着计算机视觉的繁荣,基于深度学习的目标检测技术已成为解决自动驾驶问题的主流方法之一,而网络架构的性能在目标检测技术中处于至关重要的地位。自动驾驶场景需要神经网络在准确度、速度、稳定性等多方面达到较高水平,传统基于人工设...
赵谦
关键词:目标检测
新型化学汽相沉积技术Cat-CVD的发展趋势
Catalytic CVD(简称Cat-CVD)是一种不同于传统化学汽相沉积(CVD)技术的薄膜制备方法,由于具有简便低廉的特点,逐步受到人们重视.此项技术在Si系材料的制备方面已有较大进展,更表现出与其它技术结合的发展...
严辉王波汪浩宋雪梅王玫李建超赵谦
关键词:CAT-CVDSIC薄膜
文献传递
共1页<1>
聚类工具0